umwelt-online: Delegierte Verordnung (EU) 2017/2268 zur Änderung der Verordnung (EG) Nr. 428/2009 über eine Gemeinschaftsregelung für die Kontrolle der Ausfuhr, der Verbringung, der Vermittlung und der Durchfuhr von Gütern mit doppeltem Verwendungszweck (2)

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2B119 Auswuchtmaschinen und zugehörige Ausrüstung, wie folgt:

Anmerkung: SIEHE AUCH NUMMER 2B219.
  1. Auswuchtmaschinen mit allen folgenden Eigenschaften:
    1. nicht geeignet zum Auswuchten von Rotoren/Baugruppen mit einer Masse größer als 3 kg,
    2. geeignet zum Auswuchten von Rotoren/Baugruppen bei Drehzahlen größer als 12.500 U/min
    3. geeignet zur Korrektur von Unwuchten in zwei oder mehr Ebenen und
    4. geeignet zum Auswuchten bis zu einer spezifischen Restunwucht von 0,2 gmm/kg der Rotormasse;
    Anmerkung: Unternummer 2B119a erfasst nicht Auswuchtmaschinen, konstruiert oder geändert für zahnmedizinische oder andere medizinische Ausrüstung.
  2. Messgeräte (indicator heads/balancing instrumentation), konstruiert oder geändert für den Einsatz in Maschinen, erfasst von Unternummer 2B119a.
    Technische Anmerkung: Indicator heads werden auch als balancing instrumentation bezeichnet.

2B120 Bewegungssimulatoren oder Drehtische mit allen folgenden Eigenschaften:

  1. zwei oder mehr Achsen.
  2. konstruiert oder geändert für den Einbau von Schleifringen oder integrierten kontaktlosen Geräten, geeignet zur Übertragung von elektrischer Energie, von Signalen oder von beidem, und
  3. mit einer der folgenden Eigenschaften:
    1. mit allen folgenden Eigenschaften für jede einzelne Achse:
      1. geeignet für Drehraten (rate) größer/gleich 400°/s oder kleiner/gleich 30°/s und
      2. Auflösung der Drehrate (rate resolution) kleiner/gleich 6°/s und Genauigkeit kleiner/gleich 0,6°/s,
    2. Mindeststabilität der Drehrate (worst-case rate stability) besser (kleiner)/gleich ± 0,05 %, gemittelt über einen Bereich größer/gleich 10 ° oder
    3. "Positioniergenauigkeit" kleiner (besser)/gleich 5 Bogensekunden.
Anmerkung 1: Nummer 2B120 erfasst nicht Drehtische, konstruiert oder geändert für Werkzeugmaschinen oder für medizinische Ausrüstung. Zur Erfassung von Rundtischen für Werkzeugmaschinen: siehe Nummer 2B008.

Anmerkung 2: Bewegungssimulatoren oder Drehtische, die von Nummer 2B120 erfasst werden, sind erfasst, unabhängig davon, ob Schleifringe oder integrierte kontaktlose Geräte eingebaut sind oder nicht.

2B121 Positioniertische (Ausrüstung, geeignet für Präzisionsteilung in jeder Achse), die nicht von Nummer 2B120 erfasst werden, mit allen folgenden Eigenschaften:

  1. zwei oder mehr Achsen und
  2. "Positioniergenauigkeit" kleiner (besser)/gleich 5 Bogensekunden.
Anmerkung: Nummer 2B121 erfasst nicht Drehtische, konstruiert oder geändert für Werkzeugmaschinen oder für medizinische Ausrüstung. Zur Erfassung von Rundtischen für Werkzeugmaschinen: siehe Nummer 2B008.

2B122 Zentrifugen, die Beschleunigungen größer als 100 g erzeugen können, konstruiert oder geändert für den Einbau von Schleifringen oder integrierten kontaktlosen Geräten, geeignet zur Übertragung von elektrischer Energie, von Signalen oder von beidem.

Anmerkung: Zentrifugen, die von Nummer 2B122 erfasst werden, sind erfasst, unabhängig davon, ob Schleifringe oder integrierte kontaktlose Geräte eingebaut sind oder nicht.

2B201 Werkzeugmaschinen und eine beliebige Kombination von diesen, die nicht von Nummer 2B001 erfasst werden, wie folgt, für das Abtragen oder Schneiden von Metallen, Keramiken oder "Verbundwerkstoffen", die gemäß den technischen Spezifikationen des Herstellers mit elektronischen Geräten zur simultanen "Bahnsteuerung" in zwei oder mehr Achsen ausgerüstet werden können:

Technische Anmerkung: Als Alternative zu individuellen Testprotokollen können für jedes Werkzeugmaschinenmodell amtliche Werte für die Positioniergenauigkeit herangezogen werden, die nach folgenden Verfahren aus Messungen nach ISO 230-2:1988 1 oder entsprechenden nationalen Normen hergeleitet werden, sofern die amtlichen Werte den nationalen Behörden vorgelegt und von ihnen akzeptiert werden. Bestimmung der amtlichen Werte für die Positioniergenauigkeit:
  1. Auswahl von fünf Maschinen eines zu bewertenden Modells;
  2. Messung der Genauigkeiten entlang der Linearachse nach ISO 230-2:1988 1;
  3. Bestimmung der Genauigkeitswerte (A) für jede Achse jeder Maschine. Das Verfahren für die Berechnung des Genauigkeitswertes ist in der Norm ISO 230-2:1988 1 beschrieben;
  4. Bestimmung der mittleren Genauigkeitswerte für jede Achse. Dieser Mittelwert wird der amtliche Wert der Positioniergenauigkeit für jede Achse des Modells (Âx Ây...);
  5. Da sich Nummer 2B201 auf jede Linearachse bezieht, gibt es für jede Linearachse einen entsprechenden amtlichen Wert der Positioniergenauigkeit;
  6. Beträgt bei einer von den Unternummern 2B201a, 2B201b und 2B201c nicht erfassten Werkzeugmaschine der amtliche Wert der Positioniergenauigkeit einer Achse bei Rundschleifmaschinen und bei Fräs- und Drehmaschinen jeweils nach ISO 230-2:1988 1 6 µm oder besser (weniger) bzw. 8 µm oder besser (weniger), ist der Hersteller aufgefordert, den Genauigkeitswert alle 18 Monate zu bestätigen.
  1. Werkzeugmaschinen für Fräsbearbeitung mit einer der folgenden Eigenschaften:
    1. Positioniergenauigkeit mit "allen verfügbaren Kompensationen" von kleiner (besser)/gleich 6 µm nach ISO 230-2:1988 1 oder entsprechenden nationalen Normen entlang der Linearachse,
    2. zwei oder mehr bahnsteuerfähige Rundachsen oder
    3. fünf oder mehr Achsen zur simultanen "Bahnsteuerung";
    Anmerkung: Unternummer 2B201a erfasst keine Fräsmaschinen mit allen folgenden Eigenschaften:
    1. Verfahrweg der x-Achse größer als 2 m und
    2. Gesamtpositioniergenauigkeit der x-Achse größer (schlechter) als 30 µm.
  2. Werkzeugmaschinen für Schleifbearbeitung mit einer der folgenden Eigenschaften:
    1. Positioniergenauigkeit mit "allen verfügbaren Kompensationen" von kleiner (besser)/gleich 4 µm nach ISO 230-2:1988 1 oder entsprechenden nationalen Normen entlang der Linearachse,
    2. zwei oder mehr bahnsteuerfähige Rundachsen oder
    3. fünf oder mehr Achsen zur simultanen "Bahnsteuerung";
    Anmerkung: Unternummer 2B201b erfasst nicht folgende Schleifmaschinen:
    1. Außen-, Innen- und Außen-/Innen-Rundschleifmaschinen mit allen folgenden Eigenschaften:
      1. maximaler Arbeitsbereich von 150 mm Außendurchmesser oder Länge und
      2. Begrenzung auf die Achsen x, z und c;
    2. Koordinatenschleifmaschinen, die keine z-Achse oder w-Achse mit einer Gesamt-Positioniergenauigkeit von kleiner (besser) 4 µm nach ISO 230-2:19881 oder entsprechenden nationalen Normen haben;
  3. Werkzeugmaschinen für Drehbearbeitung mit einem besseren (niedrigeren) Wert der Positioniergenauigkeit mit "allen verfügbaren Kompensationen" als 6 µm nach ISO 230-2:19881 entlang einer Linearachse (Gesamtpositionierung) für Maschinen, die Werkstücke mit einem Durchmesser von mehr als 35 mm bearbeiten können;
    Anmerkung: Nummer 2B201c erfasst nicht Drehautomaten (Swissturn) ausschließlich zur Bearbeitung von Stangen (bar feed thru), bei Stangendurchmessern gleich/kleiner 42 mm und ohne Möglichkeit zur Verwendung von Drehfuttern. Werkzeugmaschinen können mit Bohr- und/oder Fräsfunktion zur Bearbeitung von Teilen mit einem Durchmesser kleiner 42 mm ausgestattet sein.

2B204 "Isostatische Pressen", die nicht von Nummer 2B004 oder 2B104 erfasst werden, und zugehörige Ausrüstung, wie folgt:

  1. "isostatische Pressen", mit allen folgenden Eigenschaften:
    1. einem maximalen Arbeitsdruck größer/gleich 69 MPa und
    2. einer Druckkammer mit einer lichten Weite (Innendurchmesser) größer als 152 mm;
  2. besonders konstruierte Gesenke, Formen oder Steuerungen für "isostatische Pressen", erfasst von Unternummer 2B204a.
Technische Anmerkung: In Nummer 2B204 bezieht sich die lichte Weite des Kammerraums auf die Kammer, in der sowohl die Arbeitstemperatur als auch der Arbeitsdruck erreicht werden, und schließt Spannvorrichtungen nicht mit ein. Sie ist die Abmessung der kleineren Kammer, entweder die lichte Weite der Druckkammer oder die lichte Weite der isolierten Ofenkammer, je nachdem, welche der beiden Kammern sich innerhalb der anderen befindet.

2B206 Messmaschinen oder Systeme, die nicht von Nummer 2B006 erfasst werden, wie folgt:

  1. rechnergesteuerte oder numerisch gesteuerte Koordinatenmessmaschinen (CMM = Coordinate Measuring Machines) mit einer der folgenden Eigenschaften:
    1. nur zwei Achsen und einer maximal zulässigen Längenmessabweichung in jeder Achse (eindimensional), bezeichnet als eine Kombination von E0x,MPE, E0y,MPE oder E0z,MPE, kleiner (besser)/gleich (1,25 + L/1000) µm (L ist die Messlänge in mm) an einem Punkt innerhalb des Arbeitsbereiches der Maschine (d. h. innerhalb der Achslängen), gemäß ISO 10360-2:2009 oder
    2. drei oder mehr Achsen und einer dreidimensionalen (volumetrischen) maximal zulässigen Längenmessabweichung (E0,MPE = maximum permissible error of length measurement) kleiner (besser)/gleich (1,7 + L/800) µm (L ist die Messlänge in mm) an einem Punkt innerhalb des Arbeitsbereichs der Maschine (d. h. innerhalb der Achslängen) gemäß ISO 10360-2:2009;
    Technische Anmerkung: Die E0,MPE der genauesten Konfiguration einer Koordinatenmessmaschine (CMM), nach ISO 10360-2:2009 spezifiziert durch den Hersteller (z.B. das Beste des Folgenden: Tastsystem, Taststiftlänge, Vorschubparameter, Umgebungsbedingungen) und mit allen verfügbaren Kompensationen, ist mit dem Grenzwert von 1,7 + L/800 µm zu vergleichen.
  2. Systeme zum simultanen Messen von Linear- und Winkelkoordinaten von Halbkugeln mit allen folgenden Eigenschaften:
    1. "Messunsicherheit" in jeder Achse kleiner (besser)/gleich 3,5 µm auf 5 mm und
    2. "Winkelpositionsabweichung" kleiner/gleich 0,02°.
  3. 'Längenmess'systeme mit allen folgenden Eigenschaften:
    Technische Anmerkung: Im Sinne der Unternummer 2B206c bedeutet 'Längenmessung' die Änderung des Abstandes zwischen der Messeinrichtung und dem zu messenden Objekt.
    1. sie enthalten einen "Laser"und
    2. sie behalten über mindestens 12 Stunden bei einer Temperatur von ± 1 K bei Standardtemperatur und Standarddruck alle folgenden Eigenschaften bei:
      1. "Auflösung" von 0,1 µm oder kleiner (besser) über den vollen Messbereich und
      2. eine "Messunsicherheit" kleiner(besser)/gleich (0,2 + L/2.000) µm (Messlänge L in mm).

    Anmerkung: Die Unternummer 2B206c erfasst keine "Laser"-Interferometermesssysteme ohne Rückmeldetechniken zur Messung der Verfahrbewegungsfehler von Werkzeugmaschinen, Messmaschinen oder ähnlicher Ausrüstung.

Anmerkung 1: Werkzeugmaschinen, die auch als Messmaschinen verwendet werden können, werden erfasst, wenn sie die für Werkzeugmaschinen- oder Messmaschinenfunktionen festgelegten Kriterien erreichen oder überschreiten.

Anmerkung 2: Eine in Nummer 2B206 genannte Maschine wird erfasst, wenn sie die Erfassungsschwelle innerhalb ihres Arbeitsbereiches überschreitet.

Technische Anmerkungen: Alle Parameter für die Messwerte unter Nummer 2B206 lassen positive und negative Abweichungen zu, d. h. sie stellen nicht die gesamte Bandbreite dar.

2B207 "Roboter", "Endeffektoren" und Steuerungen, die nicht von Nummer 2B007 erfasst werden, wie folgt:

  1. "Roboter" oder "Endeffektoren", besonders konstruiert zur Einhaltung nationaler Sicherheitsnormen für die Handhabung hochexplosiver Stoffe (z.B. Einhaltung elektrischer Kenndaten bei hochexplosiven Stoffen);
  2. besonders konstruierte Steuerungen für einen der "Roboter" oder "Endeffektoren", erfasst von Unternummer 2B207a.

2B209 Fließdrückmaschinen und Drückmaschinen mit Fließdrückfunktion, die nicht von Nummer 2B009 oder 2B109 erfasst werden, und Dorne, wie folgt:

  1. Maschinen, mit allen folgenden Eigenschaften:
    1. drei oder mehr Rollen (Drückrollen oder Führungsrollen) und
    2. nach der technischen Spezifikation des Herstellers mit "numerischer Steuerung" oder Rechnersteuerung ausrüstbar;
  2. Dorne zum Formen von zylindrischen Rotoren mit einem Innendurchmesser zwischen 75 mm und 400 mm.
Anmerkung: Unternummer 2B209a schließt Maschinen ein, die nur eine einzige Rolle zur Verformung des Metalls und zwei Hilfsrollen aufweisen, die den Dorn abstützen, am Verformungsprozess aber nicht direkt beteiligt sind.

2B219 Rotierende Mehrebenenauswuchtmaschinen, festinstalliert oder beweglich, horizontal oder vertikal, wie folgt:

  1. rotierende Mehrebenenauswuchtmaschinen, konstruiert zum Auswuchten von flexiblen Rotoren mit einer Länge größer/gleich 600 mm, mit allen folgenden Eigenschaften:
    1. Rotor- oder Zapfen-Durchmesser größer als 75 mm,
    2. Tragfähigkeit von 0,9 bis 23 kg und
    3. nutzbare Auswuchtdrehzahl größer als 5.000 U/min;
  2. rotierende Mehrebenenauswuchtmaschinen, konstruiert zum Auswuchten von hohlzylindrischen Rotorbauteilen, mit allen folgenden Eigenschaften:
    1. Aufnahme-Durchmesser größer als 75 mm,
    2. Tragfähigkeit von 0,9 bis 23 kg,
    3. Mindestwert der erzielbaren Restunwucht kleiner/gleich 10 g × mm/kg pro Auswuchtebene und
    4. Riemenantriebsausführung.

2B225 Fernlenk-Manipulatoren, die für ferngesteuerte Tätigkeiten bei radiochemischen Trennprozessen oder in Heißen Zellen eingesetzt werden können, mit einer der folgenden Eigenschaften:

  1. Eignung zur Durchdringung der Wand einer Heißen Zelle mit einer Dicke größer/gleich 0,6 m (Durch-die-Wand-Modifikation) oder
  2. Eignung zur Überbrückung der Wand einer Heißen Zelle mit einer Dicke größer/gleich 0,6 m (Über-die-Wand-Modifikation).
Technische Anmerkung: Fernlenk-Manipulatoren ermöglichen die Übertragung der Bewegungen einer Bedienungsperson auf einen ferngelenkten Funktionsarm und eine Endhalterung. Sie können über 'Master-Slave-Steuerung', Steuerknüppel oder Tastatur bedient werden.

2B226 Mit kontrollierter Atmosphäre (Vakuum oder Schutzgas) betriebene Induktionsöfen, die nicht von Nummer 9B001 und 3B001erfasst werden, und Netzgeräte hierfür, wie folgt:

Anmerkung: SIEHE AUCH NUMMERN 3B001 UND 9B001.
  1. Öfen mit allen folgenden Eigenschaften:
    1. geeignet für Betriebstemperaturen größer 1.123 K (850 °C),
    2. ausgerüstet mit Induktionsspulen mit einem Innendurchmesser kleiner/gleich 600 mm und
    3. konstruiert für Eingangsleistungen größer/gleich 5 kW;
  2. Netzgeräte, besonders konstruiert für von Unternummer 2B226a erfasste Öfen, mit einer angegebenen Ausgangsleistung größer/gleich 5 kW.
Anmerkung: Unternummer 2B226a erfasst keine Öfen zur Bearbeitung von Halbleiterwafern.

2B227 Vakuum- oder Schutzgas-Metallschmelz- und Metallgießöfen und zugehörige Ausrüstung wie folgt:

  1. Lichtbogenöfen (Schmelz-, Umschmelz- und Gießöfen) mit allen folgenden Eigenschaften:
    1. Abschmelzelektrodenvolumen zwischen 1.000 cm3 und 20.000 cm3 und
    2. geeignet für den Betrieb bei Schmelztemperaturen über 1.973 K (1.700 °C);
  2. Elektronenstrahlschmelzöfen und Plasma-Schmelz- oder Plasma-Zerstäubungsschmelzöfen mit allen folgenden Eigenschaften:
    1. Leistung größer/gleich 50 kW und
    2. geeignet für den Betrieb bei Schmelztemperaturen über 1.473 K (1.200 °C);
  3. Rechnersteuerungs- und Überwachungssysteme, besonders entwickelt für von Unternummer 2B227a oder 2B227b erfasste Öfen;
  4. Plasmabrenner, besonders konstruiert für von Unternummer 2B227b erfasste Öfen, mit allen folgenden Eigenschaften:
    1. Betriebsleistung größer als 50 kW und
    2. geeignet für den Betrieb bei Temperaturen über 1.473 K (1.200°C);
  5. Elektronenstrahlkanonen, besonders konstruiert für von Nummer 2B227b erfasste Öfen, mit einer Betriebsleistung größer als 50 kW.

2B228 Rotorfertigungs- oder Rotormontageausrüstung, Rotorrichtausrüstung, Dorne zur Sickenformung und Gesenke hierfür, wie:

  1. Rotormontageausrüstung für den Zusammenbau von Gaszentrifugenteilrohren, Scheiben und Enddeckeln;
    Anmerkung: Unternummer 2B228a schließt Präzisionsdorne, Haltevorrichtungen und Einschrumpfvorrichtungen ein.
  2. Rotorrichtausrüstung zum Ausrichten von Gaszentrifugenteilrohren auf eine gemeinsame Achse;
    Technische Anmerkung: Im Sinne von Unternummer 2B228b besteht diese Ausrüstung üblicherweise aus Präzisionsmesssonden, die mit einem Rechner verbunden sind, der die Funktion, z.B. der pneumatisch betriebenen Backen zum Ausrichten der Teilrohre, steuert.
  3. Dorne zur Sickenformung und Gesenke zur Herstellung von Einfachsicken.
    Technische Anmerkung: Sicken gemäß Unternummer 2B228c besitzen alle folgenden Eigenschaften:
    1. Innendurchmesser zwischen 75 mm und 400 mm,
    2. Länge größer/gleich 12,7 mm,
    3. Sickenhöhe größer als 2 mm und
    4. hergestellt aus hochfesten Aluminiumlegierungen, martensitaushärtendem Stahl oder hochfesten "faser- oder fadenförmigen Materialien".

2B230 Jede Art von 'Druckmessgeräten' (pressure transducers), geeignet zum Messen von Absolutdrücken, mit allen folgenden Eigenschaften:

  1. Drucksensoren (pressure sensing elements), die aus Aluminium, Aluminiumlegierungen, Aluminiumoxid (Korund oder Saphir), Nickel oder Nickellegierungen mit mehr als 60 Gew.-% Nickel oder aus perfluorierten Kohlenwasserstoffpolymeren hergestellt oder damit geschützt sind,
  2. Dichtungen, falls vorhanden, die zur Abdichtung des Drucksensors notwendig sind und in direktem Kontakt mit dem Prozessmedium stehen, hergestellt aus oder geschützt mit Aluminium, Aluminiumlegierungen, Aluminiumoxid (Saphir), Nickel oder Nickellegierungen mit mehr als 60 Gew.-% Nickel oder aus perfluorierten Kohlenwasserstoffpolymeren und
  3. mit einer der folgenden Eigenschaften:
    1. Messbereich kleiner als 13 kPa und 'Messgenauigkeit' kleiner (besser) als ± 1 % vom Skalenendwert oder
    2. Messbereich größer/gleich 13 kPa und 'Messgenauigkeit' kleiner (besser) als ± 130 Pa, gemessen bei 13 kPa.
Technische Anmerkungen:
  1. Ein 'Druckmessgerät' (pressure transducer) im Sinne der Nummer 2B230 ist ein Gerät, das eine Druckmessung in ein Signal umwandelt.
  2. 'Messgenauigkeit' im Sinne der Nummer 2B230 schließt Nichtlinearität, Hysterese und Reproduzierbarkeit bei Umgebungstemperatur ein.

2B231 Vakuumpumpen mit allen folgenden Eigenschaften:

  1. Ansaugdurchmesser größer/gleich 380 mm;
  2. Saugvermögen größer/gleich 15 m3/s und
  3. geeignet zur Erzeugung eines Endvakuumdrucks kleiner als 13 mPa.
Technische Anmerkungen:
  1. Das Saugvermögen wird am Messpunkt mit Stickstoffgas oder Luft bestimmt.
  2. Der Endvakuumdruck wird an der geschlossenen Saugseite der Pumpe bestimmt.

2B232 Hochgeschwindigkeitsbeschleunigungssysteme (treibgasgetriebene, gasbetriebene, spulenartige, elektromagnetische und elektrothermische Typen und andere fortgeschrittene Systeme), die Projektile auf Geschwindigkeiten größer/gleich 1,5 km/s beschleunigen können.

Anmerkung: SIEHE AUCH LISTE FÜR WAFFEN, MUNITION UND RÜSTUNGSMATERIAL.

2B233 Federbalgabgedichtete Scroll-Kompressoren und federbalgabgedichtete Scroll-Vakuumpumpen, mit allen folgenden Eigenschaften:

Anmerkung: SIEHE AUCH UNTERNUMMER 2B350i
  1. geeignet für einen Ansaugvolumenstrom größer/gleich 50 m3/h;
  2. geeignet für ein Druckverhältnis größer/gleich 2:1 und
  3. alle Oberflächen, die mit dem Prozessgas in Kontakt kommen, sind aus einem der folgenden Werkstoffe oder Materialien:
    1. Aluminium oder Aluminiumlegierung,
    2. Aluminiumoxid,
    3. rostfreier Stahl,
    4. Nickel oder Nickellegierung,
    5. Phosphorbronze oder
    6. Fluorpolymere.

2B350 Chemische Herstellungseinrichtungen, Apparate und Bestandteile wie folgt:

  1. Reaktionsbehälter oder Reaktoren, mit oder ohne Rührer, mit einem inneren (geometrischen) Gesamtvolumen größer als 0,1 m3 (100 l) und kleiner als 20 m3 (20.000 l), bei denen alle medienberührenden Flächen aus einem der folgenden Werkstoffe oder Materialien bestehen:
    1. 'Legierungen' mit mehr als 25 Gew.-% Nickel und 20 Gew.-% Chrom,
    2. Fluorpolymere (polymere oder elastomere Materialien mit mehr als 35 Gew.-% Fluor),
    3. Glas oder Email,
    4. Nickel oder Nickel-'Legierungen' mit mehr als 40 Gew.-% Nickel,
    5. Tantal oder Tantal-'Legierungen',
    6. Titan oder Titan-'Legierungen',
    7. Zirkonium oder Zirkonium-'Legierungen'oder
    8. Niob (Columbium) oder Niob-'Legierungen';
  2. Rührer, konstruiert für die Verwendung in den von Unternummer 2B350a erfassten Reaktionskesseln oder Reaktoren sowie für solche Rührer konstruierte Rührflügel, Rührblätter oder Rührwellen, bei denen alle medienberührenden Flächen aus einem der folgenden Werkstoffe oder Materialien bestehen:
    1. 'Legierungen' mit mehr als 25 Gew.-% Nickel und 20 Gew.-% Chrom,
    2. Fluorpolymere (polymere oder elastomere Materialien mit mehr als 35 Gew.-% Fluor),
    3. Glas oder Email,
    4. Nickel oder Nickel-'Legierungen' mit mehr als 40 Gew.-% Nickel,
    5. Tantal oder Tantal-'Legierungen',
    6. Titan oder Titan-'Legierungen',
    7. Zirkonium oder Zirkonium-'Legierungen' oder
    8. Niob (Columbium) oder Niob-'Legierungen';
  3. Lagertanks, Container oder Vorlagen mit einem inneren (geometrischen) Gesamtvolumen größer als 0,1 m3 (100 l), bei denen alle medienberührenden Flächen aus einem der folgenden Werkstoffe oder Materialien bestehen:
    1. 'Legierungen' mit mehr als 25 Gew.-% Nickel und 20 Gew.-% Chrom,
    2. Fluorpolymere (polymere oder elastomere Materialien mit mehr als 35 Gew.-% Fluor),
    3. Glas oder Email,
    4. Nickel oder Nickel-'Legierungen' mit mehr als 40 Gew.-% Nickel,
    5. Tantal oder Tantal-'Legierungen',
    6. Titan oder Titan-'Legierungen',
    7. Zirkonium oder Zirkonium-'Legierungen'oder
    8. Niob (Columbium) oder Niob-'Legierungen';
  4. Wärmetauscher oder Kondensatoren mit einer Wärmeaustauschfläche größer als 0,15 m2 und kleiner als 20 m2 sowie für solche Wärmetauscher oder Kondensatoren konstruierte Rohre, Platten, Coils oder Blöcke, bei denen alle medienberührenden Flächen aus einem der folgenden Werkstoffe oder Materialien bestehen:
    1. 'Legierungen' mit mehr als 25 Gew.-% Nickel und 20 Gew.-% Chrom,
    2. Fluorpolymere (polymere oder elastomere Materialien mit mehr als 35 Gew.-% Fluor),
    3. Glas oder Email,
    4. Grafit oder 'Carbon-Grafit',
    5. Nickel oder Nickel-'Legierungen' mit mehr als 40 Gew.-% Nickel,
    6. Tantal oder Tantal-'Legierungen',
    7. Titan oder Titan-'Legierungen',
    8. Zirkonium oder Zirkonium-'Legierungen'
    9. Siliziumkarbid,
    10. Titankarbid oder
    11. Niob (Columbium) oder Niob-'Legierungen';
  5. Destillations- oder Absorptionskolonnen mit einem inneren Durchmesser größer als 0,1 m sowie für solche Destillations- oder Absorptionskolonnen konstruierte Flüssigkeitsverteiler, Dampfverteiler oder Flüssigkeitssammler, bei denen alle medienberührenden Flächen aus einem der folgenden Werkstoffe oder Materialien bestehen:
    1. 'Legierungen' mit mehr als 25 Gew.-% Nickel und 20 Gew.-% Chrom,
    2. Fluorpolymere (polymere oder elastomere Materialien mit mehr als 35 Gew.-% Fluor),
    3. Glas oder Email,
    4. Grafit oder 'Carbon-Grafit',
    5. Nickel oder Nickel-'Legierungen' mit mehr als 40 Gew.-% Nickel,
    6. Tantal oder Tantal-'Legierungen',
    7. Titan oder Titan-'Legierungen',
    8. Zirkonium oder Zirkonium-'Legierungen'oder
    9. Niob (Columbium) oder Niob-'Legierungen';
  6. fernbedienbare Abfülleinrichtungen, bei denen alle medienberührenden Flächen aus einem der folgenden Werkstoffe oder Materialien bestehen:
    1. 'Legierungen' mit mehr als 25 Gew.-% Nickel und 20 Gew.-% Chrom, oder
    2. Nickel oder Nickel-'Legierungen' mit mehr als 40 Gew.-% Nickel,
  7. Ventile und Bestandteile wie folgt:
    1. Ventile mit den beiden folgenden Eigenschaften:
      1. 'Nennweite' größer als 10 mm (3/8 Zoll) und
      2. alle medienberührenden Flächen bestehen aus 'korrosionsbeständigen Werkstoffen oder Materialien',
    2. Ventile, die nicht von Unternummer 2B350g1 erfasst werden, mit allen folgenden Eigenschaften:
      1. 'Nennweite' größer/gleich 25,4 mm (1 Zoll) und kleiner/gleich 101,6 mm (4 Zoll),
      2. Ventilgehäuse oder vorgeformte Gehäuseauskleidungen,
      3. Verschlusselement, austauschbar konstruiert und
      4. alle medienberührenden Flächen des Ventilgehäuses oder der vorgeformten Gehäuseauskleidung bestehen aus 'korrosionsbeständigen Werkstoffen oder Materialien',
    3. Bestandteile, konstruiert für in Unternummer 2B350g1 oder Unternummer 2B350g2 erfasste Ventile, bei denen alle medienberührenden Flächen aus 'korrosionsbeständigen Werkstoffen oder Materialien' bestehen, wie folgt:
      1. Ventilgehäuse,
      2. vorgeformte Gehäuseauskleidungen;
    Technische Anmerkungen:
    1. 'Korrosionsbeständige Werkstoffe oder Materialien' im Sinne der Unternummer 2B350g sind:
      1. Nickel oder Nickel-'Legierungen' mit mehr als 40 Gew.-% Nickel,
      2. 'Legierungen' mit mehr als 25 Gew.-% Nickel und 20 Gew.-% Chrom,
      3. Fluorpolymere (polymere oder elastomere Materialien mit mehr als 35 Gew.-% Fluor),
      4. Glas oder Email,
      5. Tantal oder Tantal-Legierungen,
      6. Titan oder Titan-Legierungen,
      7. Zirkonium oder Zirkonium-Legierungen,
      8. Niob (Columbium) oder Niob-Legierungen; oder
      9. keramische Materialien wie folgt:
        1. Siliziumkarbid mit einer Reinheit größer (besser)/gleich 80 Gew.-%,
        2. Aluminiumoxid mit einer Reinheit größer (besser)/gleich 99,9 Gew.-%,
        3. Zirkondioxid.,
    2. Bei unterschiedlichem Einlass- und Auslassdurchmesser ist die 'Nennweite' als der kleinere der beiden Durchmesser definiert.
  8. mehrwandige Rohre mit Leckdetektor-Anschluss, bei denen alle medienberührenden Flächen aus einem der folgenden Werkstoffe oder Materialien bestehen:
    1. 'Legierungen' mit mehr als 25 Gew.-% Nickel und 20 Gew.-% Chrom,
    2. Fluorpolymere (polymere oder elastomere Materialien mit mehr als 35 Gew.-% Fluor),
    3. Glas oder Email,
    4. Grafit oder 'Carbon-Grafit',
    5. Nickel oder Nickel-'Legierungen' mit mehr als 40 Gew.-% Nickel,
    6. Tantal oder Tantal-'Legierungen',
    7. Titan oder Titan-'Legierungen',
    8. Zirkonium oder Zirkonium-'Legierungen'oder
    9. Niob (Columbium) oder Niob-'Legierungen';
  9. Unter Nummer 2B233 nicht aufgeführte Pumpen mit Mehrfachdichtung und dichtungslose Pumpen mit einer vom Hersteller angegebenen maximalen Förderleistung größer als 0,6 m3/h oder Vakuumpumpen mit einer vom Hersteller angegebenen maximalen Förderleistung größer als 5 m3/h (jeweils unter Standard-Bedingungen von 273 K [0 C] und 101,3 kPa) sowie für solche Pumpen konstruierte Pumpengehäuse, vorgeformte Gehäuseauskleidungen, Laufräder, Rotoren oder Strahlpumpendüsen, bei denen alle medienberührenden Flächen aus einem der folgenden Werkstoffe oder Materialien bestehen:
    1. 'Legierungen' mit mehr als 25 Gew.-% Nickel und 20 Gew.-% Chrom,
    2. Keramik,
    3. Ferrosiliziumguss (hochlegiertes Ferrosilizium),
    4. Fluorpolymere (polymere oder elastomere Materialien mit mehr als 35 Gew.-% Fluor),
    5. Glas oder Email,
    6. Grafit oder 'Carbon-Grafit',
    7. Nickel oder Nickel-'Legierungen' mit mehr als 40 Gew.-% Nickel,
    8. Tantal oder Tantal-'Legierungen',
    9. Titan oder Titan-'Legierungen',
    10. Zirkonium oder Zirkonium-'Legierungen' oder
    11. Niob (Columbium) oder Niob-'Legierungen';
    Technische Anmerkung: Der Begriff Dichtung in Unternummer 2B350i bezieht sich ausschließlich auf medienberührende Dichtungen, die eine Dichtfunktion ausüben, wo eine Rotations- oder Hubkolbenantriebswelle durch das Pumpengehäuse führt.
  10. Verbrennungseinrichtungen, entwickelt zur Vernichtung der in Nummer 1C350 genannten Substanzen, mit besonders entwickelten Abfall-Zuführungssystemen, speziellen Handhabungseinrichtungen und einer durchschnittlichen Brennraumtemperatur größer als 1.273 K (1.000°C), wobei alle medienberührenden Flächen des Zuführungssystems aus einem der folgenden Werkstoffe oder Materialien bestehen:
    1. 'Legierungen' mit mehr als 25 Gew.-% Nickel und 20 Gew.-% Chrom,
    2. Keramik, oder
    3. Nickel oder Nickel-'Legierungen' mit mehr als 40 Gew.-% Nickel,
Anmerkung: Im Sinne der Nummer 2B350 bestimmen die für Dichtungen, Füllstoffe, Verschlüsse, Schrauben, Unterlegscheiben verwendeten Werkstoffe und Materialien sowie andere Werkstoffe oder Materialien, die eine Dichtfunktion ausüben, nicht den Kontrollstatus, sofern diese Bestandteile austauschbar konstruiert sind.

Technische Anmerkungen:

  1. 'Carbon-Grafit' besteht aus amorphem Kohlenstoff und Grafit, wobei der Grafitgehalt 8 Gew.-% oder mehr beträgt.
  2. Für das in den obigen Unternummern aufgeführte Material sind unter dem Begriff 'Legierung', wenn dieser nicht in Verbindung mit einer bestimmten Elementkonzentration verwendet wird, diejenigen Legierungen zu verstehen, bei denen das identifizierte Metall einen höheren Gewichtsanteil aufweist als jedes andere Element.

2B351 Systeme zur Feststellung oder Überwachung toxischer Gase und dafür bestimmte Bestandteile zur Detektion, die nicht von Nummer 1A004 erfasst werden, wie folgt, sowie Detektoren, Ausrüstungen mit Sensoren und austauschbare Messsonden-Einsätze hierfür:

  1. entwickelt für den kontinuierlichen Betrieb und verwendbar für die Detektion von chemischen Kampfstoffen oder den in Nummer 1C350 genannten Substanzen unterhalb einer Konzentration von 0,3 mg/m3 oder
  2. entwickelt für die Detektion Cholinesterase-hemmender Wirkung.

2B352 Ausrüstung, geeignet zur Handhabung biologischer Stoffe, wie folgt:

  1. Sicherheitsbereiche und zugehörige Ausrüstung, wie folgt:
    1. Vollständige Sicherheitsbereiche, die den Kriterien für die Sicherheitsstufen P3 oder P4 (BL3, BL4, L3, L4) gemäß der Definition im WHO-Handbuch Laboratory Biosafety (3. Auflage, Genf 2004) entsprechen;
    2. Ausrüstung, die für eine feste Installation in den von Unternummer 2B352a erfassten Sicherheitsbereichen konstruiert ist, wie folgt:
      1. Doppeltür-Durchreiche-Autoklaven für Dekontaminierung,
      2. Dekontaminationsduschen für Atemschutzanzüge,
      3. Durchgangsschleusen mit mechanischen oder aufblasbaren Dichtungen,
  2. Fermenter und Bestandteile wie folgt:
    1. Fermenter, geeignet zur Kultivierung von "Mikroorganismen" oder lebenden Zellen zur Erzeugung von Viren oder Toxinen, ohne Aerosolfreisetzung, mit einer Gesamtkapazität größer/gleich 20 l;
    2. Für Fermenter in Unternummer 2B352b1 konstruierte Bestandteile wie folgt:
      1. Reaktionskammern, konstruiert für eine In-situ-Sterilisation oder In-situ-Desinfektion;
      2. Haltevorrichtungen für die Reaktionskammer;
      3. Prozesssteuerungen, geeignet zur simultanen Überwachung und Steuerung von zwei oder mehr Systemparametern der Fermentation (z.B. Temperatur, pH-Wert, Nährstoffgehalt, Badbewegung, gelöster Sauerstoff, Luftstrom, Schaumkontrolle);
    Technische Anmerkung: Fermenter im Sinne der Unternummer 2B352b schließen Bioreaktoren, Einwegbioreaktoren, Chemostate und kontinuierliche Fermentationssysteme ein.
  3. Zentrifugalseparatoren, geeignet zur kontinuierlichen Trennung ohne Aerosolfreisetzung, mit allen folgenden Eigenschaften:
    1. Durchflussrate größer als 100 l/h,
    2. Bestandteile aus poliertem Edelstahl oder Titan,
    3. Ein- oder Mehrfachdichtung im Dampfsterilisationsbereich und
    4. geeignet zur In-situ-Sterilisation im geschlossenen Zustand;
    Technische Anmerkung: Zentrifugalseparatoren schließen Dekanter ein.
  4. Kreuz-(Tangential-)stromfilter-Ausrüstung und -Bestandteile, wie folgt:
    1. Kreuz-(Tangential-)stromfilter-Ausrüstung, geeignet zur Abtrennung von "Mikroorganismen", Viren, Toxinen oder Zellkulturen, mit allen folgenden Eigenschaften:
      1. Gesamtfilterfläche größer/gleich 1 m2 und
      2. mit einer der folgenden Eigenschaften:
        1. geeignet zur In-situ-Sterilisation oder zur In-situ-Desinfektion; oder
        2. Verwendung von Einweg- oder Einmalfiltern;
        Technische Anmerkung: Im Sinne von Unternummer 2B352d1b bezeichnet 'Sterilisation' die Entfernung aller vermehrungsfähigen Mikroben von der Ausrüstung durch die Verwendung physikalischer (z.B. Dampf) oder chemischer Agenzien. 'Desinfektion' bezeichnet die Zerstörung der potenziellen mikrobiellen Infektiosität der Ausrüstung durch die Verwendung chemischer Agenzien mit germiziden Effekten. Desinfektion und Sterilisation unterscheiden sich von der Sanitisation. Die Sanitisation bezieht sich auf Reinigungsoperationen, die entwickelt wurden, um die Menge des mikrobiellen Materials auf der Ausrüstung zu verringern ohne notwendigerweise deren völlige Infektiösität oder Vermehrungsfähigkeit zu beseitigen.
    Anmerkung: Unternummer 2B352d erfasst nicht Umkehrosmose- und Hämodialyse-Ausrüstung gemäß Herstellerangaben.
    1. Bestandteile von Kreuz-(Tangential-)stromfiltern (z.B. Module, Elemente, Kassetten, Kartuschen oder Platten) mit einer Filterfläche größer/gleich 0,2 m2 pro Bestandteil und konstruiert für die Verwendung in Kreuz-(Tangential-)stromfilter-Ausrüstung, die von Unternummer 2B352d erfasst wird;
  5. mit Wasserdampf, Gas oder Dampf sterilisierbare Gefriertrocknungsanlagen mit einer Eiskapazität des Kondensators von größer/gleich 10 kg und kleiner als 1.000 kg in 24 Stunden;
  6. Schutz- und Containment-Ausrüstungen wie folgt:
    1. Voll- oder Halbschutzanzüge oder Hauben, die auf die Anbindung an eine externe Luftversorgung angewiesen sind und mit Überdruck betrieben werden,
      Anmerkung: Anzüge, entwickelt für das Tragen mit unabhängigen Atemgeräten, werden von Unternummer 2B352f1 nicht erfasst.
    2. Räume für biologisches Containment, Isolatoren oder biologische Sicherheitswerkbänke mit allen folgenden Eigenschaften für den Normalbetrieb:
      1. vollkommen geschlossener Arbeitsbereich, welcher vom Bedienpersonal durch eine physische Barriere getrennt ist;
      2. geeignet zum Unterdruckbetrieb;
      3. Vorrichtungen zur sicheren Handhabung von Arbeitsmaterialien im Arbeitsbereich;
      4. Zu- und Abluft des Arbeitsbereiches wird HEPA-gefiltert;
    Anmerkung 1: Unternummer 2B352f2 schließt biologische Sicherheitswerkbänke der Klasse III ein, die wie in der neuesten Ausgabe des WHO-Handbuchs Laboratory Biosafety beschrieben oder gemäß nationalen Normen, Regelungen oder Leitlinien gebaut sind.

    Anmerkung 2: Unternummer 2B352f2 umfasst keine Isolatoren, die speziell für die Krankenpflege in abgegrenzten Räumen (barrier nursing) oder zum Transport von infizierten Patienten konstruiert sind.

  7. Aerosolinhalationsanlagen, die für Aerosoleignungsprüfungen von "Mikroorganismen", Viren oder "Toxinen" wie folgt konstruiert sind:
    1. Ganzkörper-Expositionskammern mit einem Volumen von mindestens 1 m3;
    2. Geräte für die "Nose-only"-Exposition mit gerichtetem Aerosolfluss und einer Kapazität für die Exposition von einem der Folgenden:
      1. 12 oder mehr Nagetieren oder
      2. 2 oder mehr Tieren außer Nagetieren;
    3. Geschlossene Restrainer, konstruiert für den Einsatz in Geräten für die "Nose-only"-Exposition mit gerichtetem Aerosolfluss;
  8. Sprühtrocknungsanlagen, geeignet zur Trocknung von Toxinen oder pathogenen "Mikroorganismen", mit allen folgenden Eigenschaften:
    1. einer Wasserverdampfungskapazität von größer/gleich 0,4 kg/h und kleiner/gleich 400 kg/h
    2. der Fähigkeit, eine mittlere Partikelgröße kleiner/gleich 10 µm mit der bestehenden AusrÌstung oder durch minimale Modifikation des Sprühtrockners mit Sprühdüsen, die die Erzeugung der gewünschten Partikelgröße erlaubt, zu erzeugen und
    3. geeignet zur In-situ-Sterilisation oder In-situ-Desinfektion.

2C Werkstoffe und Materialien

Kein Eintrag.

2D Datenverarbeitungsprogramme (Software)

2D001 "Software", andere als von Nummer 2D002 erfasst, wie folgt:

  1. "Software", besonders entwickelt oder geändert für die "Entwicklung" oder "Herstellung" von Ausrüstung, die von Nummer 2A001 oder 2B001 erfasst wird;
  2. "Software", besonders entwickelt oder geändert für die "Verwendung" von Ausrüstung, die von Unternummer 2A001c, Nummer 2B001 oder den Nummern 2B003 bis 2B009 erfasst wird.
Anmerkung: Nummer 2D001 erfasst keine Programmierungs-"Software" für Bauteile, die "numerische "Steuerungscodes für die Bearbeitung verschiedener Bauteile erzeugt.

2D002 "Software" für elektronische Bauteile, auch wenn sie in einem elektronischen Bauteil oder System dauerhaft gespeichert ist, die solche Bauteile oder Systeme zu Funktionen einer "numerischen Steuerung" befähigt, die mehr als vier interpolierende Achsen simultan zur "Bahnsteuerung" koordinieren kann.

Anmerkung 1: Nummer 2D002 erfasst keine "Software", besonders entwickelt oder geändert zur Verwendung in nicht von Kategorie 2 erfassten Maschinen.

Anmerkung 2: Nummer 2D002 erfasst keine "Software" für Maschinen, die von Nummer 2B002 erfasst werden. Zur Erfassung von "Software" für die von Nummer 2B002 erfassten Maschinen: siehe Nummer 2D001 und Nummer 2D003.

Anmerkung 3: Nummer 2D002 erfasst keine "Software", die mit nicht von Kategorie 2 erfassten Maschinen ausgeführt wird und das erforderliche Minimum für den Betrieb dieser Maschinen ist.

2D003 "Software", entwickelt oder geändert für den Betrieb von Ausrüstung, die von Nummer 2B002 erfasst wird, die Funktionen der optischen Gestaltung, der Werkstückvermessung und des Materialabtrags in "numerische Steuer"-Befehle umwandelt, um die gewünschte Form des Werkstücks zu erzielen.

2D101 "Software", besonders entwickelt oder geändert für die "Verwendung" von Ausrüstung, erfasst von Nummer 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 oder 2B119 bis 2B122.

Anmerkung: SIEHE AUCH NUMMER 9D004.

2D201 "Software", besonders entwickelt für die "Verwendung" von Ausrüstung, erfasst von Nummer 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 oder 2B227.

2D202 "Software", besonders entwickelt oder geändert für die "Entwicklung", "Herstellung" oder "Verwendung" von Ausrüstung, erfasst von Nummer 2B201.

Anmerkung: Nummer 2D202 erfasst keine Programmierungs-"Software" für Bauteile, die "numerische Steuerungsbefehlcodes" erzeugt, aber keine direkte Verwendung der Ausrüstung für die Bearbeitung verschiedener Bauteile erlaubt.

2D351 "Software", die nicht von Nummer 1D003 erfasst wird, besonders entwickelt für die "Verwendung" der von Unternummer 2B351 erfassten Ausrüstung.

2E Technologie

2E001 "Technologie" entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die "Entwicklung" von Ausrüstung oder "Software", die von Nummer 2A, 2B oder 2D erfasst wird.

Anmerkung: Nummer 2E001 erfasst "Technologie" für die Integration von Tastsystemen in von Unternummer 2B006a erfasste Koordinatenmessmaschinen.

2E002 "Technologie" entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die "Herstellung" von Ausrüstung, die von Nummer 2A oder 2B erfasst wird.

2E003 "Technologie" wie folgt:

  1. "Technologie" für die "Entwicklung" von interaktiver Grafik als integraler Bestandteil "numerischer Steuerungen" zur Vorbereitung oder Änderung von Teileprogrammen;
  2. "Technologie" für metallbearbeitende Fertigungsverfahren wie folgt:
    1. "Technologie" für den Entwurf von Werkzeugen, Gesenken oder Spannvorrichtungen, besonders entwickelt für eines der folgenden Verfahren:
      1. "superplastisches Umformen",
      2. "Diffusionsschweißen" oder
      3. "hydrostatisches Umformen mit direkter Druckbeaufschlagung",
    2. technische Daten, d. h. Verfahrensbeschreibungen oder Parameter, wie folgt, für die Verfahrenssteuerung:
      1. "superplastisches Umformen" von Aluminium-, Titan- oder "Superlegierungen":
        1. Oberflächenbehandlung,
        2. Dehngeschwindigkeit,
        3. Temperatur,
        4. Druck,
      2. "Diffusionsschweißen" von "Superlegierungen" oder Titanlegierungen:
        1. Oberflächenbehandlung,
        2. Temperatur,
        3. Druck,
      3. "hydrostatisches Umformen mit direkter Druckbeaufschlagung" von Aluminium- oder Titanlegierungen:
        1. Druck,
        2. Dauer des Arbeitsvorgangs;
      4. "heißisostatisches Verdichten" von Titan-, Aluminium- oder "Superlegierungen":
        1. Temperatur,
        2. Druck,
        3. Dauer des Arbeitsvorgangs;
  3. "Technologie" für die "Entwicklung" oder "Herstellung" von hydraulischen Streckziehpressen und dazugehörigen Formwerkzeugen zur Fertigung von Bauelementen für Flugzeugzellen;
  4. "Technologie" für die "Entwicklung" von Generatoren für die Erstellung von Steuerbefehlen für Werkzeugmaschinen (z.B. Teileprogramme) aus Konstruktionsdaten innerhalb der "numerischen Steuerungen";
  5. "Technologie" für die "Entwicklung" von Integrations-"Software" zum Einfügen von "Expertensystemen" in "numerische Steuerungen" zur weit gehenden Unterstützung von Entscheidungen im maschinennahen Bereich;
  6. "Technologie" für das Aufbringen von anorganischen Auflageschichten oder anorganischen, oberflächen-verändernden Schichten (gemäß Spalte 3 der nachstehenden Tabelle) auf Substrate für nichtelektronische Anwendungen (gemäß Spalte 2 der nachstehenden Tabelle) durch die in Spalte 1 der nachstehenden Tabelle aufgeführten und in der Technischen Anmerkung definierten Verfahren.
    Anmerkung: Tabelle und Technische Anmerkung folgen nach Nummer 2E301.
    Anmerkung: Diese Tabelle ist so zu lesen, dass die Technologie eines bestimmten Beschichtungsverfahrens nur dann erfasst ist, wenn die in Spalte 3 aufgeführte Beschichtung einem Absatz mit dem jeweiligen Substrat in Spalte 2 direkt zugeordnet ist. Beispiel: Technische Daten zur chemischen Beschichtung aus der Gasphase (CVD-Beschichten) sind erfasst bezüglich der Aufbringung von Siliciden auf Substrate aus Kohlenstoff-Kohlenstoff-, Keramik- und Metall-"Matrix"-"Verbundwerkstoffen", aber nicht erfasst bezüglich der Aufbringung von Siliciden auf Substrate aus 'gesintertem Wolframkarbid' (16) und 'Siliziumkarbid' (18). Im zweiten Fall ist die Beschichtung nicht in dem Absatz der Spalte 3 aufgeführt, der dem Absatz der Spalte 2 mit dem Eintrag 'gesintertes Wolframkarbid' (16), 'Siliziumkarbid' (18) direkt zugeordnet ist.

2E101 "Technologie" entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die "Verwendung" von Ausrüstung oder "Software", erfasst von Nummer 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 bis 2B122 oder 2D101.

2E201 "Technologie" entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die "Verwendung" von Ausrüstung oder "Software", erfasst von Nummer 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, Unternummer 2B007b oder 2B007c, Nummer 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 bis 2B233, 2D201 oder 2D202.

2E301 "Technologie" entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die "Verwendung" von Waren, erfasst von Nummer 2B350 bis 2B352.

Tabelle
Abscheidungsverfahren

1. Beschichtungsverfahren (1) * 2. Substrat 3. Schichten
A. Chemische Beschichtung aus der Gasphase (CVD-Beschichten) "Superlegierungen" Aluminide für Innenbeschichtungen
Keramik (19) und Glas mit niedriger Wärmeausdehnung (14) Silicide
Karbide
Dielektrische Schichten (15)
Diamant
Diamantartiger Kohlenstoff (17)
Kohlenstoff-Kohlenstoff-, Keramik- und Metall-"Matrix"-"Verbundwerkstoffe" Silicide
Karbide
Hochschmelzende Metalle
Mischschichten daraus (4)
Dielektrische Schichten (15)
Aluminide
Legierte Aluminide (2)
Bornitrid
Gesintertes Wolframkarbid (16), Siliziumkarbid (18) Karbide
Wolfram
Mischschichten daraus (4)
Dielektrische Schichten (15)
Molybdän und Molybdänlegierungen Dielektrische Schichten (15)
Beryllium und Berylliumlegierungen Dielektrische Schichten (15)
Diamant
Diamantartiger Kohlenstoff (17)
Werkstoffe oder Materialien für Sensorenfenster (9) Dielektrische Schichten (15)
Diamant
Diamantartiger Kohlenstoff (17)
Physikalische Beschichtung aus der Gasphase (PVD-Beschichten) durch thermisches Verdampfen (TE-PVD)
B.1. PVD-Beschichten: Elektronenstrahl (EB-PVD) "Superlegierungen" Legierte Silicide
Legierte Aluminide (2)
MCrAlX (5)
modifiziertes Zirkoniumdioxid (12)
Silicide
Aluminide
Mischschichten daraus (4)
Keramik (19) und Glas mit niedriger Wärmeausdehnung (14) Dielektrische Schichten (15)
Korrosionsbeständiger Stahl (7) MCrAlX (5)
modifiziertes Zirkoniumdioxid (12)
Mischschichten daraus (4)
Kohlenstoff-Kohlenstoff-, Keramik- und Metall-"Matrix"-"Verbundwerkstoffe" Silicide
Karbide
Hochschmelzende Metalle
Mischschichten daraus (4)
Dielektrische Schichten (15)
Bornitrid
Gesintertes Wolframkarbid (16), Siliziumkarbid (18) Karbide
Wolfram
Mischschichten daraus (4)
Dielektrische Schichten (15)
Molybdän und Molybdänlegierungen Dielektrische Schichten (15)
Beryllium und Berylliumlegierungen Dielektrische Schichten (15)
Boride
Beryllium
Werkstoffe oder Materialien für Sensorenfenster (9) Dielektrische Schichten (15)
Titanlegierungen (13) Boride
Nitride
B.2. Ionenunterstütztes PVD-Beschichten mittels Widerstandsheizung (PVD-Ionenplattieren) Keramik (19) und Glas mit niedriger Wärmeausdehnung Dielektrische Schichten (15)
Diamantartiger Kohlenstoff (17)
Kohlenstoff-Kohlenstoff-, Keramik- und Metall-"Matrix"-"Verbundwerkstoffe" Dielektrische Schichten (15)
Gesintertes Wolframkarbid (16), Siliziumkarbid Dielektrische Schichten (15)
Molybdän und Molybdänlegierungen Dielektrische Schichten (15)
Beryllium und Berylliumlegierungen Dielektrische Schichten (15)
Werkstoffe oder Materialien für Sensorenfenster (9) Dielektrische Schichten (15)
Diamantartiger Kohlenstoff (17)
B.3. PVD-Beschichten: "Laser"-Verdampfung Keramik (19) und Glas mit niedriger Wärmeausdehnung (14) Silicide
Dielektrische Schichten (15)
Diamantartiger Kohlenstoff (17)
Kohlenstoff-Kohlenstoff-, Keramik- und Metall-"Matrix"-"Verbundwerkstoffe" Dielektrische Schichten (15)
Gesintertes Wolframkarbid (16), Siliziumkarbid Dielektrische Schichten (15)
Molybdän und Molybdänlegierungen Dielektrische Schichten (15)
Beryllium und Berylliumlegierungen Dielektrische Schichten (15)
Werkstoffe oder Materialien für Sensorenfenster (9) Dielektrische Schichten (15)
Diamantartiger Kohlenstoff
B.4. PVD-Beschichten: Kathodenzerstäubung durch Bogenentladung (Arc-Verdampfen) "Superlegierungen" Legierte Silicide
Legierte Aluminide (2)
MCrAlX (5)
Polymer (11) und "Verbundwerkstoffe" mit organischer "Matrix" Boride
Karbide
Nitride
Diamantartiger Kohlenstoff (17)
C. Pack-Beschichten [Pack-Beschichten ohne direkten Pulverkontakt (out-of-pack) (10) : siehe oben unter A] Kohlenstoff-Kohlenstoff-, Keramik- und Metall-"Matrix"-"Verbundwerkstoffe" Silicide
Karbide
Mischschichten daraus (4)
Titanlegierungen (13) Silicide
Aluminide
Legierte Aluminide (2)
Hochschmelzende Metalle und Legierungen (8) Silicide
Oxide
D. Plasmaspritzen "Superlegierungen" MCrAlX (5)
modifiziertes Zirkoniumdioxid (12)
Mischschichten daraus (4)
Nickel-Grafit-Einlaufbeläge
Ni-Cr-Al-haltige Einlaufbeläge
Al-Si-Polyester-Einlaufbeläge
Legierte Aluminide (2)
Aluminiumlegierungen (6) MCrAlX (5)
modifiziertes Zirkoniumdioxid (12)
Silicide
Mischschichten daraus (4)
Hochschmelzende Metalle und Legierungen (8) Aluminide
Silicide
Karbide
Korrosionsbeständiger Stahl (7) MCrAlX (5)
modifiziertes Zirkoniumdioxid (12)
Mischschichten daraus (4)
Titanlegierungen (13) Karbide
Aluminide
Silicide
Legierte Aluminide (2)
Nickel-Grafit-Einlaufbeläge
Ni-Cr-Al-haltige Einlaufbeläge
Al-Si-Polyester-Einlaufbeläge
E. Schlickerbeschichten Hochschmelzende Metalle und Legierungen (8) Aufgeschmolzene Silicide
Aufgeschmolzene Aluminide, ausgenommen für Widerstandsheizelemente
Kohlenstoff-Kohlenstoff-, Keramik- und Metall-"Matrix"-"Verbundwerkstoffe" Silicide
Karbide
Mischschichten daraus (4)
F. Kathodenzerstäubungsbeschichtung (Sputtern/Aufstäuben) "Superlegierungen" Legierte Silicide
Legierte Aluminide (2)
Mit Edelmetallen modifizierte Aluminide (3)
MCrAlX (5)
modifiziertes Zirkoniumdioxid (12)
Platin
Mischschichten daraus (4)
Keramik und Glas mit niedriger Wärmeausdehnung (14) Silicide
Platin
Mischschichten daraus (4)
Dielektrische Schichten (15)
Diamantartiger Kohlenstoff (17)
Titanlegierungen (13) Boride
Nitride
Oxide
Silicide
Aluminide
Legierte Aluminide (2)
Karbide
Kohlenstoff-Kohlenstoff-, Keramik- und Metall-"Matrix"-"Verbundwerkstoffe" Silicide
Karbide
Hochschmelzende Metalle
Mischschichten daraus (4)
Dielektrische Schichten (15)
Bornitrid
Gesintertes Wolframkarbid (16), Siliziumkarbid (18) Karbide
Wolfram
Mischschichten daraus (4)
Dielektrische Schichten (15)
Bornitrid
Molybdän und Molybdänlegierungen Dielektrische Schichten (15)
Beryllium und Berylliumlegierungen Boride
Dielektrische Schichten (15)
Beryllium
Werkstoffe oder Materialien für Sensorenfenster (9) Dielektrische Schichten (15)
Diamantartiger Kohlenstoff (17)
Hochschmelzende Metalle und Legierungen (8) Aluminide
Silicide
Oxide
Karbide
G. Ionenimplantation Hochwarmfeste Lagerstähle Zusatz von Chrom, Tantal oder Niob (Columbium)
Titanlegierungen (13) Boride
Nitride
Beryllium und Berylliumlegierungen Boride
Gesintertes Wolframkarbid (16) Karbide
Nitride
*) Die in Klammern gesetzten Ziffern verweisen auf nachstehende Anmerkungen zu dieser Tabelle.

Anmerkungen zur Tabelle - Abscheidungsverfahren

1. Die 'Beschichtungsverfahren' schließen das Ausbessern und Erneuern von Schichten ebenso ein wie die Originalbeschichtung.

2. 'Legierte Aluminid'-Beschichtung schließt das Beschichten nach Einzel- oder Mehrschrittverfahren ein, bei denen ein oder mehrere Elemente vor oder während des Aufbringens der Aluminid-Schicht abgeschieden werden, selbst wenn diese Elemente nach einem anderen Beschichtungsverfahren aufgebracht werden. Es schließt jedoch nicht die mehrfache Anwendung von Einzelschritt-Packbeschichtungsverfahren zur Erzielung von legierten Aluminid-Schichten ein.

3. 'Mit Edelmetallen modifizierte Aluminid'-Beschichtung schließt die Mehrschrittbeschichtungen ein, bei denen das Edelmetall oder die Edelmetalle vor der Aluminid-Schicht durch ein anderes Beschichtungsverfahren aufgebracht wird/werden.

4. Der Ausdruck 'Mischschichten daraus' schließt infiltrierten Werkstoff, abgestufte Zusammensetzungen, Simultanabscheidungen und Mehrschichten-Abscheidungen ein. Sie werden durch Anwendung eines oder mehrerer der in der Tabelle aufgeführten Beschichtungsverfahren hergestellt.

5. 'MCrAlX' bezieht sich auf eine Beschichtungslegierung, bei der 'M' für Cobalt, Eisen, Nickel oder Kombinationen aus diesen Elementen und 'X' für Hafnium, Yttrium, Silizium, Tantal in jeder gewünschten Menge oder für sonstige beabsichtigte Zusätze über 0,01 Masseprozent in unterschiedlichen Verhältnissen und Mischungen steht, ausgenommen:

  1. CoCrAlY-Schichten, die weniger als 22 Masseprozent Chrom, weniger als 7 Masseprozent Aluminium und weniger als 2 Masseprozent Yttrium enthalten,
  2. CoCrAlY-Schichten, die 22 bis 24 Masseprozent Chrom, 10 bis 12 Masseprozent Aluminium und 0,5 bis 0,7 Masseprozent Yttrium enthalten oder
  3. NiCrAlY-Schichten, die 21 bis 23 Masseprozent Chrom, 10 bis 12 Masseprozent Aluminium und 0,9 bis 1,1 Masseprozent Yttrium enthalten.

6. 'Aluminiumlegierungen' beziehen sich auf Legierungen mit einer Zugfestigkeit von 190 MPa oder mehr, gemessen bei einer Temperatur von 293 K (20 °C).

7. 'Korrosionsbeständige Stähle' beziehen sich auf Stähle der AISI-Nummernreihe 300 (AISI = American Iron and Steel Institute) oder Stähle vergleichbarer nationaler Normen.

8. 'Hochschmelzende Metalle und Legierungen' schließen die folgenden Metalle und ihre Legierungen ein: Niob (Columbium), Molybdän, Wolfram und Tantal.

9. 'Werkstoffe oder Materialien für Sensorenfenster' wie folgt: Aluminiumoxid, Silizium, Germanium, Zinksulfid, Zinkselenid, Galliumarsenid, Diamant, Galliumphosphid, Saphir und die folgenden Metallhalogenide: Werkstoffe oder Materialien für Sensorenfenster mit einem Durchmesser von mehr als 40 mm bei Zirkoniumfluorid und Hafniumfluorid.

10. Kategorie 2 erfasst nicht die "Technologie" für das Pack-Beschichten im Einzelschrittverfahren von massiven Turbinenschaufelblättern.

11. 'Polymere' wie folgt: Polyimid, Polyester, Polysulfid, Polycarbonate und Polyurethane.

12. 'Modifiziertes Zirkoniumdioxid' bezieht sich auf Zirkoniumdioxid mit Zusätzen von anderen Metalloxiden (z.B. Calciumoxid, Magnesiumoxid, Yttriumoxid, Hafniumoxid, Seltenerdoxide) zur Stabilisierung bestimmter Kristallphasen und Phasenzusammensetzungen. Wärmedämmschichten aus Zirkoniumdioxid, das durch Mischung oder Verschmelzung mit Calciumoxid oder Magnesiumoxid modifiziert wurde, werden nicht erfasst.

13. 'Titanlegierungen' beziehen sich nur auf in der Luft- und Raumfahrt verwendete Legierungen, die über eine Zugfestigkeit von 900 MPa oder mehr verfügen, gemessen bei einer Temperatur von 293 K (20 °C).

14. 'Glas mit niedriger Wärmeausdehnung' bezieht sich auf Glas mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten von 1 × 10-7 K-1 oder weniger, gemessen bei einer Temperatur von 293 K (20 °C).

15. 'Dielektrische Schichten' sind Mehrfachschichten aus Isolierstoffen, wobei die Interferenzeigenschaften eines Schichtsystems, das aus Werkstoffen oder Materialien mit unterschiedlichem Brechungsindex besteht, zur Reflexion, Transmission oder Absorption von Wellen verschiedener Längenbereiche verwendet werden. 'Dielektrische Schichten' bestehen aus mehr als vier dielektrischen Lagen oder mehr als vier Dielektrikum/Metall-"Verbundwerkstoff" lagen.

16. 'Gesintertes Wolframkarbid' bezieht sich nicht auf Werkstoffe oder Materialien für Schneid- und Formwerkzeuge aus Wolframkarbid/(Cobalt, Nickel), Titankarbid/(Cobalt, Nickel), Chromkarbid/Nickel-Chrom und Chromkarbid/Nickel.

17. "Technologie" für das Abscheiden von diamantartigem Kohlenstoff auf den folgenden Gegenständen, unterliegt nicht der Ausfuhrgenehmigungspflicht:

Festplatten und Festplattenköpfe, Ausrüstung für die Herstellung von Einwegartikeln, Ventile für Wasserhähne, Lautsprechermembranen, Teile für Automobilmotoren, spangebende Werkzeuge, Stanz- und Presswerkzeuge, Ausrüstung für Büroautomation, Mikrofone, medizinische Geräte oder Formen für das Gießen oder Spritzen von Plastik, wenn sie aus Legierungen hergestellt sind, die weniger als 5 % Beryllium enthalten.

18. 'Siliziumkarbid' schließt nicht Materialien für spanende und umformende Werkzeuge ein.

19. Keramiksubstrate, wie sie in dieser Position benutzt werden, beinhalten nicht Keramikmaterialien mit einem Anteil größer/gleich 5 Gew.-% an Lehm oder Bindemittel als separater Bestandteil oder als Kombination.

Technische Anmerkungen zur Tabelle - Abscheidungsverfahren

Die in Spalte 1 der Tabelle angegebenen Verfahren sind wie folgt definiert:

  1. Chemische Beschichtung aus der Gasphase (CVD-Beschichten) ist ein Verfahren zum Aufbringen von Auflageschichten oder oberflächenverändernden Schichten, bei dem ein Metall, eine Legierung, ein "Verbundwerkstoff", ein Dielektrikum oder Keramik auf einem erhitzten Substrat abgeschieden wird. Gasförmige Reaktanten werden im oberflächennahen Bereich eines Substrats zersetzt oder verbunden, wobei der gewünschte Schichtstoff als Element, Legierung oder Verbindung auf dem Substrat abgeschieden wird. Die für die Zersetzung oder chemische Reaktion benötigte Energie wird entweder durch die Hitze des Substrats, durch die elektrische Entladung in einem Glimmlichtplasma oder durch "Laserstrahlen" geliefert.
    Anmerkung 1 Das CVD-Beschichten schließt folgende Verfahren ein: Abscheidung mittels gerichtetem Gasfluss ohne direkten Pulverkontakt des Substrats (out of pack), CVD-Beschichten mit pulsierendem Druck, thermische Zersetzung mit geregelter Keimbildung (CNTD), plasmaverstärktes oder -unterstütztes CVD-Beschichten.

    Anmerkung 2 Pack-Beschichten bedeutet, dass ein Substrat in ein Pulvergemisch eingebettet wird.

    Anmerkung 3 Die beim Out-of-Pack-Verfahren verwendeten gasförmigen Reaktanten werden mit denselben Hauptreaktionen und Parametern erzeugt wie beim Pack-Beschichten, mit der Ausnahme, dass das zu beschichtende Substrat keinen Kontakt mit dem Pulvergemisch hat.

  2. Physikalische Beschichtung aus der Gasphase durch thermisches Verdampfen (TE-PVD = thermal evaporation physical vapour deposition) ist ein Beschichtungsverfahren zur Herstellung von Auflageschichten in einem Vakuum bei einem Druck von weniger als 0,1 Pa, wobei Wärmeenergie zum Verdampfen des Schichtwerkstoffes eingesetzt wird. Bei diesem Verfahren wird das dampfförmige Beschichtungsmaterial durch Kondensation oder Abscheidung auf entsprechend positionierten Substraten aufgebracht.

    Die Zufuhr von Gasen in die Vakuumkammer während des Beschichtungsvorgangs zum Zwecke der Synthese von zusammengesetzten Schichten ist eine übliche Variante dieses Verfahrens.

    Die Verwendung von Ionen- oder Elektronenstrahlen oder von Plasma zur Einleitung oder Förderung des Abscheidungsvorgangs ist ebenfalls eine übliche Variante dieses Verfahrens. Der Einsatz von Monitoren zur Messung der optischen Eigenschaften und der Schichtdicke während des Beschichtungsvorgangs kann ein Merkmal dieser Verfahren sein.

    Spezifische TE-PVD-Verfahren sind folgende:

    1. Beim PVD-Beschichten mittels Elektronenstrahl wird das Beschichtungsmaterial mittels Elektronenstrahl erhitzt und verdampft.
    2. Beim PVD-Beschichten mittels ionenunterstützter Widerstandsheizung werden Heizquellen mit elektrischem Widerstand in Kombination mit auftreffendem(n) Ionenstrahl(en) verwendet, mit dem ein kontrollierter und gleichmäßiger Fluss aus verdampftem Beschichtungsmaterial erzeugt wird.
    3. Bei der "Laser"-Verdampfung werden zum Verdampfen des Beschichtungsmaterials Impuls-"laser" oder Dauerstrich-"Laser" verwendet.
    4. Bei der Kathodenzerstäubung durch Bogenentladung (Arc-Verdampfen) wird eine selbstverzehrende Kathode verwendet, die aus dem Beschichtungsmaterial besteht. Dabei wird durch den Momentkontakt einer geerdeten Zündelektrode auf der Kathodenoberfläche eine Lichtbogenentladung ausgelöst. Durch die kontrollierte Bewegung des Lichtbogens wird die Kathodenoberfläche abgetragen, wobei ein hochionisiertes Plasma entsteht. Als Anode kann entweder ein am Rande der Kathode über einem Isolator angebrachter Kegel oder die Kammer selbst verwendet werden. Bei nicht geradliniger Abscheidung wird an das Substrat eine Vorspannung angelegt.
      Anmerkung: Diese Definition beinhaltet nicht die Kathodenzerstäubungsabscheidung mit unkontrollierter Bogenentladung und Substraten ohne Vorspannung.
    5. Ionenplattieren ist eine spezielle Variante eines allgemeinen TE-PVD-Verfahrens, bei dem ein Plasma oder eine Ionenquelle zur Ionisierung des Beschichtungsmaterials verwendet und an das Substrat eine negative Vorspannung angelegt wird, um die Abscheidung des Beschichtungsmaterials aus dem Plasma zu fördern. Die Einbringung von reaktiven Stoffen, die Verdampfung von Feststoffen im Reaktionsbehälter und der Einsatz von Monitoren zur Messung der optischen Eigenschaften und der Schichtdicke während des Beschichtungsvorgangs sind übliche Varianten dieses Verfahrens.
  3. Pack-Beschichten ist ein Verfahren zur Herstellung von oberflächenverändernden Schichten oder Auflageschichten, bei dem das Substrat in ein Pulvergemisch eingebettet wird, das aus folgenden Stoffen besteht:
    1. den Metallpulvern, die abgeschieden werden sollen (normalerweise Aluminium, Chrom, Silizium oder Gemische daraus),
    2. einem Aktivator (normalerweise einem Halogenid) und
    3. einem inerten Pulver, in der Regel Aluminiumoxid.

    Das Substrat und das Pulvergemisch befinden sich in einer Retorte, die auf eine Temperatur zwischen 1.030 K (757 °C) und 1.375 K (1.102 °C) erhitzt wird, wobei die Haltezeit ausreichend bemessen sein muss, um die Beschichtung abzuscheiden.

  4. Plasmaspritzen ist ein Verfahren zur Herstellung von Auflageschichten, wobei mit einer Plasmaspritzpistole, die ein Plasma erzeugt und regelt, Spritzwerkstoffe in Pulver- oder Drahtform aufgenommen, aufgeschmolzen und auf die Oberfläche des Substrats geschleudert werden. Dabei entsteht auf dem Substrat eine homogene, gut haftende Schicht. Plasmaspritzen bezieht sich auf Niederdruckplasmaspritzen oder Hochgeschwindigkeitsplasmaspritzen.
    Anmerkung 1 Niederdruck bezeichnet einen Druck unterhalb des normalen Atmosphärendrucks.

    Anmerkung 2 Hochgeschwindigkeit bezieht sich auf eine Gasgeschwindigkeit am Düsenaustritt von mehr als 750 m/s bei einer Temperatur von 293 K (20 °C) und einem Druck von 0,1 MPa.

  5. Schlickerbeschichten (Aufbringen von Schichten durch Aufschlämmen) ist ein Verfahren zur Herstellung von oberflächenverändernden Schichten oder Auflageschichten, bei dem ein Metall- oder Keramikpulver zusammen mit einem organischen Binder in einer Flüssigkeit suspendiert und durch Aufspritzen, Tauchen oder Aufpinseln auf ein Substrat aufgebracht wird. Die gewünschte Schicht wird anschließend durch Luft- oder Ofentrocknung und Wärmebehandlung gebildet.
  6. Kathodenzerstäubungsbeschichtung (Sputtern/Aufstäuben) ist ein Verfahren zur Herstellung von Auflageschichten, das auf dem Prinzip der Impulsübertragung beruht. Dabei werden positiv geladene Ionen mit Hilfe eines elektrischen Feldes auf die Oberfläche eines Targets (Beschichtungsmaterial) geschossen. Die Bewegungsenergie der auftreffenden Ionen reicht aus, um Atome aus der Oberfläche des Targets herauszulösen, die sich auf einem entsprechend angebrachten Substrat niederschlagen.
    Anmerkung 1: Die Tabelle bezieht sich ausschließlich auf das Abscheiden mittels Trioden- oder Magnetronanlagen oder reaktivem Aufstäuben, wodurch die Haftfestigkeit der Schicht und die Beschichtungsrate erhöht werden, sowie auf das beschleunigte Aufstäuben mittels einer am Target anliegenden HF-Spannung, wodurch nichtmetallische Schichtwerkstoffe zerstäubt werden können.

    Anmerkung 2: Ionenstrahlen mit niedriger Energie (weniger als 5 keV) können verwendet werden, um die Abscheidung zu aktivieren.

  7. Ionenimplantation ist ein oberflächenveränderndes Beschichtungsverfahren, bei dem das zu legierende Element ionisiert, durch ein Spannungsgefälle beschleunigt und in die Oberfläche des Substrats implantiert wird. Dies schließt Verfahren ein, bei denen neben der Ionenimplantation gleichzeitig das PVD-Beschichten mittels Elektronenstrahl und das Sputtern/Aufstäuben zur Anwendung kommen.

Kategorie 3
Allgemeine Elektronik

3A Systeme, Ausrüstung und Bestandteile

Anmerkung 1: Die Erfassung der in den Nummern 3A001 oder 3A002 - ohne die Unternummern 3A001a3 bis 3A001a10, 3A001a12 oder 3A001a14 - beschriebenen Ausrüstung, Baugruppen und Bauelemente, die besonders konstruiert sind oder dieselben Funktionsmerkmale wie andere Waren aufweisen, richtet sich nach deren Erfassungsstatus.

Anmerkung 2: Die Erfassung der in den Unternummern 3A001a3 bis 3A001a9, 3A001a12 oder 3A001a14 beschriebenen integrierten Schaltungen, die festprogrammiert sind oder für eine bestimmte Funktion entwickelt wurden, richtet sich nach dem Erfassungsstatus der Waren, in denen sie verwendet werden.

Anmerkung: Wenn der Hersteller oder Ausführer den Erfassungsstatus der anderen für die Endbenutzung vorgesehenen Ware nicht festlegen kann, richtet sich die Erfassung der integrierten Schaltungen nach den Unternummern 3A001a3 bis 3A001a9, 3A001a12 und 3A001a14.

3A001 Elektronische Bauelemente und Baugruppen (items) wie folgt:

  1. integrierte Schaltungen für allgemeine Anwendungen wie folgt:
    Anmerkung 1: Die Erfassung von (fertigen oder noch nicht fertigen) Wafern, deren Funktion festliegt, richtet sich nach den Parametern von Unternummer 3A001a.

    Anmerkung 2: Zu den integrierten Schaltungen gehören:

    • "monolithisch integrierte Schaltungen",
    • "integrierte Hybrid-Schaltungen",
    • "integrierte Multichip-Schaltungen",
    • "integrierte Schichtschaltungen" einschließlich integrierter Schaltungen in SOS-Technologie,
    • "integrierte optische Schaltungen",
    • "dreidimensionale integrierte Schaltungen",
    • "monolithisch integrierte Mikrowellenschaltungen" ("MMICs").
    1. integrierte Schaltungen, entwickelt oder ausgelegt für eine der folgenden Strahlungsfestigkeiten:
      1. Gesamtdosis größer/gleich 5 × 103 Gy (Silizium),
      2. Dosisrate größer/gleich 5 × 106 Gy (Silizium)/s, oder
      3. integrierter Teilchenfluss (integrated flux) der Neutronen (1 MeV-Äquivalent) größer/gleich 5 × 1013 n/cm2 bezogen auf Silizium oder der äquivalente Wert für andere Materialien,
        Anmerkung: Unternummer 3A001a1c erfasst nicht Metall/Isolator/Halbleiter-Strukturen (MIS-Strukturen).
    2. "Mikroprozessoren", "Mikrocomputer", Mikrocontroller, elektrisch löschbare, programmierbare Festwertspeicher (EEPROMs), Flash-Speicher, statische Schreib-Lese-Speicher (SRAM), magnetische Schreib-Lese-Speicher (MRAM), aus einem Verbindungshalbleiter hergestellte integrierte Speicherschaltungen, Analog-Digital-Wandler, integrierte Schaltungen, die Analog-Digital-Wandler enthalten und die digitalisierten Daten speichern oder verarbeiten, Digital-Analog-Wandler, elektrooptische oder "integrierte optische Schaltungen" für die "Signaldatenverarbeitung", anwenderprogrammierbare Logikschaltkreise (FPLDs), kundenspezifische integrierte Schaltungen, deren Funktion oder deren Erfassungsstatus in Bezug auf die Endbenutzergeräte unbekannt ist, oder FFT-Prozessoren (Fast Fourier Transform) mit einer der folgenden Eigenschaften:
      1. ausgelegt für eine Betriebstemperatur über 398 K (125 °C),
      2. ausgelegt für eine Betriebstemperatur unter 218 K (- 55 °C) oder
      3. ausgelegt für einen Betriebstemperaturbereich von 218 K (- 55 °C) bis 398 K (125 °C),
        Anmerkung: Unternummer 3A001a2 erfasst keine integrierten Schaltungen für zivile Kraftfahrzeuge oder Eisenbahnzüge.
    3. "Mikroprozessoren", "Mikrocomputer" und Mikrocontroller, hergestellt aus einem Verbindungshalbleiter und mit einer Taktfrequenz größer als 40 MHz,
      Anmerkung: Unternummer 3A001a3 schließt digitale Signal-Prozessoren, Vektorprozessoren und Coprozessoren ein.
    4. nicht belegt,
    5. Integrierte Schaltungen von Analog-Digital-Wandlern (Analogue-to-Digital Converters, ADCs) und Digital-Analog-Wandlern (Digital-to-Analogue Converters, DACs) wie folgt:
      1. ADCs mit einer der folgenden Eigenschaften:
        Anmerkung: SIEHE AUCH NUMMER 3A101.
        1. Auflösung größer/gleich 8 bit, aber kleiner als 10 bit, mit einer Ausgaberate größer als 1,3 Gigasamples pro Sekunde (GSPS),
        2. Auflösung größer/gleich 10 bit, aber kleiner als 12 bit, mit einer Ausgaberate größer als 600 Megasamples pro Sekunde (MSPS),
        3. Auflösung größer/gleich 12 bit, aber kleiner als 14 bit, mit einer Ausgaberate größer als 400 Megasamples pro Sekunde (MSPS),
        4. Auflösung größer/gleich 14 bit, aber kleiner als 16 bit, mit einer Ausgaberate größer als 250 Megasamples pro Sekunde (MSPS), oder
        5. Auflösung größer/gleich 16 bit, mit einer Ausgaberate größer als 65 Megasamples pro Sekunde (MSPS).
        Anmerkung: Für integrierte Schaltungen, die Analog-Digital-Wandler enthalten und die digitalisierten Daten speichern oder verarbeiten, siehe Unternummer 3A001a14.

        Technische Anmerkungen:

        1. Eine Auflösung von n Bit entspricht einer Quantisierung von 2n Zuständen.
        2. Die Anzahl der Bits im Ausgabewort ist gleich der Auflösung des ADC.
        3. Die Ausgaberate ist die maximale Ausgaberate des Wandlers, ungeachtet der Architektur oder der Übertastung (oversampling).
        4. Bei 'Mehrkanal-ADCs' werden die Ausgänge nicht zusammengefasst (aggregated). Die Ausgaberate ist die maximale Ausgangsrate eines jeden einzelnen Kanals.
        5. Bei 'Interleaved-ADCs' oder bei 'Mehrkanal-ADCs', die auch für den Interleaved-Modus spezifiziert sind, werden die Ausgänge zusammengefasst (aggregated). Die Ausgaberate ist die maximale Gesamtausgaberate (maximum combined total output rate) aller Ausgänge.
        6. Anbieter können die Ausgaberate auch als Abtastrate (sampling rate), Wandlungsrate (conversion rate) oder Durchsatzrate (throughput rate) bezeichnen. Sie wird oft in Megahertz (MHz), Megawörtern pro Sekunde oder Megasample pro Sekunde (MSPS) angegeben.
        7. Zum Zwecke der Messung der Ausgaberate entspricht ein Sample pro Sekunde einem Hertz oder einem Datenwort pro Sekunde.
        8. 'Mehrkanal-ADCs' (multiple channel ADCs) sind Wandler, die mehr als einen ADC enthalten und so konstruiert sind, dass jeder ADC einen separaten Analogeingang hat.
        9. 'Interleaved-ADCs' sind Wandlerschaltungen, die mehrere ADC-Einheiten enthalten, welche jeweils denselben Analogeingang zu unterschiedlichen Zeitpunkten abtasten. Werden die Ausgänge zusammengefasst (aggregated), erhält man eine effektive Abtastung und eine Wandlung bei einer höheren Abtastrate (sampling rate).
      2. DACs mit einer der folgenden Eigenschaften:
        1. Auflösung größer/gleich 10 bit und 'angepasste Update-Rate' größer als 3.500 MSPS oder
        2. Auflösung größer/gleich 12 bit und 'angepasste Update-Rate' größer als 1.250 MSPS, mit einer der folgenden Eigenschaften:
          1. "Einstellzeit" von Vollaussteuerung (full scale) auf 0,024 % der Vollaussteuerung kleiner als 9 ns oder
          2. 'Störungsfreier Dynamikbereich' größer 68 dBc (Träger) bei der Erzeugung eines vollausgesteuerten (full scale) Analogsignals von 100 MHz oder der höchsten spezifizierten Frequenz kleiner als 100 MHz für die Erzeugung des vollausgesteuerten (full scale) Analogsignals.
      Technische Anmerkungen:
      1. 'Störungsfreier Dynamikbereich' (spurious free dynamic range, SFDR) ist das Verhältnis des Effektivwertes (RMS value) der Trägerfrequenz (maximale Signalkomponente) am Eingang des DAC zum Effektivwert (RMS value) der nächstgrößeren Rausch- oder Oberwellenkomponente an seinem Ausgang.
      2. Der SFDR wird direkt durch die Tabelle der technischen Daten oder das Diagramm des SFDR über der Frequenz bestimmt.
      3. Ein Signal gilt als vollausgesteuert (full scale), wenn seine Amplitude größer als - 3 dBfs (full scale) ist.
      4. 'Angepasste Update-Rate' (adjusted update rate) für DACs:
        1. Bei konventionellen (nicht interpolierenden) DACs ist die 'angepasste Update-Rate' die Rate, bei welcher das Digitalsignal in ein Analogsignal gewandelt wird und die Analogwerte am Ausgang durch den DAC verändert werden. DACs, bei denen der Interpolationsmodus umgangen werden kann (Interpolationsfaktor gleich Eins), werden als konventionelle (nicht interpolierende) DACs angenommen.
        2. Bei interpolierenden DACs (Oversampling DACs) ist die 'angepasste Update-Rate' die Update Rate des DAC geteilt durch den kleinsten Interpolationsfaktor. Bei interpolierenden DACs kann die 'angepasste Update-Rate' auch anders genannt sein, einschließlich:
          • Eingangsdatenrate (input data rate)
          • Eingangswortrate (input word rate)
          • Eingangsabtastrate (input sample rate)
          • maximale Gesamteingangsbusrate (maximum total input bus rate)
          • maximale DAC-Taktrate für den DAC-Takteingang (maximum DAC clock rate for DAC clock input).
    6. Elektrooptische oder "integrierte optische Schaltungen", entwickelt für die "Signaldatenverarbeitung" und mit allen folgenden Eigenschaften:
      1. mit einer oder mehreren internen "Laser"-Diode(n),
      2. mit einem oder mehreren internen lichtempfindlichen Element(en) und
      3. mit optischen Strahlführungselementen.
    7. Anwenderprogrammierbare Logikschaltkreise (FPLDs) mit einer der folgenden Eigenschaften:
      1. maximale Anzahl digitaler single-ended Ein-/Ausgaben größer als 700 oder
      2. 'aggregierte serielle Spitzendatenrate des Transceivers bei Einwegübertragung' größer/gleich 500 Gb/s;
      Anmerkung: Unternummer 3A001a7 schließt ein:
      • SPLDs (Simple Programmable Logic Devices),
      • CPLDs (Complex Programmable Logic Devices),
      • FPGAs (Field Programmable Gate Arrays),
      • FPLAs (Field Programmable Logic Arrays),
      • FPICs (Field Programmable Interconnects).

      Anmerkung: Für integrierte Schaltungen, bei denen anwenderprogrammierbare Logikschaltkreise mit einem Analog-Digital-Wandler kombiniert sind, siehe Unternummer 3A001a14.

      Technische Anmerkungen:

      1. Die maximale Anzahl der digitalen Ein-/Ausgänge in Unternummer 3A001a7a wird auch als die maximale Anzahl der Benutzer-Ein-/Ausgänge oder der verfügbaren Ein-/Ausgänge bezeichnet, unabhängig davon, ob der integrierte Schaltkreis gehäust ist oder als Chip vorliegt.
      2. Die 'aggregierte serielle Spitzendatenrate des Transceivers bei Einwegübertragung' ist das Produkt der seriellen Datenübertragungsrate des Transceivers bei Einwegübertragung multipliziert mit der Anzahl der Transceiver auf dem FPGA.
    8. nicht belegt,
    9. integrierte Schaltungen für neuronale Netze,
    10. kundenspezifische integrierte Schaltungen, deren Funktion unbekannt ist oder deren Erfassungsstatus in Bezug auf die Endbenutzergeräte dem Hersteller nicht bekannt ist, mit einer der folgenden Eigenschaften:
      1. mehr als 1.500 Anschlüsse,
      2. typische "Signallaufzeit des Grundgatters" (basic gate propagation delay time) kleiner als 0,02 ns oder
      3. Betriebsfrequenz größer als 3 GHz,
    11. andere als die in den Unternummern 3A001a3 bis 3A001a10 oder 3A001a12 beschriebenen digitalen, integrierten Schaltungen, die auf einem Verbindungshalbleiter basieren und eine der folgenden Eigenschaften aufweisen:
      1. Gatteräquivalent (equivalent gate count) größer als 3.000 (Gatter mit zwei Eingängen) oder
      2. Umschalt-Frequenz (toggle frequency) größer als 1,2 GHz,
    12. FFT-Prozessoren (Fast Fourier Transform), ausgelegt für eine komplexe FFT mit n Punkten in weniger als n × log2n/20 480 ms,
      Technische Anmerkung: Wenn n gleich 1.024 ist, dann ergibt die Formel in Unternummer 3A001a12 eine Berechnungszeit von 500 µs.
    13. Integrierte Schaltungen für Direct Digital Synthesizer (DDS) mit einer der folgenden Eigenschaften:
      1. Digital-Analog-Wandler-(DAC)-Traktfrequenz größer/gleich 3,5 GHz und eine DAC-Auflösung größer/gleich 10 bit, aber kleiner als 12 bit oder
      2. DAC-Taktfrequenz größer/gleich 1,25 GHz und eine DAC-Auflösung größer/gleich 12 bit,
      Technische Anmerkung: Die DAC-Taktfrequenz kann als die Taktgeberfrequenz oder die Eingangstaktfrequenz spezifiziert werden.
    14. Integrierte Schaltungen, die folgende Operationen ausführen können:
      1. Analog-Digital-Umwandlungen mit einer der folgenden Eigenschaften:
        1. Auflösung größer/gleich 8 bit, aber kleiner als 10 bit, mit einer Eingangsabtastrate (input sample rate) größer als 1,3 Gigasamples pro Sekunde (GSPS),
        2. Auflösung größer/gleich 10 bit, aber kleiner als 12 bit, mit einer Eingangsabtastrate (input sample rate) größer als 1,0 Gigasamples pro Sekunde (GSPS),
        3. Auflösung größer/gleich 12 bit, aber kleiner als 14 bit, mit einer Eingangsabtastrate (input sample rate) größer als 1,0 Gigasamples pro Sekunde (GSPS),
        4. Auflösung größer/gleich 14 bit, aber kleiner als 16 bit, mit einer Eingangsabtastrate (input sample rate) größer als 400 Megasamples pro Sekunde (MSPS) oder
        5. Auflösung größer/gleich 16 bit, mit einer Eingangsabtastrate (input sample rate) größer als 180 Megasamples pro Sekunde (MSPS) und
      2. eine der folgenden Operationen:
        1. Speicherung digitalisierter Daten oder
        2. Verarbeitung digitalisierter Daten.
    Anmerkung 1: Für integrierte Analog-Digital-Wandlerschaltungen siehe Unternummer 3A001a5a.

    Anmerkung 2: Für anwenderprogrammierbare Logikschaltkreise siehe Unternummer 3A001a7.

  2. Mikro- oder Millimeterwellenbauelemente (items) wie folgt:
    Technische Anmerkungen:
    1. Im Sinne der Unternummer 3A001b kann der Parameter Spitzensättigungsausgangsleistung auf Produktdatenblättern auch als Ausgangsleistung, Sättigungsausgangsleistung, Höchstausgangsleistung, Spitzenausgangsleistung oder Hüllkurvenspitzenleistung bezeichnet werden.
    2. Im Sinne der Unternummer 3A001b1 sind 'elektronische Vakuumbauelemente' elektronische Geräte, die auf der Wechselwirkung eines Elektronenstrahls mit einer elektromagnetischen Welle beruhen, die sich in einem Vakuumkreis (vacuum circuit) ausbreiten, oder mit Radiofrequenz-Vakuumhohlraumresonatoren zusammenwirken. Zu 'elektronischen Vakuumbauelementen' gehören Klystrone, Wanderfeldröhren und davon abgeleitete Geräte.
    1. 'elektronische Vakuumbauelemente' und Kathoden wie folgt:
      Anmerkung 1: Unternummer 3A001b1 erfasst nicht 'elektronische Vakuumbauelemente', entwickelt oder ausgelegt für den Betrieb in einem Frequenzband mit allen folgenden Eigenschaften:
      1. Das Frequenzband überschreitet nicht 31,8 GHz und
      2. ist "von der ITU zugewiesen" für Funkdienste, jedoch nicht für Ortungsfunkdienste.

      Anmerkung 2: Unternummer 3A001b1 erfasst keine nicht "weltraumgeeigneten"'elektronischen Vakuumbauelemente' mit allen folgenden Eigenschaften:

      1. mittlere Ausgangsleistung kleiner/gleich 50 W und
      2. entwickelt oder ausgelegt für den Betrieb in einem Frequenzband mit allen folgenden Eigenschaften:
        1. Das Frequenzband überschreitet 31,8 GHz, aber nicht 43,5 GHz und
        2. ist "von der ITU zugewiesen" für Funkdienste, jedoch nicht für Ortungsfunkdienste.
      1. 'elektronische Vakuumbauelemente' mit Wanderfeld, für Impuls- oder Dauerstrichbetrieb, wie folgt:
        1. Geräte, betrieben bei Frequenzen oberhalb 31,8 GHz,
        2. Geräte mit einer Kathodenheizung, die eine Einschaltzeit von weniger als 3 Sekunden bis zum Erreichen der HF-Nennleistung ermöglicht,
        3. hohlraumgekoppelte oder davon abgeleitete Geräte, mit einer "normierten Bandbreite" größer als 7 % oder einer Spitzenleistung größer als 2,5 kW,
        4. Geräte, die auf Schaltungen mit Wendelwellenleitern, gefalteten Wellenleitern oder schlangenlinienförmigen Wellenleitern basieren, oder davon abgeleitete Geräte mit einer der folgenden Eigenschaften:
          1. "Momentan-Bandbreite" größer als eine Oktave und Produkt der mittleren Leistung (in Kilowatt) und der Frequenz (in Gigahertz) größer als 0,5,
          2. "Momentan-Bandbreite" kleiner/gleich eine Oktave und Produkt der mittleren Leistung (in Kilowatt) und der Frequenz (in Gigahertz) größer als 1,
          3. "weltraumgeeignet"oder
          4. mit einer Elektronenkanone mit Gitterelektroden,
        5. Geräte, mit einer "normierten Bandbreite" größer/gleich 10 % mit einer der folgenden Eigenschaften:
          1. einem ringförmigen Elektronenstrahl,
          2. einem nicht rotationssymmetrischen Elektronenstrahl oder
          3. Mehrfach-Elektronenstrahlen,
      2. verstärkende 'elektronische Vakuumbauelemente' mit Cross-Field und einem Verstärkungsfaktor größer als 17 dB,
      3. thermionische Kathoden, entwickelt für 'elektronische Vakuumbauelemente', zur Erzeugung einer Emisssionsstromdichte größer als 5 A/cm2 bei Nenn-Betriebsbedingungen oder einer Impulsstromdichte (kein Dauerstrom) größer als 10 A/cm2 bei Nenn-Betriebsbedingungen,
      4. 'elektronische Vakuumbauelemente', die im 'Dualmodus' betrieben werden können,
        Technische Anmerkung: 'Dualmodus' bedeutet, dass beim Strahlstrom des 'elektronischen Vakuumbauelements' mithilfe eines Gitters wahlweise zwischen Dauerstrichbetrieb und Pulsbetrieb gewechselt werden kann, wobei die Puls-Spitzenausgangsleistung größer ist als die Dauerstrich-Spitzenausgangsleistung.
    2. "monolithisch integrierte "Mikrowellenverstärkerschaltungen" (MMIC-Verstärker) mit einer der folgenden Eigenschaften:
      Anmerkung: Für "MMIC"-Verstärker mit integriertem Phasenschieber siehe Unternummer 3A001b12.
      1. ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer als 2,7 GHz bis einschließlich 6,8 GHz, bei einer "normierten Bandbreite" (fractional bandwidth) größer als 15 % und mit einer der folgenden Eigenschaften:
        1. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 75 W (48,75 dBm) bei einer Frequenz größer als 2,7 GHz bis einschließlich 2,9 GHz,
        2. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 55 W (47,4 dBm) bei einer Frequenz größer als 2,9 GHz bis einschließlich 3,2 GHz,
        3. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 40 W (46 dBm) bei einer Frequenz größer als 3,2 GHz bis einschließlich 3,7 GHz oder
        4. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 20 W (43 dBm) bei einer Frequenz größer als 3,7 GHz bis einschließlich 6,8 GHz,
      2. ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer als 6,8 GHz bis einschließlich 16 GHz, bei einer "normierten Bandbreite" (fractional bandwidth) größer als 10 % und mit einer der folgenden Eigenschaften:
        1. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 10 W (40 dBm) bei einer Frequenz größer als 6,8 GHz bis einschließlich 8,5 GHz oder
        2. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 5 W (37 dBm) bei einer Frequenz größer als 8,5 GHz bis einschließlich 16 GHz,
      3. ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 3 W (34,77 dBm) bei einer Frequenz größer als 16 GHz bis einschließlich 31,8 GHz und einer "normierten Bandbreite" (fractional bandwidth) größer als 10 %,
      4. ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 0,1 nW (- 70 dBm) bei einer Frequenz größer als 31,8 GHz bis einschließlich 37 GHz,
      5. ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 1 W (30 dBm) bei einer Frequenz größer als 37 GHz bis einschließlich 43,5 GHz und einer "normierten Bandbreite" (fractional bandwidth) größer als 10 %,
      6. ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 31,62 mW (15 dBm) bei einer Frequenz größer als 43,5 GHz bis einschließlich 75 GHz und einer "normierten Bandbreite" (fractional bandwidth) größer als 10 %,
      7. ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 10 mW (10 dBm) bei einer Frequenz größer als 75 GHz bis einschließlich 90 GHz und einer "normierten Bandbreite" (fractional bandwidth) größer als 5 % oder
      8. ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 0,1 nW (- 70 dBm) bei einer Frequenz größer als 90 GHz,
      Anmerkung 1: Nicht belegt.

      Anmerkung 2: Der Erfassungsstatus von MMIC, deren Betriebsfrequenzbereich Frequenzen in mehr als einem der in Unternummer 3A001b2a bis 3A001b2h definierten Frequenzbereiche überstreicht, richtet sich nach dem niedrigsten Grenzwert für die Spitzensättigungsausgangsleistung.

      Anmerkung 3: Die Anmerkungen 1 und 2 in Nummer 3A bedeuten, dass die Unternummer 3A001b2 keine MMIC erfasst, die für andere Anwendungen besonders konstruiert sind, wie z.B. Telekommunikation, Radar, Kraftfahrzeuge.

    3. diskrete Mikrowellentransistoren mit einer der folgenden Eigenschaften:
      1. ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer als 2,7 GHz bis einschließlich 6,8 GHz mit einer der folgenden Eigenschaften:
        1. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 400 W (56 dBm) bei einer Frequenz größer als 2,7 GHz bis einschließlich 2,9 GHz,
        2. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 205 W (53,12 dBm) bei einer Frequenz größer als 2,9 GHz bis einschließlich 3,2 GHz,
        3. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 115 W (50,61 dBm) bei einer Frequenz größer als 3,2 GHz bis einschließlich 3,7 GHz oder
        4. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 60 W (47,78 dBm) bei einer Frequenz größer als 3,7 GHz bis einschließlich 6,8 GHz,
      2. ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer als 6,8 GHz bis einschließlich 31,8 GHz mit einer der folgenden Eigenschaften:
        1. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 50 W (47 dBm) bei einer Frequenz größer als 6,8 GHz bis einschließlich 8,5 GHz,
        2. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 15 W (41,76 dBm) bei einer Frequenz größer als 8,5 GHz bis einschließlich 12 GHz,
        3. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 40 W (46 dBm) bei einer Frequenz größer als 12 GHz bis einschließlich 16 GHz, oder
        4. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 7 W (38,45 dBm) bei einer Frequenz größer als 16 GHz bis einschließlich 31,8 GHz,
      3. ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 0,5 W (27 dBm) bei einer Frequenz größer als 31,8 GHz bis einschließlich 37 GHz,
      4. ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 1 W (30 dBm) bei einer Frequenz größer als 37 GHz bis einschließlich 43,5 GHz,
      5. ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 0,1 nW (- 70 dBm) bei einer Frequenz größer als 43,5 GHz,
      Anmerkung 1: Der Erfassungsstatus von Transistoren, deren Betriebsfrequenzbereich Frequenzen in mehr als einem der in Unternummer 3A001b3a bis 3A001b3e definierten Frequenzbereiche überstreicht, richtet sich nach dem niedrigsten Grenzwert für die Spitzensättigungsausgangsleistung.

      Anmerkung 2: Unternummer 3A001b3 erfasst gehäuste und ungehäuste Chips sowie auf Träger montierte Chips. Bestimmte diskrete Transistoren können auch als Leistungsverstärker bezeichnet werden, doch der Status dieser diskreten Transistoren richtet sich nach Unternummer 3A001b3.

    4. Halbleitermikrowellenverstärker, Mikrowellenbaugruppen, die Mikrowellenhalbleiterverstärker enthalten, und Mikrowellenmodule, die Mikrowellenhalbleiterverstärker enthalten, mit einer der folgenden Eigenschaften:
      1. ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer als 2,7 GHz bis einschließlich 6,8 GHz, bei einer "normierten Bandbreite" (fractional bandwidth) größer als 15 % und mit einer der folgenden Eigenschaften:
        1. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 500 W (57 dBm) bei einer Frequenz größer als 2,7 GHz bis einschließlich 2,9 GHz,
        2. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 270 W (54,3 dBm) bei einer Frequenz größer als 2,9 GHz bis einschließlich 3,2 GHz,
        3. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 200 W (53 dBm) bei einer Frequenz größer als 3,2 GHz bis einschließlich 3,7 GHz oder
        4. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 90 W (49,54 dBm) bei einer Frequenz größer als 3,7 GHz bis einschließlich 6,8 GHz,
      2. ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer als 6,8 GHz bis einschließlich 31,8 GHz, bei einer "normierten Bandbreite" (fractional bandwidth) größer als 10 % und mit einer der folgenden Eigenschaften:
        1. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 70 W (48,54 dBm) bei einer Frequenz größer als 6,8 GHz bis einschließlich 8,5 GHz,
        2. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 50 W (47 dBm) bei einer Frequenz größer als 8,5 GHz bis einschließlich 12 GHz,
        3. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 30 W (44,77 dBm) bei einer Frequenz größer als 12 GHz bis einschließlich 16 GHz oder
        4. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 20 W (43 dBm) bei einer Frequenz größer als 16 GHz bis einschließlich 31,8 GHz,
      3. ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 0,5 W (27 dBm) bei einer Frequenz größer als 31,8 GHz bis einschließlich 37 GHz,
      4. ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 2 W (33 dBm) bei einer Frequenz größer als 37 GHz bis einschließlich 43,5 GHz und einer "normierten Bandbreite" (fractional bandwidth) größer als 10 %,
      5. ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer als 43,5 GHz und mit einer der folgenden Eigenschaften:
        1. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 0,2 W (23 dBm) bei einer Frequenz größer als 43,5 GHz bis einschließlich 75 GHz und einer "normierten Bandbreite" (fractional bandwidth) größer als 10 %,
        2. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 20 mW (13 dBm) bei einer Frequenz größer als 75 GHz bis einschließlich 90 GHz und einer "normierten Bandbreite" (fractional bandwidth) größer als 5 % oder
        3. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 0,1 nW (- 70 dBm) bei einer Frequenz größer als 90 GHz oder
      6. nicht belegt,
      Anmerkung 1: Für MMIC-Verstärker siehe Unternummer 3A001b2.

      Anmerkung 2: Für 'Sende-/Empfangsmodule' und 'Sendemodule' siehe Unternummer 3A001b12.

      Anmerkung 1: Nicht belegt.

      Anmerkung 2: Der Erfassungsstatus von Gütern, deren Betriebsfrequenzbereich Frequenzen in mehr als einem der in Unternummer 3A001b4a bis 3A001b4e definierten Frequenzbereiche überstreicht, richtet sich nach dem niedrigsten Grenzwert für die Spitzensättigungsausgangsleistung.

    5. elektronisch oder magnetisch abstimmbare Bandpassfilter oder Bandsperrfilter mit mehr als fünf abstimmbaren Resonatoren, die in weniger als 10 µs über einen Frequenzbereich im Verhältnis 1,5:1 (fmax/fmin) abgestimmt werden können, und mit einer der folgenden Eigenschaften:
      1. mit einer Durchlassbandbreite größer als 0,5 % der Mittenfrequenz oder
      2. mit einer Sperrbandbreite kleiner als 0,5 % der Mittenfrequenz,
    6. nicht belegt,
    7. Umsetzer und Oberwellenmischer mit einer der folgenden Eigenschaften:
      1. konstruiert, um den Frequenzbereich von "Signalanalysatoren" über 90 GHz hinaus zu erweitern,
      2. konstruiert, um den Betriebsfrequenzbereich von Signalgeneratoren wie folgt zu erweitern:
        1. über 90 GHz hinaus,
        2. auf eine Ausgangsleistung größer als 100 mW (20 dBm) innerhalb des Frequenzbereichs größer als 43,5 GHz und kleiner/gleich 90 GHz,
      3. konstruiert, um den Betriebsfrequenzbereich von Netzwerkanalysatoren wie folgt zu erweitern:
        1. über 110 GHz hinaus,
        2. auf eine Ausgangsleistung größer als 31,62 mW (15 dBm) innerhalb des Frequenzbereichs größer als 43,5 GHz und kleiner/gleich 90 GHz,
        3. auf eine Ausgangsleistung größer als 1 mW (0 dBm) innerhalb des Frequenzbereichs größer als 90 GHz und kleiner/gleich 110 GHz oder
      4. konstruiert, um den Frequenzbereich von Mikrowellentestempfängern über 110 GHz hinaus zu erweitern,
    8. Mikrowellenleistungsverstärker mit von Unternummer 3A001b1 erfassten 'elektronischen Vakuumbauelementen' und mit allen folgenden Eigenschaften:
      1. Betriebsfrequenz größer als 3 GHz,
      2. mittleres Verhältnis von Ausgangsleistung zu Masse größer als 80 W/kg und
      3. Volumen kleiner als 400 cm3,
      Anmerkung: Unternummer 3A001b8 erfasst nicht Ausrüstung, konstruiert oder ausgelegt für den Einsatz in einem Frequenzband, das für Funkdienste, jedoch nicht für Ortungsfunkdienste, "von der ITU zugewiesen" ist.
    9. Mikrowellenleistungsmodule (microwave power modules, MPM), bestehend aus mindestens einem 'elektronischen Vakuumbauelement' mit Wanderfeld, einer "monolithisch integrierten Mikrowellenschaltung" ("MMIC") und einer integrierten elektronischen Regelung der Stromversorgung und mit allen folgenden Eigenschaften:
      1. 'Hochlaufzeit' bis auf Nennleistung kleiner als 10 Sekunden,
      2. Volumen kleiner als die maximale spezifizierte Leistung in Watt multipliziert mit 10 cm3/W und
      3. "Momentanbandbreite" größer als 1 Oktave (fmax > 2fmin) und mit einer der folgenden Eigenschaften:
        1. HF-Ausgangsleistung größer als 100 W im Frequenzbereich kleiner/gleich 18 GHz oder
        2. Frequenzbereich größer als 18 GHz,
        Technische Anmerkungen:
        1. Die Berechnung des Volumens in Unternummer 3A001b9b wird durch folgendes Beispiel erläutert: Für eine maximale spezifizierte Leistung von 20 W ergibt sich: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
        2. Die 'Hochlaufzeit' in Unternummer 3A001b9a bezieht sich auf die Zeit vom Zustand des vollständigen Ausgeschaltetseins bis zum Zustand der vollständigen Betriebsfähigkeit, d. h. die Aufwärmzeit des Moduls ist eingeschlossen.
    10. Oszillatoren oder Oszillator-Baugruppen, spezifiziert für den Betrieb mit einem Phasenrauschen im Einseitenband (SSB) in dBc/Hz kleiner (besser) als -(126 + 20log10F - 20log10f) im Bereich 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz;
      Technische Anmerkung: F steht in Unternummer 3A001b10 für den Abstand von der Betriebsfrequenz (in Hertz) und ƒ für die Betriebsfrequenz (in Megahertz).
    11. "elektronische "Frequenz-Synthesizer"-Baugruppen" mit einer "Frequenzumschaltzeit" gemäß einer der folgenden Spezifikationen:
      1. kleiner als 143 ps,
      2. kleiner als 100 µs für jeden Frequenzwechsel größer als 2,2 GHz innerhalb des synthetisierten Frequenzbereiches größer als 4,8 GHz bis kleiner/gleich 31,8 GHz,
      3. nicht belegt,
      4. kleiner als 500 µs für jeden Frequenzwechsel größer als 550 MHz innerhalb des synthetisierten Frequenzbereiches größer als 31,8 GHz bis kleiner/gleich 37 GHz,
      5. kleiner als 100 µs für jeden Frequenzwechsel größer als 2,2 GHz innerhalb des synthetisierten Frequenzbereiches größer als 37 GHz bis kleiner/gleich 90 GHz,
      6. nicht belegt, oder
      7. kleiner als 1 ms innerhalb des synthetisierten Frequenzbereichs größer als 90 GHz,
      Anmerkung: Für allgemein verwendbare "Signalanalysatoren", Signalgeneratoren, Netzwerkanalysatoren und Mikrowellentestempfänger siehe Unternummern 3A002c, 3A002d, 3A002e und 3A002f.
    12. 'Sende-/Empfangsmodule', 'Sende-/Empfangs-MMICs', 'Sendemodule' und 'Sende-MMICs', ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer als 2,7 GHz und mit allen folgenden Eigenschaften:
      1. Spitzensättigungsausgangsleistung (in Watt), Psat, größer als 505,62 geteilt durch das Quadrat der maximalen Betriebsfrequenz (in GHz) [Psat > 505,62 W*GHz2/fGHz2] für jeden Kanal,
      2. "normierte Bandbreite" größer/gleich 5 % für jeden Kanal,
      3. eine der planaren Seiten mit der Länge d (in cm) kleiner/gleich 15 geteilt durch die kleinste Betriebsfrequenz in GHz [d ≤ 15cm*GHz*n/fGHz], wobei n für die Anzahl der Sende- oder Sende-/Empfangskanäle steht, und
      4. einem elektronisch regelbaren Phasenschieber pro Kanal.
      Technische Anmerkungen:
      1. Ein 'Sende-/Empfangsmodul' ist eine multifunktionale "elektronische Baugruppe", die bidirektionale Amplitude und Phasenregelung für das Senden und Empfangen von Signalen aufweist.
      2. Ein 'Sendemodul' ist eine "elektronische Baugruppe", die Amplitude und Phasenregelung für das Senden von Signalen aufweist.
      3. Eine 'Sende-/Empfangs-MMIC' ist eine multifunktionale "MMIC", die bidirektionale Amplitude und Phasenregelung für das Senden und Empfangen von Signalen aufweist.
      4. Eine 'Sende-MMIC' ist eine "MMIC", die Amplitude und Phasenregelung für das Senden von Signalen aufweist.
      5. Bei Sende-/Empfangs- oder Sendemodulen, deren spezifizierter Betriebsfrequenzbereich 2,7 GHz unterschreitet, soll in der Berechnungsformel nach Unternummer 3A001b12c als unterer Grenzwert (fGHz) 2,7 GHz verwendet werden [d≤15cm*GHz/2,7 GHz].
      6. Unternummer 3A001b12 gilt für 'Sende-/Empfangsmodule' oder;Sendemodule' mit oder ohne Wärmesenke. Anteile des 'Sende-/Empfangsmoduls' oder;Sendemoduls', die als Wärmesenke dienen, werden für den Wert für d in Unternummer 3A001.b.12.c. nicht berücksichtigt.
      7. 'Sende-/Empfangsmodule', Sendemodule'' Sende-/Empfangs-MMICs' oder 'Sende-MMICs' können N integrierte abstrahlende Antennenelemente enthalten, wobei N für die Anzahl der Sende- oder Sende-/Empfangskanäle steht.
  3. Akustikwellenvorrichtungen wie folgt und besonders konstruierte Bestandteile hierfür:
    1. Vorrichtungen mit akustischen Oberflächenwellen (surface acoustic waves) und mit akustischen, oberflächennahen Volumenwellen (surface skimming [shallow bulk] acoustic waves), mit einer der folgenden Eigenschaften:
      1. Trägerfrequenz größer als 6 GHz,
      2. Trägerfrequenz größer als 1 GHz und kleiner/gleich 6 GHz und mit einer der folgenden Eigenschaften:
        1. 'Frequenz-Nebenkeulendämpfung' größer als 65 dB,
        2. Produkt aus maximaler Verzögerungszeit (in Mikrosekunden) und Bandbreite (in Megahertz) größer als 100,
        3. Bandbreite größer als 250 MHz oder
        4. dispergierende Verzögerung größer als 10 µs oder
      3. Trägerfrequenz kleiner/gleich 1 GHz und mit einer der folgenden Eigenschaften:
        1. Produkt aus maximaler Verzögerungszeit (in Mikrosekunden) und Bandbreite (in Megahertz) größer als 100,
        2. dispergierende Verzögerung größer als 10 µs oder
        3. 'Frequenz-Nebenkeulendämpfung' größer als 65 dB und Bandbreite größer als 100 MHz,
        Technische Anmerkung: 'Frequenz-Nebenkeulendämpfung' ist der im Datenblatt angegebene Dämpfungshöchstwert.
    2. akustische Volumenwellenvorrichtungen, mit denen die unmittelbare Aufbereitung von Signalen bei einer Frequenz größer als 6 GHz möglich ist,
    3. akustisch-optische "Signaldatenverarbeitungs"-Vorrichtungen, die die Wechselwirkung zwischen Schallwellen (Volumen- oder Oberflächenwellen) und Lichtwellen ausnutzen und die eine unmittelbare Aufbereitung von Signalen oder Bildern ermöglichen einschließlich Spektralanalyse, Korrelation oder Konvolution (Faltung),
    Anmerkung: Unternummer 3A001c erfasst nicht Akustikwellenvorrichtungen mit lediglich einem Bandpass-, Tiefpass-, Hochpass- oder Kerbfilter oder einer Resonanzfunktion.
  4. elektronische Bauelemente oder Schaltungen, die Bauteile aus "supraleitenden" Werkstoffen oder Materialien enthalten, besonders konstruiert für den Betrieb bei Temperaturen unter der "kritischen Temperatur" von wenigstens einem ihrer "supraleitenden" Bestandteile und mit einer der folgenden Eigenschaften:
    1. Stromschalter für digitale Schaltungen mit "supraleitenden" Gattern mit einem Produkt aus Laufzeit pro Gatter (in Sekunden) und Verlustleistung je Gatter (in Watt) kleiner als 10-14 J oder
    2. Frequenzselektion bei allen Frequenzen mit Resonanzkreisen, die Gütefaktoren von mehr als 10.000 aufweisen,
  5. hochenergietechnische Geräte wie folgt:
    1. 'Zellen' wie folgt:
      1. 'Primärzellen' mit einer 'Energiedichte' größer als 550 Wh/kg bei 20 °C,
      2. 'Sekundärzellen' mit einer 'Energiedichte' größer als 350 Wh/kg bei 20 °C,
      Technische Anmerkungen:
      1. Im Sinne der Unternummer 3A001e1 wird die 'Energiedichte' (Wh/kg) berechnet aus der Nominalspannung multipliziert mit der nominellen Kapazität (in Amperestunden (Ah)) geteilt durch die Masse (in Kilogramm). Falls die nominelle Kapazität nicht angegeben ist, wird die Energiedichte berechnet aus der quadrierten Nominalspannung multipliziert mit der Entladedauer (in Stunden), dividiert durch die Entladelast (in Ohm) und die Masse (in Kilogramm).
      2. Im Sinne der Unternummer 3A001e1 wird 'Zelle' definiert als ein elektrochemisches Bauelement, das über positive und negative Elektroden sowie über einen Elektrolyten verfügt und eine Quelle für elektrische Energie ist. Sie ist die Grundeinheit einer Batterie.
      3. Im Sinne der Unternummer 3A001e1a wird 'Primärzelle' definiert als eine 'Zelle', die nicht durch irgendeine andere Quelle aufgeladen werden kann.
      4. Im Sinne der Unternummer 3A001e1b wird 'Sekundärzelle' definiert als eine 'Zelle', die durch eine externe elektrische Quelle aufgeladen werden kann.

      Anmerkung: Unternummer 3A001e1 erfasst nicht Batterien; dies schließt auch Batterien, die aus einzelnen Zellen bestehen (single cell batteries), ein.

    2. Hochenergie-Speicherkondensatoren wie folgt:
      Anmerkung: SIEHE AUCH Unternummer 3A201a und Liste für Waffen, Munition und Rüstungsmaterial.
      1. Kondensatoren mit einer Folgefrequenz kleiner als 10 Hz (single shot capacitors) und mit allen folgenden Eigenschaften:
        1. Nennspannung größer/gleich 5 kV,
        2. Energiedichte größer/gleich 250 J/kg und
        3. Gesamtenergie größer/gleich 25 kJ,
      2. Kondensatoren mit einer Folgefrequenz größer/gleich 10 Hz (repetition rated capacitors) und mit allen folgenden Eigenschaften:
        1. Nennspannung größer/gleich 5 kV,
        2. Energiedichte größer/gleich 50 J/kg,
        3. Gesamtenergie größer/gleich 100 J und
        4. Lebensdauer größer/gleich 10.000 Ladungs-/Entladungszyklen,
    3. "supraleitende" Elektromagnete oder Zylinderspulen, besonders konstruiert, um in weniger als einer Sekunde vollständig geladen oder entladen zu werden, und mit allen folgenden Eigenschaften:
      Anmerkung: SIEHE AUCH Unternummer 3A201b.

      Anmerkung: Unternummer 3A001e3 erfasst nicht "supraleitende" Elektromagnete oder Zylinderspulen, besonders konstruiert für medizinisches Gerät für Magnetresonanzbilderzeugung (Magnetic Resonance Imaging).

      1. Energieabgabe während der ersten Sekunde der Entladung größer als 10 kJ,
      2. innerer Durchmesser der Strom führenden Windungen größer als 250 mm und
      3. spezifiziert für eine magnetische Induktion größer als 8 Tesla oder eine "Gesamtstromdichte" (overall current density) in der Windung größer als 300 A/mm2;
    4. "weltraumgeeignete" Solarzellen, CIC-Baugruppen (cell-interconnect-coverglass assemblies), Solarpaneele und Solararrays, mit einem minimalen mittleren Wirkungsgrad größer als 20 % gemessen bei einer Betriebstemperatur von 301 K (28 °C) und einer simulierten 'AM0'-Beleuchtung mit einer Strahlungsleistung von 1 367 Watt pro Quadratmeter (W/m2),
    Technische Anmerkung: 'AM0' oder 'Air Mass Zero' bezieht sich auf die spektrale Verteilung der Strahlungsleistung des Sonnenlichts in der äußeren Erdatmosphäre, wenn der Abstand zwischen Erde und Sonne eine Astronomische Einheit (1 AU) beträgt.
  6. Absolut-Drehwinkelgeber mit einer "Genauigkeit" kleiner/gleich 1,0 Bogensekunden und dafür besonders konstruierte Encoderringe, -scheiben oder -skalen,
  7. Thyristoren und 'Thyristormodule' für den Impulsbetrieb, die elektrisch, optisch oder durch Elektronenstrahl (electron radiation) geschaltet werden, und mit einer der folgenden Eigenschaften:
    1. Maximale Einschalt-Stromsteilheit (di/dt) größer als 30.000 A/µs und Sperrspannung größer als 1 100 V oder
    2. maximale Einschalt-Stromsteilheit (di/dt) größer als 2.000 A/µs und mit allen folgenden Eigenschaften:
      1. Spitzensperrspannung größer/gleich 3.000 V und
      2. Stoßstromgrenzwert (peak (surge) current) größer/gleich 3.000 A,
      Anmerkung 1: Unternummer 3A001g schließt ein:
      • SCRs (Silicon Controlled Rectifiers)
      • ETTs (Electrical Triggering Thyristors)
      • LTTs (Light Triggering Thyristors)
      • IGCTs (Integrated Gate Commutated Thyristors)
      • GTOs (Gate Turn-off Thyristors)
      • MCTs (MOS Controlled Thyristors
      • Solidtrons

      Anmerkung 2: Unternummer 3A001g erfasst nicht Thyristoren und 'Thyristormodule', die eingebaut sind in Ausrüstung, die für Anwendungen in zivilen Schienenfahrzeugen oder "zivilen Luftfahrzeugen" entworfen ist.

      Technische Anmerkung: Im Sinne von Unternummer 3A001g enthält ein 'Thyristormodul' einen oder mehrere Thyristoren.

  8. Halbleiter-Leistungsschalter, Leistungsdioden oder 'Module' mit allen folgenden Eigenschaften:
    1. ausgelegt für eine maximale Betriebstemperatur des pn-Übergangs größer als 488 K (215 °C),
    2. periodische Spitzenspannung im ausgeschalteten Zustand (blocking voltage) größer als 300 V und
    3. Dauerstrom größer als 1 A.
    Anmerkung 1: Periodische Spitzenspannung im ausgeschalteten Zustand in Unternummer 3A001h schließt ein: Drain-Source-Spannung, Kollektor-Emitter-Spannung, periodische Spitzensperrspannung und periodische Spitzenblockierspannung im ausgeschalteten Zustand.

    Anmerkung 2: Unternummer 3A001h schließt ein:

    • JFETs (Junction Field Effect Transistors)
    • VJFETs (Vertical Junction Field Effect Transistors)
    • MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors)
    • DMOSFETs (Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors)
    • IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors)
    • HEMTs (High Electron Mobility Transistors)
    • BJTs (Bipolar Junction Transistors)
    • SCRs (Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers)
    • GTOs (Gate Turn-Off Thyristoren)
    • ETOs (Emitter Turn-Off Thyristoren)
    • PiN-Dioden
    • Schottky-Dioden

    Anmerkung 3: Unternummer 3A001h erfasst nicht Schalter, Dioden oder 'Module', die enthalten sind in Ausrüstung, welche entwickelt wurde für Anwendungen in zivilen Automobilen, zivilen Eisenbahnen oder "zivilen Flugzeugen".

    Technische Anmerkung: Im Sinne von Unternummer 3A001h enthält ein 'Modul' einen oder mehrere Halbleiter-Leistungsschalter oder Leistungsdioden.

3A002 "Elektronische Baugruppen", Module und Ausrüstung für allgemeine Zwecke wie folgt:

  1. Aufzeichnungsgeräte und Oszilloskope wie folgt:
    1. nicht belegt,
    2. nicht belegt,
    3. nicht belegt,
    4. nicht belegt,
    5. nicht belegt,
    6. digitale Datenrekorder mit allen folgenden Eigenschaften:
      1. dauerhafter 'kontinuierlicher Datendurchsatz' größer als 6,4 Gbit/s auf eine Festplatte oder auf ein Halbleiterlaufwerk und
      2. Prozessor, der Funkfrequenz-Signaldaten analysiert, während diese aufgezeichnet werden,
      Technische Anmerkungen:
      1. Für Rekorder mit einer parallelen Bus-Architektur ist der 'kontinuierliche Datendurchsatz' die höchste Wortrate (word rate) multipliziert mit der Anzahl der Bit pro Wort.
      2. 'Kontinuierlicher Datendurchsatz' ist die schnellste Datenrate (data rate), den das Gerät auf Festplatte oder Halbleiterlaufwerk aufzeichnen kann, während die Eingangsdatenrate oder die Digitalisierer-Wandlungsrate aufrechterhalten wird, ohne dass es zu Informationsverlust kommt.
    7. Echtzeit-Oszilloskope mit einer Rauschspannung (quadratischer Mittelwert, vertikale Achse), von weniger als 2 % des vollen Skalenwerts bei der Skaleneinstellung für die vertikale Achse, bei der sich der geringste Rauschwert für Inputs mit einer 3-dB-Bandbreite von 60 GHz oder größer pro Kanal ergibt,
      Anmerkung: Unternummer 3A002a7 erfasst nicht Äquivalenzzeitoszilloskope.
  2. nicht belegt,
  3. "Signalanalysatoren" wie folgt:
    1. "Signalanalysatoren", mit einer 3 dB-Auflösebandbreite (resolution bandwidth, RBW) größer als 10 MHz im Frequenzbereich größer als 31,8 GHz und kleiner/gleich 37 GHz,
    2. "Signalanalysatoren", mit einem Displayed Average Noise Level (DANL) kleiner (besser) als -150 dBm/Hz innerhalb des Frequenzbereichs größer als 43,5 GHz und kleiner/gleich 90 GHz,
    3. "Signalanalysatoren" mit einer Frequenz größer als 90 GHz,
    4. "Signalanalysatoren" mit allen folgenden Eigenschaften:
      1. "Echtzeitbandbreite" größer 170 MHz und
      2. mit einer der folgenden Eigenschaften:
        1. 100 % Entdeckungswahrscheinlichkeit (probability of discovery) mit einer Verringerung von weniger als 3 dB des vollen Amplitudenwerts aufgrund von Lücken oder Windowing-Effekten von Signalen mit einer Dauer von 15 µs oder weniger oder
        2. "Frequenzmasken-Trigger"-Funktion mit 100 % Triggerwahrscheinlichkeit für Signale mit einer Dauer von 15 µs oder weniger,
        Technische Anmerkungen:
        1. Die Entdeckungswahrscheinlichkeit (probability of discovery) in Unternummer 3A002c4b1 wird auch als probability of intercept oder probability of capture bezeichnet.
        2. Im Sinne der Unternummer 3A002c4b1 entspricht die Dauer für 100 % Entdeckungswahrscheinlichkeit der Mindestsignaldauer, die für das angegebene Niveau der Messunsicherheit erforderlich ist.
      Anmerkung: 3A002c4 erfasst nicht "Signalanalysatoren", die nur konstante, prozentuale Bandbreitenfilter verwenden (auch bekannt als Oktaven- oder Teiloktavenfilter).
    5. nicht belegt,
  4. Signalgeneratoren mit einer der folgenden Eigenschaften:
    1. Spezifiziert, um impulsmodulierte Signale mit allen folgenden Eigenschaften innerhalb des synthetisierten Frequenzbereichs größer als 31,8 GHz und kleiner/gleich 37GHz zu generieren:
      1. 'Impulsbreite' kleiner als 25 ns und
      2. Ein-Aus-Verhältnis größer/gleich 65 dB,
    2. Ausgangsleistung größer als 100 mW (20 dBm) innerhalb des synthetisierten Frequenzbereichs größer als 43,5 GHz und kleiner/gleich 90 GHz,
    3. "Frequenzumschaltzeit" gemäß einer der folgenden Spezifikationen:
      1. nicht belegt,
      2. kleiner als 100 µs für jeden Frequenzwechsel größer als 2,2 GHz innerhalb des Frequenzbereichs größer als 4,8 GHz bis kleiner/gleich 31,8 GHz,
      3. nicht belegt,
      4. kleiner als 500 µs für jeden Frequenzwechsel größer als 550 MHz innerhalb des Frequenzbereichs größer als 31,8 GHz bis kleiner/gleich 37 GHz oder
      5. kleiner als 100 µs für jeden Frequenzwechsel größer als 2,2 GHz innerhalb des Frequenzbereichs größer als 37 GHz bis kleiner/gleich 90 GHz,
      6. nicht belegt,
    4. Phasenrauschen im Einseitenband (SSB) in dBc/Hz, spezifiziert mit einer der folgenden Eigenschaften:
      1. kleiner (besser) als -(126 + 20log10F - 20log10f) im Bereich von 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz innerhalb des Frequenzbereichs größer als 3,2 GHz und kleiner/gleich 90 GHz oder
      2. kleiner (besser) als -(206- 20log10f) im Bereich von 10 kHz < F≤ 100 kHz innerhalb des synthetisierten Frequenzbereichs größer als 3,2 GHz und kleiner/gleich 90 GHz oder
      Technische Anmerkung: F steht in Unternummer 3A002d4 für den Abstand von der Betriebsfrequenz (in Hertz) und f für die Betriebsfrequenz (in Megahertz).
    5. größte Ausgangsfrequenz größer als 90 GHz,
    Anmerkung 1: Im Sinne der Unternummer 3A002d schließen Signalgeneratoren auch Arbiträrgeneratoren (arbitrary waveform generators) und Funktionsgeneratoren ein.

    Anmerkung 2: Unternummer 3A002d erfasst nicht Geräte, in denen die Ausgangsfrequenz entweder durch Addition oder Subtraktion von zwei oder mehreren quarzgesteuerten Oszillatorfrequenzen oder durch Addition oder Subtraktion und darauf folgende Multiplikation des Ergebnisses erzeugt wird.

    Technische Anmerkungen:

    1. Die maximale Frequenz eines Arbiträr- oder Funktionsgenerators wird durch Division der Abtastrate (in Samples/s) durch einen Faktor von 2,5 berechnet.
    2. Im Sinne der Unternummer 3A002d1a ist die 'Impulsbreite' definiert als das Zeitintervall von dem Punkt an der Vorderflanke, der 50 % der Impulsamplitude entspricht, bis zu dem Punkt an der Rückflanke, der 50 % der Impulsamplitude entspricht.
  5. Netzwerkanalysatoren mit einer der folgenden Eigenschaften:
    1. Ausgangsleistung größer als 31,62 mW (15 dBm) innerhalb des Betriebsfrequenzbereichs größer als 43,5 GHz und kleiner/gleich 90 GHz,
    2. Ausgangsleistung größer als 1 mW (0 dBm) innerhalb des Betriebsfrequenzbereichs größer als 90 GHz und kleiner/gleich 110 GHz,
    3. 'nichtlineare Vektormessfunktion' bei Frequenzen größer als 50 GHz und kleiner/gleich 110 GHz oder
      Technische Anmerkung: Die 'nichtlineare Messfunktion' ist die Fähigkeit eines Instruments, die Testergebnisse von Geräten im Großsignalbereich oder im Bereich der nichtlinearen Verzerrung zu messen.
    4. höchste Betriebsfrequenz größer als 110 GHz,
  6. Mikrowellentestempfänger mit allen folgenden Eigenschaften:
    1. höchste Betriebsfrequenz größer als 110 GHz und
    2. geeignet zur gleichzeitigen Messung von Amplitude und Phase;
  7. Atomfrequenznormale mit einer der folgenden Eigenschaften:
    1. "weltraumgeeignet",
    2. Atomfrequenznormale außer Rubidiumnormale mit einer Langzeitstabilität kleiner (besser) als 1 × 10-11 pro Monat oder
    3. nicht "weltraumgeeignet" und mit allen folgenden Eigenschaften:
      1. Rubidiumnormale,
      2. Langzeitstabilität kleiner (besser) als 1 × 10-11 pro Monat und
      3. Gesamtleistungsaufnahme geringer als 1 W,
  8. "Elektronische Baugruppen", Module und Ausrüstung mit allen folgenden Eigenschaften:
    1. Analog-Digital-Umwandlungen mit einer der folgenden Eigenschaften:
      1. Auflösung größer/gleich 8 bit, aber kleiner als 10 bit, mit einer Eingangsabtastrate (input sample rate) größer als 1.300 Mio. Ausgabewörter pro Sekunde,
      2. Auflösung größer/gleich 10 bit, aber kleiner als 12 bit, mit einer Eingangsabtastrate (input sample rate) größer als 1.000 Mio. Ausgabewörter pro Sekunde,
      3. Auflösung größer/gleich 12 bit, aber kleiner als 14 bit, mit einer Eingangsabtastrate (input sample rate) größer als 1.000 Mio. Ausgabewörter pro Sekunde,
      4. Auflösung größer/gleich 14 bit, aber kleiner als 16 bit, mit einer Eingangsabtastrate (input sample rate) größer als 400 Mio. Ausgabewörter pro Sekunde oder
      5. Auflösung größer/gleich 16 bit, mit einer Eingangsabtastrate (input sample rate) größer als 180 Mio. Ausgabewörter pro Sekunde und
    2. mit einer der folgenden Eigenschaften:
      1. Ausgabe digitalisierter Daten;
      2. Speicherung digitalisierter Daten oder
      3. Verarbeitung digitalisierter Daten,
    Anmerkung: Für digitale Datenrekorder, Oszilloskope, "Signalanalysatoren", Signalgeneratoren, Netzwerkanalysatoren und Mikrowellentestempfänger siehe Unternummern 3A002a6, 3A002a7, 3A002c, 3A002d, 3A002e und 3A002f.

    Technische Anmerkung: Bei "elektronischen Baugruppen" oder Modulen mit mehreren Kanälen richtet sich die Erfassung nach dem Wert der höchsten angegebenen Einzelkanalleistung.

    Anmerkung: Unternummer 3A002h schließt ADC-Karten, Signal-Digitalisierer (waveform digitisers), Datenerfassungskarten, Signalerfassungsplatinen und Transientenrekorder ein.

3A003 Sprühkühlsysteme (spray cooling thermal management systems), in denen geschlossene Kreisläufe für das Fördern und Wiederaufbereiten von Flüssigkeiten in hermetisch abgedichteten Gehäusen verwendet werden, in denen eine dielektrische Flüssigkeit mittels besonders konstruierter Sprühdüsen auf Bauteile gesprüht wird, dafür entwickelt, elektronische Bauelemente in ihrem Betriebstemperaturbereich zu halten, sowie besonders konstruierte Bestandteile hierfür.

3A101 Elektronische Ausrüstung, Geräte und Komponenten, die nicht von Nummer 3A001 erfasst werden, wie folgt:

  1. Analog-Digital-Wandler, geeignet für "Flugkörper", besonders robust konstruiert (ruggedized), um militärischen Spezifikationen zu genügen,
  2. Beschleuniger, geeignet zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung, erzeugt durch Bremsstrahlung mit Elektronenenergien größer/gleich 2 MeV, und Systeme, die solche Beschleuniger enthalten.
    Anmerkung: Unternummer 3A101b erfasst nicht Ausrüstung, besonders konstruiert für medizinische Zwecke.

3A102 'Thermalbatterien', entwickelt oder modifiziert für 'Flugkörper'.

Technische Anmerkungen:
  1. Im Sinne der Nummer 3A102 ist eine 'Thermalbatterie' eine Batterie zur einmaligen Verwendung, die ein festes, nichtleitendes, anorganisches Salz als Elektrolyt enthält. Solche Batterien enthalten ein pyrolytisches Material, das nach der Zündung den Elektrolyten aufschmilzt und die Batterie aktiviert.
  2. Im Sinne der Nummer 3A102 bedeutet 'Flugkörper' vollständige Raketensysteme und unbemannte Luftfahrzeugsysteme, die für Entfernungen größer als 300 km geeignet sind.

3A201 Elektronische Ausrüstung, die nicht von Nummer 3A001 erfasst wird, wie folgt:

  1. Kondensatoren mit einer der folgenden Kombinationen von Eigenschaften:
      1. Betriebsspannung größer als 1,4 kV,
      2. gespeicherte Energie größer als 10 J,
      3. Kapazität größer als 0,5 µF und
      4. Reiheninduktivität kleiner als 50 nH oder
      1. Betriebsspannung größer als 750 V,
      2. Kapazität größer als 0,25 µF und
      3. Reiheninduktivität kleiner als 10 nH,
  2. Supraleitende Solenoid-Elektromagnete mit allen folgenden Eigenschaften:
    1. geeignet zum Aufbau magnetischer Felder größer als 2 Tesla,
    2. Verhältnis Länge/Innendurchmesser größer als 2,
    3. Innendurchmesser größer als 300 mm und
    4. Gleichmäßigkeit des Magnetfeldes im Bereich der innenliegenden 50 % des inneren Volumens besser als 1 %;
    Anmerkung: Unternummer 3A201b erfasst nicht Magnete, die besonders konstruiert sind für medizinische NMR-Bildsysteme (nuclear magnetic resonance imaging systems) und als Teile davon exportiert werden. Dabei ist es nicht notwendig, dass alle Teile in einer Lieferung zusammengefasst sind. Jedoch muss aus den Ausfuhr-Dokumenten jeder Einzellieferung eindeutig hervorgehen, dass es sich um Teile der Gesamtlieferung handelt.
  3. Röntgenblitzgeneratoren oder gepulste Elektronenbeschleuniger mit einer der folgenden Kombinationen von Eigenschaften:
      1. Spitzenelektronenenergie des Beschleunigers größer/gleich 500 keV und kleiner als 25 MeV und
      2. 'Gütefaktor' K größer/gleich 0,25 oder
      1. Spitzenelektronenenergie des Beschleunigers größer/gleich 25 MeV und
      2. 'Spitzenleistung' größer als 50 MW.
      Anmerkung: Unternummer 3A201c erfasst nicht Beschleuniger als Bestandteile von Geräten, die für die Anwendungsgebiete außerhalb der Elektronen- oder Röntgenbestrahlung (z.B. Elektronenmikroskopie) oder für medizinische Zwecke entwickelt wurden.

      Technische Anmerkungen:

      1. Der 'Gütefaktor' K ist definiert als:
        K = 1,7 × 103V2,65Q
        V = Spitzenelektronenenergie in MeV
        Bei einer Dauer des Strahlpulses kleiner/gleich 1 µs ist Q die gesamte beschleunigte Ladung in Coulomb. Falls die Dauer größer ist als 1 µs, ist Q die maximale beschleunigte Ladung in 1 µs.
        Q = Integral des Strahlstromes i in Ampere über der Dauer t in Sekunden bis zum kleineren Wert von 1 µs oder der Dauer des Strahlpulses (Q = + idt).
      2. 'Spitzenleistung' = Produkt aus Spitzenpotenzial in Volt und Spitzenstrahlstrom in Ampere.
      3. Bei Beschleunigern, die auf Hohlraumresonatoren basieren (microwave accelerating cavities), ist die Dauer des Strahlpulses der kleinere Wert von 1 µs oder der Dauer des StrahlbÌndels, das durch einen Modulatorimpuls erzeugt wird.
      4. Bei Beschleunigern, die auf Hohlraumresonatoren basieren, ist der Spitzenstrahlstrom der Durchschnittsstrom während der Dauer eines Strahlbündels.

3A225 Frequenzumwandler oder Generatoren, die nicht von Unternummer 0B001b13 erfasst werden, verwendbar zur Motorsteuerung mit variabler oder fester Frequenz, mit allen folgenden Eigenschaften:

Anmerkung 1: "Software", besonders entwickelt zur Leistungssteigerung oder Aufhebung der Beschränkungen der Frequenzumwandler oder Generatoren, um den Eigenschaften der Nummer 3A225 zu entsprechen, wird von Nummer 3D225 erfasst.

Anmerkung 2: "Technologie" in Form von Lizenzschlüsseln oder Produkt-Keys zur Leistungssteigerung oder Aufhebung der Beschränkungen der Frequenzumwandler oder Generatoren, um den Eigenschaften der Nummer 3A225 zu entsprechen, wird von Nummer 3E225 erfasst.

  1. Mehrphasenausgang mit einer Leistung größer/gleich 40 VA,
  2. Betriebsfrequenz größer/gleich 600 Hz und
  3. Frequenzstabilisierung kleiner (besser) als 0,2 %.
Anmerkung: Nummer 3A225 erfasst nicht Frequenzumwandler oder Generatoren, wenn sie Hardware-, "Software"- oder "Technologie"-Beschränkungen aufweisen, welche die Leistung auf eine geringere als die oben angegebene Leistung begrenzen, sofern sie eine der folgenden Bedingungen erfüllen:
  1. Sie müssen zum Originalhersteller zurückgeschickt werden, um die Leistungssteigerung vorzunehmen oder die Beschränkung aufzuheben,
  2. sie benötigen für die Leistungssteigerung oder die Aufhebung der Beschränkung die von Nummer 3D225 erfasste "Software", um den Eigenschaften der Nummer 3A225 zu entsprechen, oder
  3. Sie benötigen für die Leistungssteigerung oder die Aufhebung der Beschränkung die von Nummer 3E225 erfasste "Technologie" in Form von Lizenzschlüsseln oder Produkt-Keys, um den Eigenschaften der Nummer 3A225 zu entsprechen.

Technische Anmerkungen:

  1. Frequenzumwandler im Sinne von Nummer 3A225 werden auch als Konverter oder Inverter bezeichnet.
  2. Frequenzumwandler im Sinne der Nummer 3A225 können als Generatoren, elektronische Testausrüstung, Wechselstromversorgungsgeräte, Regelantriebe (VSDs, ASDs) oder Verstellantriebe (VFDs, AFDs) bzw. Motoren mit regelbarer Drehzahl in Verkehr gebracht werden.

3A226 Hochenergie-Gleichstromversorgungsgeräte, die nicht von Unternummer 0B001j6 erfasst werden, mit allen folgenden Eigenschaften:

  1. Erzeugung von 100 V oder mehr im Dauerbetrieb über einen Zeitraum von 8 h mit einem Ausgangsstrom größer/gleich 500 A und
  2. Strom- oder Spannungsregelung kleiner (besser) als 0,1 % über einen Zeitraum von 8 h.

3A227 Hochspannungs-Gleichstromversorgungsgeräte, die nicht von Unternummer 0B001j5 erfasst werden, mit allen folgenden Eigenschaften:

  1. Erzeugung von 20 kV oder mehr im Dauerbetrieb über einen Zeitraum von 8 h mit einem Ausgangsstrom größer/gleich 1 A und
  2. Strom- oder Spannungsregelung kleiner (besser) als 0,1 % über einen Zeitraum von 8 h.

3A228 Schaltelemente wie folgt:

  1. Kaltkathodenröhren mit oder ohne Gasfüllung, die wie Schaltfunkenstrecken funktionieren, mit allen folgenden Eigenschaften:
    1. mit drei oder mehr Elektroden,
    2. spezifizierte Anodenspitzenspannung größer/gleich 2,5 kV,
    3. spezifizierter Anodenspitzenstrom größer/gleich 100 A und
    4. Zündverzögerungszeit kleiner/gleich 10 µs,
    Anmerkung: Nummer 3A228 schließt gasgefüllte Krytrons und Vakuum-Sprytrons ein.
  2. getriggerte Schaltfunkenstrecken mit allen folgenden Eigenschaften:
    1. Zündverzögerungszeit kleiner/gleich 15 µs und
    2. spezifiziert für Spitzenströme größer/gleich 500 A,
  3. Module oder Baugruppen zum schnellen Schalten, die nicht von Unternummer 3A001g oder 3A001h erfasst werden, mit allen folgenden Eigenschaften:
    1. spezifizierte Anodenspitzenspannung größer als 2 kV,
    2. spezifizierter Anodenspitzenstrom größer/gleich 500 A und
    3. Einschaltzeit kleiner/gleich 1 µs.

3A229 Hochstrom-Impulsgeneratoren wie folgt:

Anmerkung: SIEHE AUCH LISTE FÜR WAFFEN, MUNITION UND RÜSTUNGSMATERIAL.
  1. Zündvorrichtungen für Detonatoren (Aktivierungssysteme und Zünder), einschließlich elektronisch-aufgeladenen, explosionsgetriebenen und optisch-getriebenen Zündvorrichtungen, soweit nicht von Unternummer 1A007a erfasst, entwickelt um mehrere von Unternummer 1A007b erfasste Detonatoren kontrolliert zu zünden,
  2. modulare elektrische Impulsgeneratoren (Impulsgeber) mit allen folgenden Eigenschaften:
    1. konstruiert für den mobilen oder robusten Einsatz,
    2. Energieabgabe in weniger als 15 µs bei Lasten kleiner als 40 Ohm,
    3. Ausgangsstrom größer als 100 A,
    4. keine Abmessung größer als 30 cm,
    5. Gewicht kleiner als 30 kg und
    6. spezifiziert für einen erweiterten Temperaturbereich zwischen 223 K (- 50 °C) und 373 K (100 °C) oder luftfahrttauglich,
    Anmerkung: Unternummer 3A229b schließt Xenon-Blitzlampentreiber ein.
  3. Mikrozünder mit allen folgenden Eigenschaften:
    1. keine Abmessung größer als 35 mm,
    2. Spannung größer/gleich 1 kV und
    3. elektrische Kapazität größer/gleich 100 nF.

3A230 Hochgeschwindigkeits-Impulsgeneratoren und 'Impulsköpfe' hierfür mit allen folgenden Eigenschaften:

  1. Ausgangsspannung größer als 6 V an einer ohmschen Last kleiner als 55 Ohm und
  2. 'Impulsanstiegszeit' kleiner als 500 ps.
    Technische Anmerkungen:
    1. 'Impulsanstiegszeit' im Sinne der Nummer 3A230 ist das Zeitintervall, in dem die Spannungsamplitude zwischen 10 % und 90 % des Maximalwertes beträgt.
    2. 'Impulsköpfe' sind impulsgebende Netzwerke, entwickelt zur Verarbeitung einer Spannungsschrittfunktion und deren Umformung zu einer Reihe von Impulsformen, zu denen rechteckige, dreieckige, Stufen-, Sinus-, Exponential- oder monozyklische Formen gehören können. 'Impulsköpfe' können integraler Bestandteil des Impulsgenerators, Einsteckmodul oder extern angeschlossen sein.

3A231 Neutronengeneratorsysteme einschließlich Neutronengeneratorröhren mit allen folgenden Eigenschaften:

  1. konstruiert für den Betrieb ohne äußeres Vakuumsystem und
  2. mit einer der folgenden Vorrichtungen:
    1. elektrostatische Beschleunigung zur Auslösung einer Tritium-Deuterium-Kernreaktion oder
    2. elektrostatische Beschleunigung zur Auslösung einer Deuterium-Deuterium-Kernreaktion und mit der Fähigkeit zur Freisetzung von größer/gleich 3 × 109 Neutronen/s.

3A232 Mehrfachzündersysteme, soweit nicht erfasst von Nummer 1A007, wie folgt:

Anmerkung: SIEHE AUCH LISTE FÜR WAFFEN, MUNITION UND RÜSTUNGSMATERIAL.

Anmerkung: Siehe Unternummer 1A007b zur Erfassung von Detonatoren.

  1. nicht belegt,
  2. Vorrichtungen mit einzelnen oder mehreren Detonatoren zum annähernd gleichzeitigen Zünden explosiver Oberflächen auf einer Fläche größer als 5.000 mm2, mit nur einem Zündsignal und mit einer maximalen zeitlichen Abweichung vom ursprünglichen Zündsignal über der gesamten zu zündenden Oberfläche kleiner als 2,5 µs.
    Anmerkung: Nummer 3A232 erfasst keine Detonatoren, die nur Initialsprengstoffe, wie z.B. Bleiazid, verwenden.

3A233 Massenspektrometer, die nicht von Unternummer 0B002g erfasst werden, für die Messung von Ionen einer Atommasse größer/gleich 230 u (oder Da) (atomare Masseneinheit) mit einer Auflösung besser als 2 u bei 230 u oder größer, und Ionenquellen hierfür wie folgt:

  1. induktiv gekoppelte Plasma-Massenspektrometer (ICP/MS),
  2. Glühentladungs-Massenspektrometer (GDMS),
  3. Thermoionisations-Massenspektrometer (TIMS),
  4. Elektronenstoß-Massenspektrometer mit beiden folgenden Eigenschaften:
    1. Molekularstrahl-Einlasssystem, das ein kollimiertes Strahlenbündel der zu analysierenden Moleküle in den Bereich der Ionenquelle injiziert, in der die Moleküle durch einen Elektronenstrahl ionisiert werden, und
    2. eine oder mehrere 'Kühlfallen', die auf 193 K (- 80 °C) kühlen können,
  5. nicht belegt,
  6. Massenspektrometer, ausgestattet mit einer Mikrofluorierungs-Ionenquelle, konstruiert für Aktinide oder Aktinidenfluoride.
Technische Anmerkungen:
  1. Elektronenstoß-Massenspektrometer (electron bombardment mass spectrometers) der Unternummer 3A233d sind auch als Elektronenstoßionisations-Massenspektrometer bekannt.
  2. Eine 'Kühlfalle' der Unternummer 3A233d2 ist eine Vorrichtung, mit der sich Gasmoleküle abscheiden lassen, indem sie auf kalten Oberflächen kondensieren oder gefrieren. Im Sinne der Unternummer 3A233d2 ist eine mit geschlossenem Kreislauf arbeitende Helium-Kryopumpe keine 'Kühlfalle'.

3A234 Streifenbandleitungen für den induktionsarmen Weg zu Detonatoren, mit den folgenden Eigenschaften:

  1. Betriebsspannung größer als 2 kV und
  2. Induktivität kleiner als 20 nH.

3B Prüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen

3B001 Ausrüstung für die Fertigung von Halbleiterbauelementen oder -materialien wie folgt sowie besonders konstruierte Bestandteile und besonders konstruiertes Zubehör hierfür:

Anmerkung: SIEHE AUCH NUMMER 2B226.
  1. Epitaxieausrüstung wie folgt:
    1. Ausrüstung, entwickelt oder modifiziert für die Herstellung einer Schicht aus einem anderen Material als Silizium mit einer gleichmäßigen Schichtdicke mit weniger als ± 2,5 % Abweichung auf einer Strecke von größer/gleich 75 mm,
      Anmerkung: Unternummer 3B001a1 erfasst auch Ausrüstung für Atomlagen-Epitaxie (Atomic Layer Epitaxy (ALE)).
    2. MOCVD-(Metal-Organic-Chemical-Vapour-Deposition-)Reaktoren, konstruiert für Verbindungshalbleiterepitaxie auf einem Material, das zwei oder mehr der folgenden Elemente enthält: Aluminium, Gallium, Indium, Arsen, Phosphor, Antimon oder Stickstoff,
    3. Molekularstrahlepitaxie-Ausrüstung, die Gas- oder Feststoff-Quellen verwendet;
  2. Ausrüstung, konstruiert für Ionenimplantation und mit einer der folgenden Eigenschaften:
    1. nicht belegt,
    2. konstruiert und optimiert, um für die Wasserstoff-, Deuterium- oder Heliumimplantation bei einer Elektronenenergie größer/gleich 20 keV und einem Strahlstrom größer/gleich 10 mA zu arbeiten,
    3. mit Direktschreibbetrieb,
    4. Elektronenenergie größer/gleich 65 keV und Strahlstrom größer/gleich 45 mA für das Implantieren von Sauerstoff mit hoher Energie in ein erhitztes Halbleiter" substrat"oder
    5. konstruiert und optimiert, um für die Siliziumimplantation in ein auf 600 °C oder mehr erhitztes Halbleiter" substrat" bei einer Elektronenenergie größer/gleich 20 keV und einem Strahlstrom größer/gleich 10 mA zu arbeiten,
  3. nicht belegt,
  4. nicht belegt,
  5. zentrale Waferhandlingsysteme für das automatische Beladen von Mehrkammersystemen mit allen folgenden Eigenschaften:
    1. Schnittstellen für Waferein- und -ausgabe, an die mehr als zwei funktionell unterschiedliche, von Unternummer 3B001a1, 3B001a2, 3B001a3 oder 3B001b erfasste 'Halbleiterprozessgeräte' angeschlossen werden sollen, und
    2. entwickelt, um ein integrales System zur 'sequenziellen, multiplen Waferbearbeitung' innerhalb einer geschlossenen Vakuumumgebung aufbauen zu können,
    Anmerkung: Unternummer 3B001e erfasst nicht automatische Robotersysteme für das Waferhandling, die besonders für die parallele Waferbearbeitung ausgelegt sind.

    Technische Anmerkungen:

    1. 'Halbleiterprozessgeräte' im Sinne von Unternummer 3B001e sind modulare Anlagen für funktionell unterschiedliche physikalische Einzelprozesse zur Herstellung von Halbleitern, wie z.B. Beschichten, Implantieren oder thermisches Behandeln.
    2. 'Sequentielle, multiple Waferbearbeitung' im Sinne von Unternummer 3B001e bedeutet die Eigenschaft, jeden Wafer in verschiedenen 'Halbleiterprozessgeräten' zu bearbeiten, indem der Wafer mit Hilfe des zentralen Waferhandlingsystems von einem Gerät zu einem zweiten Gerät und weiter zu einem dritten Gerät transferiert wird.
  6. Lithografieanlagen wie folgt:
    1. Step-and-repeat(direct step on wafer)- oder step-and-scan(scanner)-Justier- und Belichtungsanlagen für die Waferfertigung, die lichtoptische oder röntgentechnische Verfahren verwenden und eine der folgenden Eigenschaften haben:
      1. Wellenlänge der Lichtquelle kleiner als 193 nm oder
      2. geeignet, 'kleinste auflösbare Strukturbreiten' (KAS) von kleiner/gleich 45 nm zu erzeugen,
        Technische Anmerkung: Die 'kleinste auflösbare Strukturbreite' KAS wird berechnet nach der Formel:
        (Wellenlänge der Belichtungsquelle in nm) × (K)
        KAS=


        numerische Apertur

        wobei K = 0,35

    2. Anlagen für die Imprintlithographie, geeignet für die Herstellung von Strukturen kleiner/gleich 45 nm,
      Anmerkung: Unternummer 3B001f2 schließt ein:
      • Anlagen für den Mikrokontaktdruck (micro contact printing tools),
      • Anlagen für den Druck mit heißen Stempeln (hot embossing tools),
      • Anlagen für die Nano-Imprint-Lithographie,
      • Anlagen für S-FIL (step and flash imprint lithography).
    3. Anlagen, besonders konstruiert für die Maskenherstellung mit allen folgenden Eigenschaften:
      1. abgelenkten, fokussierten Elektronenstrahlen, Ionenstrahlen oder "Laser"-Strahlen und
      2. mit einer der folgenden Eigenschaften:
        1. Fokusgröße (spot size) mit einer Halbwertsbreite (full-width half-maximum (FWHM)) kleiner als 65 nm und einer Justiergenauigkeit (image placement) kleiner als 17 nm (Mittelwert + 3 Sigma) oder
        2. nicht belegt,
        3. Überdeckungsfehler (overlay error) der zweiten Schicht auf der Maske kleiner als 23 nm (Mittelwert + 3 Sigma),
        4. Anlagen für die Halbleiterherstellung, die Direktschreibverfahren verwenden, mit allen folgenden Eigenschaften:
          1. abgelenkten, fokussierten Elektronenstrahlen und
          2. mit einer der folgenden Eigenschaften:
            1. Mindeststrahlgröße (Minimum beam size) kleiner/gleich 15 nm oder
            2. Überdeckungsfehler (overlay error) kleiner als 27 nm (Mittelwert + 3 Sigma),
  7. Masken oder Reticles, entwickelt für von Nummer 3A001 erfasste integrierte Schaltungen,
  8. Multilayer-Masken mit einer phasenverschiebenden Schicht, nicht von Unternummer 3B001g erfasst, mit einer der folgenden Eigenschaften:
    1. Hergestellt auf einem "monolitischen" Masken-"Substrat" (mask "substrate blank") aus Glas mit einer Doppelbrechung kleiner als 7 nm/cm oder
    2. konstruiert für die Verwendung in Lithografieanlagen mit einer Lichtquelle mit einer Wellenlänge kleiner als 245 nm,
    Anmerkung: Unternummer 3B001h erfasst nicht Multilayer-Masken mit einer phasenverschiebenden Schicht, entwickelt für die Fertigung von Speicherbauelementen, die nicht von Nummer 3A001 erfasst sind.
  9. Matrizen (templates) für die Imprintlithographie, entwickelt für von Nummer 3A001 erfasste integrierte Schaltungen.

3B002 Prüfgeräte, besonders konstruiert für das Testen von fertigen oder unfertigen Halbleiterbauelementen wie folgt sowie besonders konstruierte Bestandteile und besonders konstruiertes Zubehör hierfür:

  1. zum Prüfen der S-Parameter von Transistoren bei Frequenzen größer als 31,8 GHz,
  2. nicht belegt,
  3. zum Prüfen von integrierten Mikrowellenschaltungen, die von Unternummer 3A001b2 erfasst werden.

3C Werkstoffe und Materialien

3C001 Hetero-epitaxiale Werkstoffe oder Materialien aus einem "Substrat", das mehrere Epitaxieschichten aus einem der folgenden Materialien enthält:

  1. Silizium (Si),
  2. Germanium (Ge),
  3. Siliziumkarbid (SiC) oder
  4. "III/V-Verbindungen " von Gallium oder Indium.
Anmerkung: Unternummer 3C001d erfasst nicht ein "Substrat" mit einer oder mehreren p-Typ-Epitaxieschichten aus GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP oder InGaAlP, unabhängig von der Folge der Elemente, außer wenn die p-Typ-Epitaxieschicht zwischen n-Typ-Schichten liegt.

3C002 Fotoresists wie folgt und "Substrate", die mit folgenden Fotoresists beschichtet sind:

  1. Fotoresists, entwickelt für die Halbleiter-Lithografie, wie folgt:
    1. Positiv-Fotoresists, eingestellt (optimiert) für den Einsatz bei Wellenlängen kleiner als 245 nm und größer/gleich 15 nm,
    2. Fotoresists, eingestellt (optimiert) für den Einsatz bei Wellenlängen kleiner als 15 nm und größer als 1 nm,
  2. alle Fotoresists, entwickelt zur Verwendung mit Elektronen- oder Ionenstrahlen mit einer Empfindlichkeit von besser/gleich 0,01 µcoulomb/mm2,
  3. nicht belegt,
  4. alle Fotoresists, optimiert für Oberflächen-Belichtungstechnologien,
  5. alle Fotoresists, entwickelt oder optimiert für die Verwendung in von Unternummer 3B001f2 erfassten Anlagen für die Imprintlithografie, die entweder thermische oder lichtaushärtende Prozesse verwenden.

3C003 Organisch-anorganische Verbindungen wie folgt:

  1. Metallorganische Verbindungen aus Aluminium, Gallium oder Indium mit einer Reinheit (bezogen auf das Metall) größer als 99,999 %;
  2. Organische Arsen-, Antimon- oder Phosphorverbindungen mit einer Reinheit (bezogen auf das anorganische Element) größer als 99,999 %.
Anmerkung: Nummer 3C003 erfasst nur Verbindungen, deren metallisches, halbmetallisches oder nichtmetallisches Element direkt an das Kohlenstoffatom im organischen Teil des Moleküls gebunden ist.

3C004 Phosphor-, Arsen- oder Antimonhydride mit einer Reinheit größer als 99,999 %, auch verdünnt in Inertgasen oder Wasserstoff.

Anmerkung: Nummer 3C004 erfasst nicht Hydride, die 20 Molprozent oder mehr Inertgase oder Wasserstoff enthalten.

3C005 Siliziumkarbid (SiC)-, Galliumnitrid (GaN)-, Aluminiumnitrid (AlN)- oder Aluminiumgalliumnitrid (AlGaN)-Halbleiter-"Substrate" oder -Stäbe (ingots, boules) oder andere Vorformen dieser Materialien mit einem spezifischen Widerstand größer als 10.000 Ohm cm bei einer Temperatur von 20 °C.

3C006 "Substrate", erfasst von Nummer 3C005, mit mindestens einer Epitaxieschicht aus Siliziumkarbid, Galliumnitrid, Aluminiumnitrid oder Aluminiumgalliumnitrid.

3D Datenverarbeitungsprogramme (Software)

3D001 "Software", besonders entwickelt für die "Entwicklung" oder "Herstellung" von Ausrüstung, die von den Unternummern 3A001b bis 3A002h oder Nummer 3B erfasst wird.

3D002 "Software", besonders entwickelt für die "Verwendung" von Ausrüstung, die von den Unternummern 3B001a bis f, Nummer 3B002 oder Nummer 3A225 erfasst wird.

3D003 'Physik-basierende' (physics-based) "Simulationssoftware", besonders entwickelt für die "Entwicklung" von lithografischen Prozessen, Ätz- oder Abscheidungsprozessen für das Übertragen von Maskenmustern in spezifische topografische Muster von Leiterbahnen, dielektrischen oder Halbleitermaterialien.

Technische Anmerkung: 'Physik-basierend' (physics-based) bedeutet in Nummer 3D003, eine Abfolge von physikalischen Kausalvorgängen auf der Grundlage physikalischer Kennwerte (z.B. Temperatur, Druck, Diffusionskonstanten sowie Materialeigenschaften von Halbleitern) rechnerisch zu ermitteln.

Anmerkung: Die Bibliotheken, die Entwurfsattribute oder die zugehörigen Daten zum Entwurf von Halbleiterbauelementen oder integrierten Schaltungen gelten als "Technologie".

3D004 "Software", besonders entwickelt für die "Entwicklung" der von Unternummer 3A003 erfassten Ausrüstung.

3D101 "Software", besonders entwickelt oder geändert für die "Verwendung" der von Unternummer 3A101b erfassten Ausrüstung.

3D225 "Software" besonders entwickelt zur Leistungssteigerung oder Aufhebung der Beschränkungen der Frequenzumwandler oder Generatoren, um den Eigenschaften der Nummer 3A225 zu entsprechen.

3E Technologie

3E001 "Technologie" entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die "Entwicklung" oder "Herstellung" von Ausrüstung, Werkstoffen oder Materialien, die von Nummer 3A, 3B oder 3C erfasst werden.

Anmerkung 1: Nummer 3E001 erfasst nicht "Technologie" für Ausrüstung oder Bestandteile, die in Nummer 3A003 erfasst werden.

Anmerkung 2: Nummer 3E001 erfasst nicht "Technologie" für integrierte Schaltungen, die von den Unternummern 3A001a3 bis 3A001a12 erfasst werden, mit allen folgenden Eigenschaften:

  1. Verwendung einer "Technologie" mit minimalen Strukturbreiten größer/gleich 0,130 µm und
  2. Multilayer-Strukturen mit drei oder weniger Metallisierungsebenen.

3E002 "Technologie" entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung, die nicht von Nummer 3E001 erfasst wird, für die "Entwicklung" oder "Herstellung" eines Mikroprozessor-, Mikrocomputer- oder Mikrocontroller-Kerns (core), der eine Arithmetisch-Logische Einheit (ALU) mit einer Zugriffsbreite größer/gleich 32 Bit enthält und mit einer der folgenden Eigenschaften oder Charakteristiken:

  1. eine 'Vektoreinheit', die mehr als zwei Berechnungen auf Gleitkomma-Vektoren (eindimensionale Felder von Zahlen mit einer Darstellung von 32 Bit oder mehr) gleichzeitig ausführen kann,
    Technische Anmerkung: Eine 'Vektoreinheit' ist ein Prozessorelement mit eingebauten Befehlen, die Mehrfachrechnungen auf Gleitkomma-Vektoren (eindimensionale Felder aus Zahlen von 32 Bit oder länger) gleichzeitig ausführen kann und die mindestens eine Vektor-ALU (Arithmetisch-Logische-Einheit) und Vektorregister von mindestens je 32 Elementen enthält.
  2. entwickelt, um mehr als vier Gleitkomma-Ergebnisse mit einer Wortlänge von 64 Bit oder größer pro Taktzyklus zu erzielen, oder
  3. entwickelt, um mehr als acht Festkomma-Multiplikations-Additions-(multiply-accumulate) Ergebnisse mit einer Wortlänge von 16 Bit pro Taktzyklus zu erzielen (d. h. digitale Verarbeitung von analogen Eingangsdaten, die in digitale Darstellung gebracht wurden, auch bekannt unter dem Begriff: digitale "Signalverarbeitung").
Anmerkung 1: Nummer 3E002 erfasst nicht "Technologie" für Multimedia-Erweiterungen.

Anmerkung 2: Nummer 3E002 erfasst nicht "Technologie" für Mikroprozessorkerne mit allen folgenden Eigenschaften:

  1. Verwendung einer "Technologie" mit minimalen Strukturbreiten größer/gleich 0,130 µm und
  2. Multilayer-Strukturen mit fünf oder weniger Metallisierungsschichten.

Anmerkung 3: Nummer 3E002 schließt "Technologie" für die "Entwicklung" oder "Herstellung" digitaler Signalprozessoren und digitaler Array-Prozessoren ein.

3E003 "Technologie" wie folgt für die "Entwicklung" oder "Herstellung" folgender Güter:

  1. mikroelektronische Vakuumbauelemente,
  2. elektronische Halbleiterbauelemente mit heterogener Struktur, z.B. HEMT (high electron mobility transistors), HBT (hetero-bipolar transistors), quantum well devices oder super lattice devices,
    Anmerkung: Nummer 3E003b erfasst nicht "Technologie" für HEMT (high electron mobility transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz sowie HBT (hetero-bipolar transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz.
  3. "supraleitende" elektronische Bauelementen,
  4. Substrate mit Diamantfilmen für elektronische Bauelemente,
  5. Substrate aus silicon-on-insulator (SOI) für integrierte Schaltungen, wobei der Isolator aus Siliziumdioxid besteht,
  6. Substrate aus Siliziumkarbid für elektronische Bauelemente,
  7. 'elektronische Vakuumbauelemente' mit Betriebsfrequenzen größer/gleich 31,8 GHz.

3E101 "Technologie" entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die "Verwendung" von Ausrüstung oder "Software", erfasst von Unternummer 3A001a1 oder 3A001a2, Nummer 3A101, 3A102 oder 3D101.

3E102 "Technologie" entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die "Entwicklung" von "Software", erfasst von Nummer 3D101.

3E201 "Technologie" entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die "Verwendung" von Ausrüstung erfasst von den Unternummern 3A001e2, 3A001e3 und 3A001g sowie den Nummern 3A201 und 3A225 bis 3A234.

3E225 "Technologie" in Form von Lizenzschlüsseln oder Produkt-Keys zur Leistungssteigerung oder Aufhebung der Beschränkungen der Frequenzumwandler oder Generatoren, um den Eigenschaften der Nummer 3A225 zu entsprechen.

Kategorie 4
Rechner

Anmerkung 1: Rechner, verwandte Geräte und "Software" für Telekommunikations- oder "Local Area Network"-Funktionen sind auch nach den Leistungsmerkmalen der Kategorie 5, Teil 1 (Telekommunikation), zu bewerten.

Anmerkung 2: Steuereinheiten, die Bussysteme oder Kanäle von Zentraleinheiten, "Hauptspeicher" oder Plattensteuerungen direkt verbinden, gelten nicht als Telekommunikationsgeräte im Sinne der Kategorie 5, Teil 1 (Telekommunikation).

Anmerkung: Die Erfassung von "Software", besonders entwickelt für die Paketvermittlung, richtet sich nach Nummer 5D001.

4A Systeme, Ausrüstung und Bestandteile

4A001 Elektronische Rechner und verwandte Geräte mit einer der folgenden Eigenschaften sowie "elektronische Baugruppen" und besonders konstruierte Bestandteile hierfür:

Anmerkung: SIEHE AUCH NUMMER 4A101.
  1. besonders konstruiert für eine der folgenden Eigenschaften:
    1. ausgelegt für den Betrieb bei Umgebungstemperaturen unterhalb 228 K (- 45 °C) oder oberhalb 358 K (85 °C) oder
      Anmerkung: Unternummer 4A001a1 gilt nicht für Rechner, besonders konstruiert zur Verwendung in zivilen Kraftfahrzeugen, Eisenbahnzügen oder "zivilen Luftfahrzeugen".
    2. unempfindlich gegen Strahlungsbelastungen (radiation-hardened), die höher sind als einer der folgenden Grenzwerte:
      1. Gesamtstrahlungsdosis 5 × 103 Gy (Silizium),
      2. kritische Strahlungsdosisleistung 5 × 106 Gy (Silizium)/s oder
      3. Einzelereignis-Grenzwerte (SEU) 1 × 10-8 Fehler/bit/Tag;
      Anmerkung: Unternummer 4A001a2 gilt nicht für Rechner, besonders konstruiert zur Verwendung in "zivilen Luftfahrzeugen".
  2. nicht belegt.

4A003 "Digitalrechner", "elektronische Baugruppen" und verwandte Geräte wie folgt sowie besonders konstruierte Bestandteile hierfür:

Anmerkung 1: Nummer 4A003 schließt Folgendes ein:

Anmerkung 2: Die Erfassung von in Nummer 4A003 beschriebenen "Digitalrechnern" und verwandten Geräten richtet sich nach dem Erfassungsstatus anderer Geräte oder Systeme, sofern

  1. die "Digitalrechner" oder die verwandten Geräte wesentlich sind für die Funktion der anderen Geräte oder Systeme,
  2. die "Digitalrechner" oder verwandten Geräte nicht einen "Hauptbestandteil" der anderen Geräte oder Systeme darstellen und

    Anmerkung 1: Die Erfassung von Geräten zur "Signaldatenverarbeitung" oder "Bildverarbeitung", besonders konstruiert für andere Einrichtungen unter Einhaltung der Funktionsgrenzwerte dieser anderen Einrichtungen, wird durch den Erfassungsstatus der anderen Einrichtungen auch dann bestimmt, wenn das Kriterium des "Hauptbestandteils" nicht mehr erfüllt ist.

    Anmerkung 2: Die Erfassung von "Digitalrechnern" oder verwandten Geräten für Telekommunikationseinrichtungen richtet sich nach Kategorie 5, Teil 1 (Telekommunikation).

  3. die "Technologie" für die "Digitalrechner" oder verwandten Geräte von Nummer 4E geregelt wird.
  1. nicht belegt;
  2. "Digitalrechner" mit einer "angepassten Spitzenleistung" ("APP") größer als 16 gewichtete Teraflops (WT);
  3. "elektronische Baugruppen", besonders konstruiert oder geändert zur Steigerung der Rechenleistung durch Zusammenschalten von Prozessoren, so dass die "angepasste Spitzenleistung""APP" den Grenzwert von Unternummer 4A003b überschreiten kann;
    Anmerkung 1: Unternummer 4A003c gilt nur für "elektronische Baugruppen" und programmierbare Zusammenschaltungen, die die Grenzwerte der Unternummer 4A003b nicht überschreiten, soweit sie als einzelne "elektronische Baugruppen" geliefert werden.

    Anmerkung 2: Unternummer 4A003c erfasst keine "elektronischen Baugruppen", besonders konstruiert für Produkte oder Produktfamilien, deren Maximalkonfiguration den Grenzwert der Unternummer 4A003b nicht überschreitet.

  4. nicht belegt;
  5. nicht belegt;
  6. nicht belegt;
  7. Geräte, besonders konstruiert für die Zusammenführung der Leistung von "Digitalrechnern" durch externe Vernetzungen, die eine Kommunikation mit unidirektionalen Datenraten über 2,0 GByte/s pro Link erlauben.
    Anmerkung: Unternummer 4A003g erfasst keine Geräte zur internen Vernetzung (z.B. Rückwandplatinen, Bussysteme), passives Netzwerkzubehör, "Netzzugangssteuerungen" oder "Kommunikationskanalsteuerungen".

4A004 Rechner wie folgt und besonders konstruierte, verwandte Geräte, "elektronische Baugruppen" und Bauteile hierfür:

  1. "systolische Array-Rechner",
  2. "neuronale Rechner",
  3. "optische Rechner".

4A005 Systeme, Geräte und Bestandteile hierfür, besonders entwickelt oder geändert für die Erzeugung, die Steuerung und Kontrolle (command and control) oder die Bereitstellung von "Intrusion-Software".

4A101 Analogrechner, "Digitalrechner" oder digitale Differenzialanalysatoren, die nicht von Unternummer 4A001a1 erfasst werden, besonders robust (ruggedized) und konstruiert oder geändert zur Verwendung in von Nummer 9A004 erfassten Trägerraketen oder von Nummer 9A104 erfassten Höhenforschungsraketen.

4A102 "Hybridrechner", besonders konstruiert für die Modellbildung, Simulation oder Integrationsplanung der von Nummer 9A004 erfassten Trägerraketen oder von Nummer 9A104 erfassten Höhenforschungsraketen.

Anmerkung: Nummer 4A102 erfasst nur Ausrüstung in Verbindung mit der von Nummer 7D103 oder 9D103 erfassten "Software".

4B Prüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen

Kein Eintrag.

4C Werkstoffe und Materialien

Kein Eintrag.

4D Datenverarbeitungsprogramme (Software)

Anmerkung: Der Erfassungsstatus von "Software" für in anderen Kategorien beschriebene Ausrüstung wird in den zutreffenden Kategorien geregelt.

4D001 "Software" wie folgt:

  1. "Software", besonders entwickelt oder geändert für die "Entwicklung" oder "Herstellung" von Einrichtungen oder "Software", die von Nummer 4A001 bis 4A004 oder 4D erfasst werden;
  2. "Software", die nicht von Unternummer 4D001a erfasst wird, besonders entwickelt oder geändert für die "Entwicklung" oder "Herstellung" der folgenden Geräte:
    1. "Digitalrechner" mit einer "angepassten Spitzenleistung""APP" größer als 8,0 gewichtete Teraflops (WT);
    2. "elektronische Baugruppen", besonders konstruiert oder geändert zur Steigerung der Rechenleistung durch Zusammenschalten von Prozessoren, so dass die "angepasste Spitzenleistung""APP" den Grenzwert von Unternummer 4D001b1 überschreiten kann.

4D002 Nicht belegt.

4D003 Nicht belegt.

4D004 "Software", besonders entwickelt oder geändert für die Erzeugung, die Steuerung und die Kontrolle (command and control) oder die Bereitstellung von "Intrusion-Software".

4E Technologie

4E001

  1. "Technologie" entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die "Entwicklung", "Herstellung" oder "Verwendung" von Einrichtungen oder "Software", die von Nummer 4A oder 4D erfasst werden;
  2. "Technologie" entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung, die nicht von Unternummer 4E001a erfasst wird, für die "Entwicklung" oder "Herstellung" der folgenden Geräte:
    1. "Digitalrechner" mit einer "angepassten Spitzenleistung""APP" größer als 8,0 gewichtete Teraflops (WT);
    2. "elektronische Baugruppen", besonders konstruiert oder geändert zur Steigerung der Rechenleistung durch Zusammenschalten von Prozessoren, so dass die "angepasste Spitzenleistung""APP" den Grenzwert von Unternummer 4E001b1 überschreiten kann.
  3. "Technologie" für die "Entwicklung" von "Intrusion-Software".

Technische Anmerkung zur "Angepassten Spitzenleistung" "APP" (Adjusted Peak Performance)

Die "APP" ist ein Parameter, der beschreibt, mit welcher Leistung ein "Digitalrechner" Gleitkomma-Additionen und Multiplikationen mit einer Wortlänge von 64 Bit oder mehr ausführen kann.

Die "angepasste Spitzenleistung""APP" ist eine Maßzahl für die Rechnerleistung, angegeben in gewichteten Teraflops (WT), d. h. in Einheiten von 1012angepassten Gleitkomma-Operationen pro Sekunde.

Abkürzungen in dieser technischen Anmerkung

n Anzahl der Prozessoren im "Digitalrechner"
i Nummer des Prozessors (i,...n)
ti Prozessor-Zykluszeit (ti = 1/Fi)
Fi Prozessor-Frequenz
Ri Gleitkomma-Verarbeitungsrate des i-ten Prozessors (Maximalwert)
Wi Korrekturfaktor (Anpassungsfaktor) für die Prozessorarchitektur

Übersicht über die Berechnung der "APP"

1. Für jeden Prozessor i im "Digitalrechner" ist die höchste erreichbare Anzahl von 64-Bit oder größeren Gleitkomma-Operationen FPOi zu bestimmen, die pro Taktzyklus ausgeführt werden.

Anmerkung: Zur Bestimmung der FPO werden nur Gleitkomma-Additionen oder Multiplikationen mit einer Wortlänge von 64 Bit oder größer berücksichtigt. Alle Gleitkomma-Operationen müssen als Operationen pro Prozessortakt angegeben werden; Operationen, die mehr als einen Taktzyklus benötigen, können in Bruchteilen pro Zyklus angegeben werden. Für Prozessoren, die keine Berechnungen mit Operandenlängen von 64 Bit oder mehr ausführen können, ist die effektive Verarbeitungsrate R gleich Null.

2. Die Gleitkomma-Verarbeitungsrate Ri = FPOi/ti ist für jeden Prozessor zu berechnen.

3. Die "APP" ist wie folgt zu berechnen: "APP" = W1 × R1 + W2 × R2 +...+ Wn × Rn.

4. Für 'Vektorprozessoren' ist der Anpassungsfaktor Wi = 0,9, für Nicht-'Vektorprozessoren' ist Wi = 0,3.

Anmerkung 1: Für Prozessoren, die zusammengesetzte Operationen in einem Taktzyklus ausführen, wie Addition und Multiplikation, wird jede Operation gezählt.

Anmerkung 2: Für einen Prozessor mit einer Pipeline (pipelined processor) ist als effektive Verarbeitungsrate R der höhere aus den Werten ohne Pipeline oder mit vollständig gefüllter Pipeline zu nehmen.

Anmerkung 3: Die Verarbeitungsrate R jedes beitragenden Prozessors ist zuerst zu ihrem theoretischen Maximum zu bestimmen, bevor die "APP" der Kombination ermittelt wird. Es ist von simultan ausführbaren Rechenoperationen auszugehen, wenn der Hersteller in seinen Handbüchern oder Datenblättern angibt, dass konkurrierende, parallele oder simultane Rechenoperationen oder Befehlsausführung existieren.

Anmerkung 4: Prozessoren, die beschränkt sind auf Ein-/Ausgabe- oder periphere Funktionen (z.B. Plattenspeicher, Kommunikationsprozessoren oder Videoanzeigen), werden nicht in die Berechnung der "APP" eingeschlossen.

Anmerkung 5: "APP"-Werte sind nicht zu berechnen für Prozessorkombinationen, die über lokale Netzwerkverbindungen, über Weitverkehrs-Netzwerkverbindungen, Verbindungen über gemeinsame Ein-/Ausgangsleitungen oder Geräte, Ein-/Ausgangskontroller oder jedwede Art von Kommunikationsverbindung, die durch "Software" implementiert ist, verbunden sind.

Anmerkung 6: "APP"-Werte sind zu berechnen für Prozessorkombinationen, die simultan arbeitende und gemeinsamen Speicher besitzende Prozessoren enthalten, die besonders entwickelt sind zur Steigerung der Rechenleistung durch Zusammenschaltung.

Technische Anmerkung:
  1. Alle Prozessoren und Beschleuniger, die simultan arbeiten und auf demselben Chip angeordnet sind, sind bei der Berechnung zusammenzufassen.
  2. Prozessorkombinationen verfügen dann über einen gemeinsamen Speicher, wenn jeder Prozessor auf jeden Speicherort im System durch Hardware-Übertragung von Cache-Zeilen oder Speicherworten ohne Beteiligung eines Softwaremechanismus zugreifen kann, was unter Verwendung der von Unternummer 4A003c erfassten "elektronischen Baugruppen" erreicht werden kann.

Anmerkung 7: Ein 'Vektorprozessor' ist definiert als ein Prozessor mit eingebauten Befehlen, die Mehrfachrechnungen auf Gleitkomma-Vektoren (eindimensionale Felder aus Zahlen von 64 Bit oder länger) ausführen, der mindestens über 2 Vektor-Funktionseinheiten und mindesten über 8 Vektorregister von mindestens 64 Elementen verfügt.

Kategorie 5
Telekommunikation und "Informationssicherheit"

Teil 1
Telekommunikation

Anmerkung 1: Die Erfassung von Bestandteilen, Test- und "Herstellungseinrichtungen" und "Software" hierfür, die für Telekommunikationseinrichtungen oder -systeme besonders entwickelt sind, richtet sich nach Kategorie 5, Teil 1.
Anmerkung: Für "Laser", besonders entwickelt für Telekommunikationseinrichtungen oder -systeme: siehe Nummer 6A005.

Anmerkung 2: "Digitalrechner", verwandte Geräte (Peripherie) oder "Software", soweit notwendig für den Betrieb und die Unterstützung von in dieser Kategorie beschriebenen Telekommunikationsgeräten, gelten als besonders entwickelte Bestandteile, sofern sie standardmäßig vom Hersteller vorgesehene Typen sind. Dies schließt Betriebs-, Verwaltungs-, Wartungs-, Entwicklungs- oder Gebühren-(Billing-)Computer-Systeme ein.

5A1 Systeme, Ausrüstung und Bestandteile

5A001 Telekommunikationssysteme, Geräte, Bestandteile und Zubehör wie folgt:

  1. jede Art von Telekommunikationsgeräten mit einer der folgenden Eigenschaften, Funktionen oder einem der folgenden Leistungsmerkmale:
    1. besonders entwickelt, um transienten Störstrahlungen oder elektromagnetischen Impulsen (EMP), erzeugt durch eine Kernexplosion, zu widerstehen,
    2. besonders geschützt, um Gamma-, Neutronen- oder Ionen-Strahlung zu widerstehen, oder
    3. besonders entwickelt für den Betrieb unter 218 K (- 55°C) oder über 397 K (124°C);
      Anmerkung: Unternummer 5A001a3 gilt nur für elektronische Geräte.
    Anmerkung: Unternummern 5A001a2 und 5A001a3 erfassen nicht Geräte, entwickelt oder geändert für den Einsatz in Satelliten.
  2. Telekommunikationssysteme und -geräte sowie besonders entwickelte Bestandteile und besonders entwickeltes Zubehör hierfür mit einer der folgenden Eigenschaften, Funktionen oder einem der folgenden Leistungsmerkmale:
    1. unabhängige Unterwasser-Kommunikationssysteme mit einer der folgenden Eigenschaften:
      1. akustische Trägerfrequenz außerhalb des Bereichs von 20 kHz bis 60 kHz,
      2. elektromagnetische Trägerfrequenz kleiner als 30 kHz,
      3. elektronische Strahlsteuerungstechniken oder
      4. Verwendung von "Lasern" oder Licht emittierenden Dioden (LEDs) mit einer Ausgangswellenlänge größer als 400 nm und kleiner gleich 700 nm, in einem "Local Area Network".
    2. Funkgeräte für den Einsatz im Bereich 1,5 MHz bis 87,5 MHz mit allen folgenden Eigenschaften:
      1. automatische Vorwahl und Auswahl der Frequenzen und der "gesamten digitalen Übertragungsraten" pro Kanal zur Optimierung der Übertragung und
      2. ausgestattet mit einem Linear-Leistungsverstärker mit der Fähigkeit, gleichzeitig Mehrfachsignale mit einer Ausgangsleistung größer/gleich 1 kW im Frequenzbereich größer/gleich 1,5 MHz und kleiner als 30 MHz oder größer/gleich 250 W im Frequenzbereich größer/gleich 30 MHz und kleiner/gleich 87,5 MHz abzugeben, bei einer "Momentan-Bandbreite" größer/gleich einer Oktave und mit einem Oberwellen- und Klirranteil besser als -80 dB.
    3. Funkgeräte, die nicht von Unternummer 5A001b4 erfasst werden, die "Gespreiztes-Spektrum-Verfahren", einschließlich "Frequenzsprungverfahren" verwenden, und mit einer der folgenden Eigenschaften:
      1. anwenderprogrammierbare Spreizungs-Codes oder
      2. gesamte gesendete Bandbreite mit 100facher oder mehr als 100facher Bandbreite eines beliebigen einzelnen Informationskanals und mit mehr als 50 kHz Bandbreite,
        Anmerkung: Unternummer 5A001b3b erfasst keine Funkausrüstung, die besonders für die Verwendung mit einer der folgenden Einrichtungen entwickelt ist:
        1. zivile zellulare Funk-Kommunikationssysteme oder
        2. ortsfeste oder mobile Satellitenbodenstationen für die kommerzielle zivile Telekommunikation.
      Anmerkung: Unternummer 5A001b3 erfasst keine Geräte, entwickelt für eine Ausgangsleistung (Sendeleistung) von kleiner/gleich 1 W.
    4. Funkgeräte, die Ultrabreitbandmodulations-Verfahren verwenden, mit anwenderprogrammierbaren Channelization-, Scrambling- oder Netzwerkidentifizierungscodes, und mit einer der folgenden Eigenschaften:
      1. Bandbreite größer als 500 MHz oder
      2. "normierte Bandbreite" (fractional bandwidth) größer/gleich 20 %.
    5. digitale Funkempfänger mit allen folgenden Eigenschaften:
      1. mit mehr als 1.000 Kanälen,
      2. 'Kanalumschaltzeit' kleiner als 1 ms,
      3. automatisches Absuchen eines Teils des elektromagnetischen Spektrums und
      4. Identifizierung der empfangenen Signale oder des Sendertyps oder
        Anmerkung: Unternummer 5A001b5 erfasst keine Funkausrüstung, die besonders für die Verwendung in zivilen zellularen Funk-Kommunikationssystemen entwickelt ist.

        Technische Anmerkung: 'Kanalumschaltzeit': die beim Wechsel der Empfangsfrequenz benötigte Zeit (d. h. Verzögerung) bis zum Erreichen der gewählten Empfangsfrequenz oder einer Frequenz innerhalb von ± 0,05 % der gewählten Empfangsfrequenz. Güter mit einem spezifizierten Frequenzbereich von weniger als ± 0,05 % um ihre Mittenfrequenz werden als nicht fähig zur Umschaltung der Kanalfrequenz definiert.

    6. Funktionen der digitalen "Signaldatenverarbeitung", die ein 'sprachcodiertes' Ausgangssignal mit einer Übertragungsrate von weniger als 700 bit/s erlauben.
    Technische Anmerkungen:
    1. Für 'Sprachcodierung' mit variabler Codierrate (variable rate voice coding) ist die Unternummer 5A001b6 auf das 'sprachcodierte' Ausgangssignal bei kontinuierlicher Sprache (voice coding output of continuous speech) anzuwenden.
    2. Im Sinne von Unternummer 5A001b6 wird 'Sprachcodierung' definiert als ein Verfahren, bei dem abgetastete Signale unter Berücksichtigung der Besonderheiten der menschlichen Sprache in ein digitales Signal umgesetzt werden.
  3. Lichtwellenfasern von mehr als 500 m Länge mit einer vom Hersteller spezifizierten 'Prüf-Zugfestigkeit' größer/gleich 2 × 109 N/m2,
    Anmerkung: Für Unterwasser-Versorgungskabel: siehe Unternummer 8A002a3.

    Technische Anmerkung: 'Prüf-Zugfestigkeit' (proof test): Eine an den Produktionsprozess gekoppelte oder davon unabhängige Fertigungsprüfung, bei der die vorgeschriebene Zugbeanspruchung dynamisch auf eine Länge des Lichtwellenleiters von 0,5 bis 3 m und mit einer Geschwindigkeit von 2 bis 5 m/s beim Durchzug zwischen Antriebsrollen von ca. 150 mm Durchmesser aufgebracht wird. Die Umgebungstemperatur muss dabei nominell 293 K (20°C) und die relative Feuchte 40 % betragen. Vergleichbare nationale Normen können zum Messen der 'Prüf-Zugfestigkeit' verwendet werden.

  4. "elektronisch phasengesteuerte Antennengruppen" wie folgt:
    1. ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen über 31,8 GHz, jedoch nicht über 57 GHz, mit einer effektiven Strahlungsleistung (ERP) von mindestens +20 dBm (22,15 dBm äquivalente isotrope Strahlungsleistung (EIRP));
    2. ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen über 57 GHz, jedoch nicht über 66 GHz, mit einer effektiven Strahlungsleistung (ERP) über +24 dBm (26,15 dBm EIRP);
    3. ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen über 66 GHz, jedoch nicht über 90 GHz, mit einer effektiven Strahlungsleistung (ERP) von mindestens +20 dBm (22,15 dBm EIRP);
    4. ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen über 90 GHz;
    Anmerkung: Unternummer 5A001d erfasst nicht "elektronisch phasengesteuerte Antennengruppen" für Instrumenten-Landesysteme gemäß ICAO-Empfehlungen für Mikrowellen-Landesysteme (MLS).
  5. Funkpeilausrüstung mit Betriebsfrequenzen größer 30 MHz und besonders konstruierte Bestandteile hierfür, mit allen folgenden Eigenschaften:
    1. "Momentan-Bandbreite" größer/gleich 10 MHz und
    2. geeignet, eine Peillinie (Line Of Bearing, LOB) zu nicht kooperierenden Sendern, die mit einer Signaldauer kleiner 1 ms ausstrahlen, zu ermitteln;
  6. Ausrüstung für das Abhören oder Stören von mobiler Kommunikation sowie Überwachungsausrüstung hierfür, wie folgt, sowie besonders hierfür konstruierte Bestandteile:
    1. Abhörausrüstung, konstruiert für die Extraktion von über die Luftschnittstelle übermittelten Sprachinformationen oder Daten;
    2. nicht von Unternummer 5A001f1 erfasste Abhörausrüstung, konstruiert für die Extraktion der Endgeräte- oder der Teilnehmer-Kennungen (z.B. IMSI, TMSI oder IMEI), der Signalisierung oder anderer über die Luftschnittstelle übertragener Metadaten;
    3. Störausrüstung, besonders entwickelt oder geändert, um absichtlich und selektiv Mobilfunkdienste zu überlagern, zurückzuweisen, zu blockieren, zu beeinträchtigen oder zu manipulieren, mit einer der folgenden Eigenschaften:
      1. Vortäuschen der Funktionen von Einrichtungen eines Funkzugangsnetzes (RAN, Radio Access Network),
      2. Erkennen und Ausnutzen spezifischer Merkmale des angewendeten Protokolls der mobilen Kommunikation (z.B. GSM) oder
      3. Ausnutzen spezifischer Merkmale des angewendeten Protokolls der mobilen Kommunikation(z.B. GSM);
    4. Funkfrequenz-Überwachungsausrüstung, konstruiert oder geändert, um den Betrieb von in den Unternummern 5A001f1, 5A001f2 oder 5A001f3 erfassten Gütern zu erkennen.
    Anmerkung: Die Unternummern 5A001f1 und 5A001f2 erfassen nicht folgende Güter:
    1. Ausrüstung, besonders konstruiert für das Abhören analoger privater Mobilfunksysteme (PMR), IEEE 802.11 WLAN,
    2. Ausrüstung, konstruiert für Betreiber von Mobilfunknetzen oder
    3. Ausrüstung, konstruiert für die "Entwicklung" oder "Herstellung" von Mobilfunkausrüstung oder -systemen.

    Anmerkung 1: Siehe auch LISTE FÜR WAFFEN, MUNITION UND RÜSTUNGSMATERIAL.

    Anmerkung 2: Funkempfänger siehe Unternummer 5A001b5.

  7. passive Lokalisierungssysteme (Passive Coherent Location systems, PCL) oder Ausrüstung, besonders konstruiert zur Detektion und Verfolgung sich bewegender Objekte durch Auswertung der im Umfeld herkömmlicher Funksender (Nicht-Radar-Sender) auftretenden Reflexionen;
    Technische Anmerkung: Der Begriff herkömmlicher Funksender (Nicht-Radar-Sender) kann sich auf Rundfunksender, Fernsehsender oder Mobilfunk-Basisstationen beziehen.

    Anmerkung: Unternummer 5A001g erfasst nicht folgende Güter:

    1. radioastronomische Ausrüstung oder
    2. Systeme und Geräte, die eine Funkaussendung vom Zielobjekt benötigen.
  8. Ausrüstung zur Abwehr unkonventioneller Spreng- und Brandvorrichtungen (USBV) und verwandte Ausrüstung, wie folgt:
    1. nicht von Unternummer 5A001f erfasste Funkfrequenz-Sendeausrüstung, konstruiert oder geändert zur vorzeitigen Auslösung oder zur Verhinderung der Zündung von unkonventionellen Spreng- und Brandvorrichtungen;
    2. Ausrüstung, die Techniken verwendet, die die Funk-Kommunikation auf denselben Frequenzkanälen ermöglichen, auf denen von Unternummer 5A001h1 erfasste Geräte am gleichen Standort senden.
    Anmerkung: Siehe auch LISTE FÜR WAFFEN, MUNITION UND RÜSTUNGSMATERIAL.
  9. nicht belegt,
  10. Systeme oder Ausrüstung zur Überwachung der Kommunikation in IP-Netzen (Internet-Protokoll) und besonders konstruierte Bestandteile hierfür mit allen folgenden Eigenschaften:
    1. für die Ausführung aller folgenden Operationen in einem Carrier-Class Internet Protocol Network (z.B. nationales IP-Backbone):
      1. Analyse auf der Anwendungsschicht (application layer) (z.B. Schicht 7 des OSI-Modells (Open Systems Interconnection) (ISO/IEC 7498-1));
      2. Extraktion ausgewählter Metadaten und Anwendungsinhalte (z.B. Sprache, Video, Nachrichten, Anhänge) und
      3. Indexierung extrahierter Daten und
    2. besonders konstruiert um alle folgenden Operationen auszuführen:
      1. Durchführung von Suchvorgängen auf der Grundlage von 'hard selectors'und
      2. Darstellung des Beziehungsgeflechts einer Einzelperson oder einer Gruppe von Personen.
      Anmerkung: Unternummer 5A001j erfasst keine Systeme oder Ausrüstung besonders konstruiert für einen der folgenden Zwecke:
      1. Marketingzwecke,
      2. Dienstgüte des Netzwerks (Quality of Service - QoS) oder
      3. Nutzerzufriedenheit (Quality of Experience - QoE).

      Technische Anmerkung: 'Hard selectors': Daten oder Datensätze, die sich auf eine Einzelperson beziehen (z.B. Nachname, Vorname, E-Mail-Adresse, Postadresse, Telefonnummer oder Zugehörigkeit zu bestimmten Gruppen).

5A101 Fernmess- und Fernsteuerungsausrüstung, einschließlich Bodenausrüstung, konstruiert oder geändert für 'Flugkörper'.

Technische Anmerkung: 'Flugkörper' im Sinne von Nummer 5A101 bedeutet vollständige Raketensysteme und unbemannte Luftfahrzeugsysteme mit einer Reichweite größer als 300 km.

Anmerkung: Nummer 5A101 erfasst nicht:

  1. Ausrüstung, konstruiert oder geändert für bemannte Luftfahrzeuge oder Satelliten;
  2. bodengestützte Ausrüstung, konstruiert oder geändert für terrestrische oder maritime Anwendungen;
  3. Ausrüstung, konstruiert für kommerzielle, zivile oder sicherheitskritische (z.B. Datenintegrität, Flugsicherheit) GNSS-Dienste.

5B1 Prüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen

5B001 Telekommunikationsprüf-, -test- und -herstellungseinrichtungen, Bestandteile und Zubehör wie folgt:

  1. Einrichtungen und besonders konstruierte Bestandteile sowie besonders konstruiertes Zubehör hierfür, besonders entwickelt für die "Entwicklung" oder "Herstellung" von Einrichtungen, Funktionen oder Leistungsmerkmalen, die von Nummer 5A001 erfasst werden;
    Anmerkung: Unternummer 5B001a erfasst nicht Ausrüstung zur Charakterisierung von Lichtwellenleitern.
  2. Einrichtungen und besonders konstruierte Bestandteile sowie besonders konstruiertes Zubehör hierfür, besonders entwickelt für die "Entwicklung" von Telekommunikationsübertragungseinrichtungen oder Vermittlungseinrichtungen wie folgt:
    1. nicht belegt,
    2. Verwendung von "Lasern" mit einer der folgenden Eigenschaften:
      1. Übertragungswellenlänge größer als 1.750 nm oder
      2. nicht belegt,
      3. nicht belegt,
      4. Bandbreite größer als 2,5 GHz beim Einsatz von analogen Techniken oder
        Anmerkung: Unternummer 5B001b2d erfasst nicht Ausrüstung, besonders entwickelt für die "Entwicklung" kommerzieller TV-Systeme.
    3. nicht belegt,
    4. Funkgeräte mit Quadratur-Amplituden-Modulation (QAM) höher als Stufe 1.024,
    5. nicht belegt.

5C1 Werkstoffe und Materialien

Kein Eintrag.

5D1 Datenverarbeitungsprogramme (Software)

5D001 "Software" wie folgt:

  1. "Software", besonders entwickelt oder geändert für die "Entwicklung", "Herstellung" oder "Verwendung" von in Nummer 5A001 erfassten Einrichtungen, Funktionen oder Leistungsmerkmalen;
  2. nicht belegt;
  3. "Software", besonders entwickelt oder geändert zur Erzielung der von Nummer 5A001 oder 5B001 erfassten Eigenschaften, Funktionen oder Leistungsmerkmale;
  4. "Software", besonders entwickelt oder geändert für die "Entwicklung" einer der folgenden Telekommunikationsübertragungseinrichtungen oder Vermittlungseinrichtungen, wie folgt:
    1. nicht belegt,
    2. Verwendung von "Lasern" mit einer der folgenden Eigenschaften:
      1. Übertragungswellenlänge größer als 1.750 nm oder
      2. Bandbreite größer als 2,5 GHz beim Einsatz von analogen Techniken oder
        Anmerkung: Unternummer 5D001d2b erfasst keine "Software", die besonders entwickelt oder geändert ist für die "Entwicklung" von kommerziellen TV-Systemen.
    3. nicht belegt,
    4. Funkgeräte mit Quadratur-Amplituden-Modulation (QAM) höher als Stufe 1.024.

5D101 "Software", besonders entwickelt oder geändert für die "Verwendung" von Ausrüstung, erfasst von Nummer 5A101.

5E1 Technologie

5E001 "Technologie" wie folgt:

  1. "Technologie" entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die "Entwicklung", "Herstellung" oder "Verwendung" (außer Betrieb) von Einrichtungen, Funktionen oder Leistungsmerkmalen, die von Nummer 5A001 erfasst werden, oder "Software", die von Unternummer 5D001a erfasst wird;
  2. Spezifische "Technologie" wie folgt:
    1. "unverzichtbare""Technologie" für die "Entwicklung" oder "Herstellung" von Telekommunikationseinrichtungen, besonders entwickelt zur Verwendung in Satelliten,
    2. "Technologie" für die "Entwicklung" oder "Verwendung" von "Laser"-Kommunikationstechniken mit der Fähigkeit, Signale automatisch zu erfassen und zu verfolgen und Kommunikationsverbindungen durch die Exoatmosphäre oder durch Wasser zu gewährleisten,
    3. "Technologie" für die "Entwicklung" von Empfangsausrüstung für digitale, zellulare Mobilfunk-Basisstationen, die Multiband-, Multichannel-, Multimode-, Multicodingalgorithmen- oder Multiprotokollbetrieb erlaubt und deren Empfangsfähigkeiten durch Änderungen in der "Software" modifiziert werden können,
    4. "Technologie" für die "Entwicklung" von "Gespreiztem-Spektrum-Verfahren", einschließlich "Frequenzsprungverfahren".
    Anmerkung: Unternummer 5E001b4 erfasst keine "Technologie" für die "Entwicklung" einer der folgenden Einrichtungen:
    1. zivile zellulare Funk-Kommunikationssysteme oder
    2. ortsfeste oder mobile Satellitenbodenstationen für die kommerzielle zivile Telekommunikation.
  3. "Technologie" entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die "Entwicklung" oder "Herstellung" von Geräten mit einer der folgenden Eigenschaften:
    1. nicht belegt,
    2. Verwendung von "Lasern" mit einer der folgenden Eigenschaften:
      1. Übertragungswellenlänge größer als 1.750 nm oder
      2. nicht belegt,
      3. nicht belegt,
      4. Einsatz von Wellenlängen-Multiplex-Techniken mit optischen Trägern bei einem Rasterabstand von weniger als 100 GHz oder
      5. Bandbreite größer als 2,5 GHz beim Einsatz von analogen Techniken.
        Anmerkung: Unternummer 5E001c2e erfasst keine "Technologie" für kommerzielle TV-Systeme.
      Anmerkung: Zu "Technologie" für die "Entwicklung" oder "Herstellung" von Geräten, die Laser verwenden und bei denen es sich nicht um Telekommunikationsgeräte handelt, siehe Nummer 6E.
    3. Einsatz von "optischer Vermittlung" mit einer Schaltzeit von weniger als 1 ms,
    4. Funkgeräte mit einer der folgenden Eigenschaften:
      1. Quadratur-Amplituden-Modulation (QAM) höher als Stufe 1.024,
      2. Ein- oder Ausgangsfrequenzen größer als 31,8 GHz oder
        Anmerkung: Unternummer 5E001c4b erfasst keine "Technologie" für Geräte, entwickelt oder geändert für den Betrieb in einem Frequenzband, das für Funkdienste, jedoch nicht für Ortungsfunkdienste, "von der ITU zugewiesen" ist.
      3. Betriebsfrequenz im Bereich 1,5 MHz bis 87,5 MHz mit Einsatz adaptiver Verfahren, die ein Störsignal größer als 15 dB kompensieren, oder
    5. nicht belegt,
    6. Mobile Geräte mit allen folgenden Eigenschaften:
      1. optische Wellenlänge größer oder gleich 200 nm und kleiner oder gleich 400 nm und
      2. betrieben als "Local Area Network".
  4. "Technologie" entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die "Entwicklung" oder "Herstellung" von "monolithisch integrierten Mikrowellenverstärkerschaltungen" ("MMIC"-Verstärker), besonders entwickelt für die Telekommunikation, mit einer der folgenden Eigenschaften:
    Technische Anmerkung: Im Sinne der Unternummer 5E001d kann der Parameter Spitzensättigungsausgangsleistung auf Produktdatenblättern auch als Ausgangsleistung, Sättigungsausgangsleistung, Höchstausgangsleistung, Spitzenausgangsleistung oder Hüllkurvenspitzenleistung bezeichnet werden.
    1. ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer als 2,7 GHz bis einschließlich 6,8 GHz, bei einer "normierten Bandbreite" (fractional bandwidth) größer als 15 % und mit einer der folgenden Eigenschaften:
      1. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 75 W (48,75 dBm) bei einer Frequenz größer als 2,7 GHz bis einschließlich 2,9 GHz,
      2. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 55 W (47,4 dBm) bei einer Frequenz größer als 2,9 GHz bis einschließlich 3,2 GHz,
      3. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 40 W (46 dBm) bei einer Frequenz größer als 3,2 GHz bis einschließlich 3,7 GHz oder
      4. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 20 W (43 dBm) bei einer Frequenz größer als 3,7 GHz bis einschließlich 6,8 GHz;
    2. ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer als 6,8 GHz bis einschließlich 16 GHz, bei einer "normierten Bandbreite" (fractional bandwidth) größer als 10 % und mit einer der folgenden Eigenschaften:
      1. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 10 W (40 dBm) bei einer Frequenz größer als 6,8 GHz bis einschließlich 8,5 GHz oder
      2. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 5 W (37 dBm) bei einer Frequenz größer als 8,5 GHz bis einschließlich 16 GHz;
    3. ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 3 W (34,77 dBm) bei einer Frequenz größer als 16 GHz bis einschließlich 31,8 GHz und einer "normierten Bandbreite" (fractional bandwidth) größer als 10 %;
    4. ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 0,1 nW (- 70 dBm) bei einer Frequenz größer als 31,8 GHz bis einschließlich 37 GHz;
    5. ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 1 W (30 dBm) bei einer Frequenz größer als 37 GHz bis einschließlich 43,5 GHz und einer "normierten Bandbreite" (fractional bandwidth) größer als 10 %;
    6. ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 31,62 mW (15 dBm) bei einer Frequenz größer als 43,5 GHz bis einschließlich 75 GHz und einer "normierten Bandbreite" (fractional bandwidth) größer als 10 %;
    7. ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 10 mW (10 dBm) bei einer Frequenz größer als 75 GHz bis einschließlich 90 GHz und einer "normierten Bandbreite" (fractional bandwidth) größer als 5 %; oder
    8. ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 0,1 nW (- 70 dBm) bei einer Frequenz größer als 90 GHz;
  5. "Technologie" entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die "Entwicklung" oder "Herstellung" elektronischer Bauelemente oder Schaltungen, die Bauteile aus "supraleitenden" Werkstoffen oder Materialien enthalten, besonders entwickelt für die Telekommunikation, besonders konstruiert für den Betrieb bei Temperaturen unter der "kritischen Temperatur" von wenigstens einem ihrer "supraleitenden" Bestandteile und mit einer der folgenden Eigenschaften:
    1. Stromschalter für digitale Schaltungen mit "supraleitenden" Gattern mit einem Produkt aus Laufzeit pro Gatter (in Sekunden) und Verlustleistung je Gatter (in Watt) kleiner als 10-14 J oder
    2. Frequenzselektion bei allen Frequenzen mit Resonanzkreisen, die Gütefaktoren von mehr als 10.000 aufweisen.

5E101 "Technologie" entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die "Entwicklung", "Herstellung" oder "Verwendung" von Ausrüstung, erfasst von Nummer 5A101.

Teil 2
"Informationssicherheit"

Anmerkung 1: Nicht belegt.

Anmerkung 2: Kategorie 5, Teil 2 erfasst keine Güter, wenn diese von ihrem Benutzer für den persönlichen Gebrauch mitgeführt werden.

Anmerkung 3: Kryptotechnik-Anmerkung: Die Nummern 5A002, 5D002a1, 5D002b und 5D002c1 erfassen keine Güter mit folgenden Eigenschaften:

  1. Güter, die alle folgenden Voraussetzungen erfüllen:
    1. Die Güter sind frei erhältlich und werden im Einzelhandel ohne Einschränkungen mittels einer der folgenden Geschäftspraktiken verkauft:
      1. Barverkauf,
      2. Versandverkauf,
      3. Verkauf über elektronische Medien oder
      4. Telefonverkauf.
    2. Die kryptografische Funktionalität der Güter kann nicht mit einfachen Mitteln durch den Benutzer geändert werden.
    3. Sie wurde so konzipiert, dass der Benutzer sie ohne umfangreiche Unterstützung durch den Anbieter installieren kann, und
    4. Um die Übereinstimmung mit den unter 1. bis 3. beschriebenen Voraussetzungen feststellen zu können, sind detaillierte technische Beschreibungen der Güter vorzuhalten und auf Verlangen der zuständigen Behörde des Mitgliedstaats, in dem der Ausführer niedergelassen ist, vorzulegen.
  2. Hardwarekomponenten oder 'ausführbare Software' von unter Buchstabe a dieser Anmerkung beschriebenen Gütern, die für diese bestehenden Güter entwickelt wurden, mit allen folgenden Eigenschaften:
    1. "Informationssicherheit" ist nicht die Hauptfunktion oder Teil der Menge der Hauptfunktionen der Komponente oder der 'ausführbaren Software',
    2. die Komponente oder 'ausführbare Software' verändert keine kryptografischen Funktionen der bestehenden Güter und fügt diesen keine neuen kryptografischen Funktionen hinzu,
    3. die Funktionsmerkmale der Komponente oder 'ausführbaren Software' sind feststehend und wurden nicht entsprechend einer Kundenvorgabe entwickelt oder geändert und
    4. sofern erforderlich gemäß der Festlegung durch die zuständigen Behörden des Mitgliedstaats, in dem der Ausführer niedergelassen ist, sind detaillierte technische Beschreibungen der Komponente oder der 'ausführbaren Software' sowie der betreffenden Endgüter vorzuhalten und auf Verlangen der zuständigen Behörde vorzulegen, um die Übereinstimmung mit den oben beschriebenen Voraussetzungen überprüfen zu können.
    Technische Anmerkung: Im Sinne der Kryptotechnik-Anmerkung bedeutet 'ausführbare Software' "Software" in ausführbarer Form von bestehenden Hardware-Komponenten, die gemäß der Kryptotechnik-Anmerkung nicht von Nummer 5A002 erfasst werden.

    Anmerkung: 'Ausführbare Software' schließt vollständige Binärabbilder (binary images) der auf einem Endprodukt laufenden "Software" nicht ein.

Anmerkung zur Kryptotechnik-Anmerkung:
  1. Um die Voraussetzungen von Anmerkung 3 Buchstabe a zu erfüllen, müssen alle folgenden Bedingungen erfüllt sein:
    1. das Gut ist von potenziellem Interesse für ein breites Spektrum an Einzelpersonen und Unternehmen und
    2. der Preis und die Informationen zur Hauptfunktion des Guts sind vor ihrem Erwerb verfügbar, ohne dass hierfür eine Anfrage an den Verkäufer oder Lieferanten erforderlich ist. Eine einfache Preisauskunft gilt nicht als Anfrage.
  2. Zur Bestimmung der Anwendbarkeit von Anmerkung 3 Buchstabe a können die zuständigen Behörden relevante Faktoren berücksichtigen wie Menge, Preis, erforderliche fachliche Kompetenz, bestehende Vertriebswege, typische Kunden, typische Verwendung oder etwaiges wettbewerbsausschließendes Verhalten des Lieferanten.

5A2 Systeme, Ausrüstung und Bestandteile

5A002 Systeme für "Informationssicherheit", Geräte und Bestandteile wie folgt:

Anmerkung: Bezüglich der Erfassung von GNSS (Global Navigation Satellite Systems)-Empfangseinrichtungen mit "Kryptotechnik" siehe Nummer 7A005 und zu verwandter Entschlüsselungs-"Software" und -"Technologie" siehe die Nummern 7D005 und 7E001.
  1. Konstruiert oder geändert für die Verwendung von 'Kryptotechnik für die Vertraulichkeit von Daten' mit einer 'symmetrischen Schlüssellänge größer 56 Bit oder gleichwertig', sofern diese kryptografische Funktionalität ohne "kryptografische Freischaltung" verwendbar ist oder bereits freigeschaltet worden ist, wie folgt:
    1. Güter mit "Informationssicherheit" als eine Hauptfunktion,
    2. Digitale Kommunikations- oder Netzwerksysteme, Ausrüstung und Bestandteile, die nicht von Unternummer 5A002a1 erfasst werden,
    3. Rechner, andere Güter, bei denen Informationsspeicherung oder -verarbeitung eine Hauptfunktion ist, und deren Bestandteile, die nicht von den Unternummern 5A002a1 oder 5A002a2 erfasst werden,
      Anmerkung: Zu Betriebssystemen siehe auch die Unternummern 5D002a1 und 5D002c1.
    4. Güter, die nicht von den Unternummern 5A002a1 bis 5A002a3 erfasst werden, sofern die 'Kryptotechnik für die Vertraulichkeit von Daten' mit einer 'symmetrischen Schlüssellänge größer 56 Bit oder gleichwertig' alle folgenden Kriterien erfüllt:
      1. sie unterstützt eine Funktion, die keine Hauptfunktion des Guts ist, und
      2. sie wird von einer eingebauten Ausrüstung oder "Software" ausgeführt, die als eigenständiges Gut von Kategorie 5 - Teil 2 erfasst wäre.
    Technische Anmerkungen:
    1. Im Sinne von Unternummer 5A002a bezeichnet 'Kryptotechnik für die Vertraulichkeit von Daten' "Kryptotechnik" unter Verwendung digitaler Verfahren, die andere kryptografische Funktionen als folgende ausführt:
      1. "Authentisierung",
      2. digitale Signatur,
      3. Datenintegrität,
      4. Nachweisbarkeit (non-repudiation),
      5. digitales Rechtemanagement, einschließlich der Ausführung kopiergeschützter "Software",
      6. Ver- oder Entschlüsselung, die dem Entertainment, kommerziellen Massenübertragungen oder dem Management von medizinischen Datensätzen dienen, oder
      7. Schlüsselverwaltung, die einer der unter Buchstabe a bis f beschriebenen Funktionen dient.
    2. Im Sinne der Unternummer 5A002a bezeichnet 'symmetrische Schlüssellänge größer 56 Bit oder gleichwertig' eine der folgenden Eigenschaften:
      1. einen "symmetrischen Algorithmus" mit einer Schlüssellänge größer 56 Bit, Paritätsbits nicht mit eingeschlossen, oder
      2. einen "asymmetrischen Algorithmus", dessen Sicherheit auf einem der folgenden Verfahren beruht:
        1. Faktorisierung ganzer Zahlen, die größer als 512 Bit sind (z.B. RSA-Verfahren),
        2. Berechnung des diskreten Logarithmus in der Multiplikationsgruppe eines endlichen Körpers mit mehr als 512 Bit (z.B. Diffie-Hellman-Verfahren über Z/pZ) oder
        3. Berechnung des diskreten Logarithmus in anderen Gruppen als den unter Buchstabe b Nummer 2 aufgeführten größer als 112 Bit (z.B. Diffie-Hellman-Verfahren über einer elliptischen Kurve).

    Anmerkung 1: Sofern gemäß der Festlegung durch die zuständige Behörde des Landes des Ausführers erforderlich, sind detaillierte technische Beschreibungen der Güter vorzuhalten und dieser Behörde auf Verlangen vorzulegen, damit sie überprüfen kann,

    1. ob die Güter die Kriterien der Unternummern 5A002a1 bis 5A002a4 erfüllen oder
    2. ob die in Unternummer 5A002a beschriebene kryptografische Funktionalität für die Vertraulichkeit von Daten ohne "kryptografische Freischaltung" verwendbar ist.

    Anmerkung 2: Unternummer 5A002a erfasst weder eines der folgenden Güter noch für diese besonders konstruierte Bestandteile für "Informationssicherheit":

    1. Mikroprozessor-Karten (smart cards) und 'Schreib/ Lesegeräte' hierfür wie folgt:
      1. Mikroprozessor-Karten oder elektronisch lesbare persönliche Dokumente (z.B. Wertmarke, ePass) mit einer der folgenden Eigenschaften:
        1. die kryptografische Funktionalität erfüllt alle folgenden Eigenschaften:
          1. sie ist beschränkt auf eine der folgenden Verwendungen:
            1. Ausrüstung oder Systeme, die nicht von den Unternummern 5A002a1 bis 5A002a4 erfasst sind,
            2. Ausrüstung oder Systeme, die keine 'Kryptotechnik für die Vertraulichkeit von Daten' mit einer 'symmetrischen Schlüssellänge größer 56 Bit oder gleichwertig' verwenden, oder
            3. Ausrüstung oder Systeme, die gemäß den Buchstaben b bis f der vorliegenden Anmerkung nicht von Unternummer 5A002a erfasst sind; und
          2. sie kann nicht für andere Zwecke umprogrammiert werden; oder:
        2. mit allen folgenden Eigenschaften:
          1. besonders entwickelt, um darauf gespeicherte 'personenbezogene Daten' zu schützen, und sind auf diese Funktion beschränkt,
          2. sie wurden nur für öffentliche oder kommerzielle Transaktionen oder zur individuellen Identifizierung personalisiert oder können nur hierfür personalisiert werden, und
          3. ihre kryptografische Funktionalität ist nicht anwenderzugänglich.
          Technische Anmerkung: 'Personenbezogene Daten' beinhalten alle spezifischen Daten einer bestimmten Person oder eines Objekts, wie z.B. gespeicherter Geldbetrag oder zur "Authentisierung" benötigte Daten.
      2. 'Schreib/Lesegeräte', die besonders für die in Buchstabe a Nummer 1 dieser Anmerkung beschriebenen Güter konstruiert oder geändert und auf diese beschränkt sind.
        Technische Anmerkung: 'Schreib/Lesegeräte' beziehen Geräte ein, die mit einer Mikroprozessor-Karte oder einem elektronisch lesbaren Dokument über ein Netzwerk kommunizieren.
    2. Kryptoeinrichtungen, besonders entwickelt für den Bankgebrauch oder 'Geldtransaktionen', soweit sie nur für diese Anwendungen einsetzbar sind.
      Technische Anmerkung: 'Geldtransaktionen' im Sinne des Buchstaben b der Anmerkung 2 zur Unternummer 5A002a schließen auch die Erfassung und den Einzug von Gebühren sowie Kreditfunktionen ein.
    3. tragbare oder mobile Funktelefone für zivilen Einsatz (z.B. für den Einsatz in kommerziellen zivilen zellularen Funksystemen), die weder eine Möglichkeit zur Übertragung verschlüsselter Daten direkt zu einem anderen Funktelefon oder zu Einrichtungen (andere als Radio Access Network (RAN)-Einrichtungen) noch eine Möglichkeit zur Durchleitung verschlüsselter Daten durch die RAN-Einrichtung (z.B. Radio Network Controller (RNC) oder Base Station Controller (BSC)) bieten,
    4. Ausrüstung für schnurlose Telefone, die keine Möglichkeit der End-zu-End-Verschlüsselung bieten und deren maximal erzielbare einfache Reichweite (das ist die Reichweite zwischen Terminal und Basisstation ohne Maßnahmen zur Reichweitenerhöhung) nach Angaben des Herstellers kleiner ist als 400 m,
    5. tragbare oder mobile Funktelefone sowie ähnliche nicht drahtgebundene Endgeräte bzw. Baugruppen (client wireless devices) für Anwendungen im zivilen Bereich, die ausschließlich veröffentlichte oder kommerziell erhältliche kryptographische Standardverfahren anwenden (ausgenommen sind dem Kopierschutz dienende Funktionen, diese dürfen auch unveröffentlicht sein) und die die Voraussetzungen a2 bis a4 der Kryptotechnik-Anmerkung (Anmerkung 3 zur Kategorie 5, Teil 2) erfüllen, die für eine spezielle zivile Industrieanwendung ausschließlich in Bezug auf Leistungsmerkmale, die die kryptographischen Funktionalitäten der ursprünglichen unveränderten Endgeräte bzw. Baugruppen nicht beeinflussen, angepasst wurden,
    6. Güter, bei denen die Funktionalität der "Informationssicherheit" auf die Funktionalität eines drahtlosen "Personal Area Network" beschränkt ist und die alle folgenden Kriterien erfüllen:
      1. ausschließlicher Einsatz veröffentlichter oder kommerziell erhältlicher kryptographischer Standardverfahren, und
      2. die kryptografische Funktionalität ist nominell auf einen Betriebsbereich beschränkt, der nach Angaben des Herstellers 30 m nicht überschreitet, oder der nach Angaben des Herstellers bei Ausrüstung, die Verbindungen mit maximal sieben Geräten aufbauen kann, 100 m nicht überschreitet,
    7. Ausrüstung für den Mobilfunkzugang (RAN), konstruiert für Anwendungen im zivilen Bereich, die auch die Voraussetzungen der Absätze a2 bis a4 der Kryptografie-Anmerkung erfüllt (Teil 2, Kategorie 5, Anmerkung 3), mit einer auf 0,1 W (20 dBm) oder weniger begrenzten HF-Ausgangsleistung und die simultan bis zu 16 Nutzer unterstützen kann.
    8. Router, Switche oder Repeater (relay), bei denen die Funktionalität der "Informationssicherheit" auf die Aufgaben von "Betrieb, Verwaltung oder Wartung" (Operations, Administration or Maintenance ("OAM")) beschränkt ist und die ausschließlich veröffentlichte oder kommerziell erhältliche kryptografische Standardverfahren anwenden; oder
    9. Rechner für allgemeine Anwendungen oder Server, bei denen die Funktion der "Informationssicherheit" alle folgenden Kriterien erfüllt:
      1. sie wendet ausschließlich veröffentlichte oder kommerziell erhältliche kryptographische Standardverfahren an, und
      2. sie besitzt eine der folgenden Eigenschaften:
        1. sie ist Bestandteil einer CPU, die die Kriterien der Anmerkung 3 von Kategorie 5, Teil 2, erfüllt,
        2. sie ist Bestandteil eines Betriebssystems, das nicht in Nummer 5D002 erfasst wird, oder
        3. sie ist auf "Betrieb, Verwaltung oder Wartung" ("OAM") der Einrichtung beschränkt.
  2. entwickelt oder geändert, um bei einem Gut mittels "kryptografischer Freischaltung" das Leistungsniveau, das in Unternummer 5A002a beschrieben wird und das nicht anderweitig erreicht wird, zu erzielen oder zu übertreffen.
  3. entwickelt oder geändert für die Verwendung oder Ausführung von "Quantenkryptografie".
    Technische Anmerkung: "Quantenkryptografie" ist auch bekannt als Quantum Key Distribution (QKD).
  4. entwickelt oder geändert, um kryptografische Verfahren zur Erzeugung von Channelization-, Scrambling- oder Netzwerkidentifizierungscodes zu verwenden, für Systeme, die Ultrabreitbandmodulationsverfahren verwenden, und mit einer der folgenden Eigenschaften:
    1. Bandbreite größer als 500 MHz oder
    2. "normierte Bandbreite" (fractional bandwidth) größer/gleich 20 %.
  5. entwickelt oder geändert, um kryptografische Verfahren zur Erzeugung eines Spreizungscodes für Systeme mit "Gespreiztem-Spektrum-Verfahren", die nicht von Unternummer 5A002d erfasst sind, einschließlich der Erzeugung von Sprung-Codes für Systeme mit "Frequenzsprungverfahren", zu verwenden.

5A003 Systeme, Ausrüstung und Bestandteile für nicht-kryptografische "Informationsicherheit" wie folgt:

  1. Kommunikations-Kabelsysteme, entwickelt oder geändert, um unter Einsatz von mechanischen, elektrischen oder elektronischen Mitteln heimliches Eindringen zu erkennen,
    Anmerkung: Unternummer 5A003a erfasst nur die Sicherheit der physikalischen Schicht (physical layer security). Im Sinne der Unternummer 5A003a beinhaltet die physikalische Schicht auch Schicht 1 (Layer 1) des OSI-Modells (Open Systems Interconnection) (ISO/IEC 7498-1).
  2. besonders entwickelt oder geändert, um kompromittierende Abstrahlung von Informationssignalen über das Maß hinaus zu unterdrücken, das aus Gründen des Gesundheitsschutzes, der Sicherheit oder der Einhaltung von Standards zur elektromagnetischen Verträglichkeit (EMV) erforderlich ist.

5A004 Systeme, Ausrüstung und Bestandteile für die Überwindung, die Schwächung oder die Umgehung von "Informationssicherheit" wie folgt:

  1. entwickelt oder geändert zur Ausführung 'kryptoanalytischer Funktionen',
    Anmerkung: Die Unternummer 5A004a schließt Systeme und Ausrüstung ein, die zur Ausführung 'kryptoanalytischer Funktionen' durch Reverse Engineering entwickelt oder geändert wurden.

    Technische Anmerkung: 'Kryptoanalytische Funktionen' sind Funktionen, die zum Brechen kryptografischer Verfahren entwickelt wurden, um vertrauliche Variablen oder sensitive Daten einschließlich Klartext, Passwörter oder kryptografische Schlüssel abzuleiten.

5B2 Prüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen

5B002 Prüf-, Test- und "Herstellungs-"einrichtungen für "Informationssicherheit" wie folgt:

  1. Einrichtungen, besonders entwickelt für die "Entwicklung" oder "Herstellung" von Geräten, die von Nummer 5A002, 5A003, 5A004 oder Unternummer 5B002b erfasst werden;
  2. Messeinrichtungen, besonders entwickelt, um "Informationssicherheits"-Funktionen von Einrichtungen, die von Nummer 5A002, 5A003 oder 5A004 erfasst werden, oder von "Software", die von Unternummer 5D002a oder 5D002c erfasst wird, auszuwerten und zu bestätigen.

5C2 Werkstoffe und Materialien

Kein Eintrag.

5D2 Datenverarbeitungsprogramme (Software)

5D002 "Software" wie folgt:

  1. "Software", besonders entwickelt oder geändert für die "Entwicklung", "Herstellung" oder "Verwendung" folgender Güter:
    1. Ausrüstung, die von Nummer 5A002 erfasst ist, oder "Software", die von Unternummer 5D002c1 erfasst ist,
    2. Ausrüstung, die von Nummer 5A003 erfasst ist, oder "Software", die von Unternummer 5D002c2 erfasst ist, oder
    3. Ausrüstung, die von Nummer 5A004 erfasst ist, oder "Software", die von Unternummer 5D002c3 erfasst ist,
  2. "Software", entwickelt oder geändert, um bei einem Gut mittels "kryptografischer Freischaltung" die Kriterien, die in Unternummer 5A002a beschrieben werden und die nicht anderweitig erreicht werden, zu erfüllen.
  3. "Software", die die Eigenschaften folgender Güter besitzt oder deren Funktionen ausführt oder simuliert, wie folgt:
    1. Ausrüstung, die von den Unternummern 5A002a, 5A002c, 5A002d oder 5A002e erfasst ist.
      Anmerkung: Unternummer 5D002c1 erfasst keine "Software", deren Aufgaben auf "Betrieb, Verwaltung oder Wartung" ("OAM") beschränkt sind und die ausschließlich veröffentlichte oder kommerziell erhältliche kryptographische Standardverfahren anwendet.
    2. Ausrüstung, die von Nummer 5A003 erfasst wird, oder
    3. Ausrüstung, die von Nummer 5A004 erfasst wird,
  4. nicht belegt.

5E2 Technologie

5E002 "Technologie" wie folgt:

  1. "Technologie" entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die "Entwicklung", "Herstellung" oder "Verwendung" von Einrichtungen, die von Nummer 5A002, 5A003, 5A004 oder 5B002 erfasst werden, oder von "Software", die von Unternummer 5D002a oder 5D002c erfasst wird.
  2. "Technologie", entwickelt oder geändert, um bei einem Gut mittels "kryptografischer Freischaltung" die Kriterien, die in Unternummer 5A002a beschrieben werden und die nicht anderweitig erreicht werden, zu erfüllen.
Anmerkung: Nummer 5E002 erfasst technische Daten zur "Informationssicherheit", die durch Verfahren erfasst wurden, die zur Evaluierung oder Bestimmung der Umsetzung von in Kategorie 5, Teil 2, beschriebenen Funktionen, Leistungsmerkmalen oder Techniken durchgeführt wurden.

Kategorie 6
Sensoren und Laser

6A Systeme, Ausrüstung und Bestandteile

6A001 Akustiksysteme, -ausrüstung und Bestandteile hierfür wie folgt:

  1. Marine-Akustiksysteme, -ausrüstung und besonders konstruierte Bestandteile hierfür wie folgt:
    1. aktive (Sende- oder Sende-/Empfangs-)Systeme, Ausrüstung und besonders konstruierte Bestandteile hierfür wie folgt:
      Anmerkung: Unternummer 6A001a1 erfasst nicht Ausrüstung wie folgt:
      1. akustische Tiefenmesser, die in vertikaler Richtung unter dem Geräteträger betrieben werden, keinen größeren selektiven Abtastwinkel als ± 20° haben und begrenzt sind auf das Messen der Wassertiefe, der Entfernung von unter der Wasseroberfläche oder im Boden befindlichen Objekten oder auf die Fischortung,
      2. akustische Baken wie folgt:
        1. akustische Notfall-Baken,
        2. Pinger, besonders konstruiert für das Wiederauffinden einer Unterwasser-Position oder die Rückkehr zu dieser.
      1. akustische Ausrüstung zur Meeresbodenerkundung (acoustic seabed survey equipment) wie folgt:
        1. Erkundungsausrüstung für Überwasserschiffe, entwickelt für die Kartierung der Meeresbodentopografie, mit allen folgenden Eigenschaften:
          1. entwickelt für Messungen innerhalb eines Abtastwinkels größer als 20° von der Vertikalen,
          2. entwickelt für die Messung der Topografie des Meeresbodens in Tiefen größer als 600 m,
          3. 'Sounding-Auflösung' kleiner als 2 und
          4. 'Steigerung' der Tiefengenauigkeit durch Kompensation für alles Folgende:
            1. Bewegung des akustischen Sensors,
            2. Ausbreitung im Wasser (in-water propagation) vom Sensor zum Meeresboden und zurück und
            3. Schallgeschwindigkeit am Sensor,
          Technische Anmerkungen:
          1. 'Sounding-Auflösung' (sounding resolution) ist die Fächerbreite (swath width) in Grad geteilt durch die maximale Anzahl an Soundings pro Fächer.
          2. 'Steigerung' (enhancement) schließt die Kompensationsfähigkeit durch externe Mittel ein.
        2. Unterwasser-Erkundungsausrüstung, entwickelt für die Kartierung der Meeresbodentopografie, mit einer der folgenden Eigenschaften:
          Technische Anmerkung: Die Druckfestigkeit des akustischen Sensors bestimmt die Einsatztiefe der von Unternummer 6A001a1a2 erfassten Ausrüstung.
          1. mit allen folgenden Eigenschaften:
            1. entwickelt oder modifiziert, um in Tiefen von mehr als 300 m zu arbeiten, und
            2. 'Sounding-Rate' größer als 3 800 m/s, oder
            Technische Anmerkung: 'Sounding-Rate' (sounding rate) ist das Produkt aus der maximalen Geschwindigkeit (in m/s), bei der der Sensor noch arbeiten kann, und der maximalen Anzahl an Soundings pro Fächer bei einer angenommenen Abdeckung von 100 %. Bei Systemen, die Soundings in zwei Richtungen ergeben (3D-Sonare), ist die maximale Messrate in einer der beiden Richtungen zu verwenden.
          2. Erkundungsausrüstung, die nicht von Unternummer 6A001a1a2a erfasst wird, mit allen folgenden Eigenschaften:
            1. entwickelt oder modifiziert, um in Tiefen von mehr als 100 m zu arbeiten,
            2. entwickelt für Messungen innerhalb eines Abtastwinkels größer als 20° von der Vertikalen,
            3. mit einer der folgenden Eigenschaften:
              1. Betriebsfrequenz unter 350 kHz oder
              2. entwickelt für die Messung der Topografie des Meeresbodens in einem Bereich von mehr als 200 m vom akustischen Sensor und
            4. 'Steigerung' der Tiefen "genauigkeit" durch Kompensation von allem Folgenden:
              1. Bewegung des akustischen Sensors,
              2. Ausbreitung im Wasser (in-water propagation) vom Sensor zum Meeresboden und zurück und
              3. Schallgeschwindigkeit am Sensor,
        3. Sonar mit seitlicher Abtastung (side scan sonar, SSS) oder Sonar mit künstlicher Apertur (synthetic aperture sonar, SAS), entwickelt für die Bildaufnahme des Meeresbodens, mit allen folgenden Eigenschaften und besonders dafür konstruierten akustischen Sende- und Empfangsarrays:
          1. entwickelt oder modifiziert, um in Tiefen von mehr als 500 m zu arbeiten,
          2. 'Flächenabdeckungsrate' größer als 570 m2/s beim Betrieb im maximalen Bereich, der mit einer 'Auflösung in Fahrtrichtung' von kleiner als 15 cm möglich ist, und
          3. 'Auflösung senkrecht zur Fahrtrichtung' von kleiner als 15 cm,
          Technische Anmerkungen:
          1. 'Flächenabdeckungsrate' (area coverage rate) (in m 2/s) ist zweimal das Produkt aus dem Sonarbereich (sonar range) (in m) und der maximalen Geschwindigkeit (m/s), bei der der Sensor in diesem Bereich noch arbeitet.
          2. 'Auflösung in Fahrtrichtung' (along track resolution) (in cm) ist das Produkt aus Azimut-Keulenbreite (horizontaler Keulenbreite) (beam width) (in Grad), Sensorbereich (in m) und 0,873. Gilt nur für Sonare mit seitlicher Abtastung (SSS).
          3. 'Auflösung senkrecht zur Fahrtrichtung' (across track resolution) (in cm) ist 75 geteilt durch die Signalbandbreite (in kHz).
      2. Systeme oder Sende- und Empfangsarrays, entwickelt für die Objekterfassung oder -lokalisierung, mit einer der folgenden Eigenschaften:
        1. Sendefrequenz kleiner als 10 kHz,
        2. Schalldruckpegel größer als 224 dB (bezogen auf 1 µPa in 1 m Entfernung) für Geräte mit Betriebsfrequenzen größer/gleich 10 kHz und kleiner/gleich 24 kHz,
        3. Schalldruckpegel größer als 235 dB (bezogen auf 1 µPa in 1 m Entfernung) für Geräte mit Betriebsfrequenzen zwischen 24 kHz und 30 kHz,
        4. mit Strahlkeulen, deren Keulenbreite in jeder Achse kleiner als 1° ist, und mit einer Betriebsfrequenz kleiner als 100 kHz,
        5. konstruiert zum Betrieb mit einem eindeutigen Anzeigenbereich größer als 5.120 m oder
        6. konstruiert, um während des Normalbetriebs Drücken in Tiefen größer als 1.000 m standzuhalten, und mit Wandlern mit einer der folgenden Eigenschaften:
          1. mit dynamischem Druckausgleich oder
          2. mit anderen Wandlungselementen als Blei-Zirkon-Titanat,
      3. Akustikprojektoren einschließlich Wandlern mit piezoelektrischen, magnetostriktiven, elektrostriktiven, elektrodynamischen oder hydraulischen Bauteilen, die einzeln oder in einer konstruierten Zusammensetzung arbeiten und eine der folgenden Eigenschaften haben:
        Anmerkung 1: Die Erfassung von Akustikprojektoren einschließlich Wandlern, besonders entwickelt für nicht von Nummer 6A001 erfasste andere Geräte, richtet sich nach der Erfassung der anderen Geräte.

        Anmerkung 2: Von Unternummer 6A001a1c nicht erfasst werden elektronische Geräuschquellen, ausschließlich für Anwendungen mit vertikaler Richtwirkung, mechanische (z.B. air gun oder vapour-shock gun) oder chemische (z.B. Verwendung von Explosivstoffen) Geräuschquellen.

        Anmerkung 3: Zu den in Unternummer 6A001a1c erfassten piezoelektrischen Elementen zählen auch solche aus Einkristallen aus Blei-Magnesium-Niobat/Blei-Titanat (Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 oder PMN-PT), erzeugt aus Mischkristalllegierungen, und Einkristalle aus Blei-Indium-Niobat/Blei-Magnesium-Niobat/Blei-Titanat (Pb(In1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 oder PIN-PMN-PT), erzeugt aus Mischkristalllegierungen.

        1. Betriebsfrequenz unter 10 kHz und mit einer der folgenden Eigenschaften:
          1. nicht entwickelt für Dauerbetrieb bei 100 % Auslastungsgrad und mit einem abgestrahlten 'Quellpegel im Freifeld (SLRMS)' größer als (10log(f) + 169,77) dB (bezogen auf 1 µPa in 1 m Entfernung), wobei f für die Frequenz in Hertz der maximalen Nennempfindlichkeit für Spannungsspeisung (Transmitting Voltage Response - TVR) kleiner als 10 kHz steht, oder
          2. entwickelt für Dauerbetrieb bei 100 % Auslastungsgrad und mit einem kontinuierlich abgestrahlten 'Quellpegel im Freifeld (SLRMS)' bei 100 % Auslastungsgrad größer als (10log(f) + 159,77) dB (bezogen auf 1 µPa in 1 m Entfernung), wobei f für die Frequenz in Hertz der maximalen Nennempfindlichkeit für Spannungsspeisung (Transmitting Voltage Response - TVR) kleiner als 10 kHz steht, oder
          Technische Anmerkung: Der 'Quellpegel im Freifeld (SLRMS)' ist an der Achse der größten Rückantwort entlang und im Fernfeld des Schallprojektors definiert. Er kann ausgehend von der Nennempfindlichkeit für Spannungsspeisung mit folgender Gleichung errechnet werden: SLRMS = (TVR + 20log VRMS) dB (bezogen auf 1 µPa in 1 m Entfernung), wobei SLRMS der Quellpegel, TVR die Nennempfindlichkeit für Spannungsspeisung und VRMS die Steuerspannung des Projektors ist.
        2. nicht belegt,
        3. Nebenkeulenunterdrückung größer als 22 dB,
      4. Akustiksysteme und -ausrüstung, konstruiert zur Ermittlung der Position von Überwasserschiffen oder Unterwasserfahrzeugen und mit allen folgenden Eigenschaften, und besonders konstruierte Bestandteile hierfür:
        1. Erfassungsbereich größer als 1.000 m und
        2. ermittelter Positionsfehler besser (kleiner) als 10 m rms bei einer Messung mit einer Reichweite von 1.000 m,
          Anmerkung: Unternummer 6A001a1d schließt ein:
          1. Ausrüstung, die kohärente "Signaldatenverarbeitung" zwischen zwei oder mehreren Baken und der auf einem Überwasserschiff oder Unterwasserfahrzeug befindlichen Hydrofoneinheit verwendet,
          2. Ausrüstung, die automatisch Ausbreitungsgeschwindigkeitsfehler in der Berechnung eines Punkts berichtigen kann.
      5. aktive einzelne Sonare, besonders konstruiert oder geändert, um Schwimmer oder Taucher zu erkennen, zu lokalisieren und automatisch zu klassifizieren, mit allen folgenden Eigenschaften, und speziell dafür konstruierte akustische Sende- und Empfangsarrays:
        1. Erfassungsbereich größer als 530 m,
        2. ermittelter Positionsfehler besser (kleiner) als 15 m rms bei einer Messung mit einer Reichweite von 530 m und
        3. Signalbandbreite der ausgesendeten Impulse größer als 3 kHz,
          Anmerkung: Für Taucher-Erkennungssysteme, besonders konstruiert oder geändert für militärische Zwecke, siehe Liste für Waffen, Munition und Rüstungsmaterial.

          Anmerkung: Sind mehrere Erfassungsbereiche für verschiedene Einsatzbedingungen angegeben, gilt für die Zwecke der Unternummer 6A001a1e der größte Erfassungsbereich.

    2. passive Systeme, Geräte und besonders konstruierte Bestandteile hierfür wie folgt:
      1. Hydrofone (Wandler) mit einer der folgenden Eigenschaften:
        Anmerkung: Die Erfassung von Hydrofonen, besonders konstruiert für andere Ausrüstung, richtet sich nach der Erfassung der anderen Ausrüstung.

        Technische Anmerkung: Hydrofone bestehen aus einem oder mehreren Sensor-Elementen, die einen einzigen akustischen Ausgangskanal erzeugen. Geräte mit mehreren Elementen werden auch als Hydrofongruppen bezeichnet.

        1. mit kontinuierlichen, flexiblen Sensor-Elementen,
        2. mit flexiblen Anordnungen diskreter Sensor-Elemente mit einem Durchmesser oder einer Länge kleiner als 20 mm und mit einem Abstand zwischen den Elementen kleiner als 20 mm,
        3. mit einem der folgenden Sensor-Elemente:
          1. Lichtwellenleiter,
          2. 'piezoelektrische Polymerfolien', andere als Polyvinylidenfluorid (PVDF) und seine Copolymere {P(VDF-TrFE)] und [P(VDF-TFE)},
          3. 'flexible piezoelektrische Verbundwerkstoffe',
          4. piezoelektrische Einkristalle aus Blei-Magnesium-Niobat/Blei-Titanat (d. h. Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 oder PMN-PT), erzeugt aus Mischkristalllegierungen, oder
          5. piezoelektrische Einkristalle aus Blei-Indium-Niobat/Blei-Magnesium-Niobat/Blei-Titanat (d. h. Pb(In1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 oder PIN-PMN-PT), erzeugt aus Mischkristalllegierungen,
        4. 'Hydrofonempfindlichkeit' besser als -180 dB bei jeder Tiefe ohne Beschleunigungskompensation,
        5. konstruiert für Betrieb in Tiefen von mehr als 35 m mit Beschleunigungskompensation oder
        6. konstruiert für Betrieb in Tiefen von mehr als 1.000 m,
        Technische Anmerkungen:
        1. Sensor-Elemente aus 'piezoelektrischer Polymerfolie' bestehen aus polarisierter Polymerfolie, die über einen Tragrahmen oder einen Dorn (Mandrel) gespannt und damit verbunden ist.
        2. Sensor-Elemente aus 'flexiblen piezoelektrischen Verbundwerkstoffen' bestehen aus einem aus piezoelektrischen Keramikpartikeln oder -fasern und einem elektrisch isolierenden, akustisch transparenten Gummi, Polymer oder Epoxydharz zusammengesetzten Werkstoffverbund, wobei der Werkstoffverbund ein integraler Bestandteil des Sensor-Elementes ist.
        3. Die 'Hydrofonempfindlichkeit' wird definiert als 20 × log10 des Effektivwerts (rms) der Ausgangsspannung, bezogen auf 1 V, wenn sich der Hydrofonsensor ohne einen Vorverstärker in einem ebenen Schallwellenfeld mit effektivem Schalldruck von 1 µPa befindet. Ein Hydrofon mit einer Empfindlichkeit von -160 dB (Bezugseinheit 1 V je µPa) wÌrde in einem solchen Feld eine Ausgangsspannung von 10-8 V abgeben, während ein Hydrofon mit einer Empfindlichkeit von -180 dB eine Ausgangsspannung von nur 10-9 V abgeben würde. Somit ist -160 dB besser als -180 dB.
      2. akustische Schlepp-Hydrofonanordnungen mit einer der folgenden Eigenschaften:
        Technische Anmerkung: Hydrofon-Anordnungen bestehen aus mehreren Hydrofonen und bieten mehrere akustische Ausgangskanäle.
        1. mit einem Abstand oder 'änderungsfähig' für einen Abstand zwischen den einzelnen Hydrofongruppen kleiner als 12,5 m,
        2. konstruiert oder 'änderungsfähig' für Betrieb in Tiefen größer als 35 m,
          Technische Anmerkung: 'Änderungsfähig' im Sinne von Unternummer 6A001a2b1 und 6A001a2b2 bedeutet, dass Vorkehrungen bestehen, die eine Veränderung der Verdrahtung oder von Verbindungen ermöglichen, um den Abstand zwischen den einzelnen Hydrofongruppen oder die Begrenzung der Betriebstauchtiefe zu ändern. Diese Vorkehrungen sind: Zusatzverdrahtung von mehr als 10 % der Anzahl der Kabeladern, Blöcke zur Einstellung des Abstands zwischen den einzelnen Hydrofongruppen oder interne Mittel zur Begrenzung der Betriebstauchtiefe, die einstellbar sind oder die mehr als eine Gruppe von Hydrofonen steuern.
        3. mit Steuerkurssensoren, erfasst von Unternummer 6A001a2d,
        4. mit Schlauchanordnungen mit Strukturverstärkung in Längsrichtung,
        5. mit einem Durchmesser der fertigmontierten Schlauchanordnung kleiner als 40 mm,
        6. nicht belegt,
        7. mit Hydrofoneigenschaften gemäß Unternummer 6A001a2a oder
        8. mit beschleunigungsbasierten hydroakustischen Sensoren, erfasst von Unternummer 6A001a2g,
      3. Daten-Verarbeitungsausrüstung, besonders konstruiert für akustische Schlepp-Hydrofonanordnungen, mit "anwenderzugänglicher Programmierbarkeit" und Verarbeitung und Korrelation im Zeit- oder Frequenzbereich einschließlich Spektralanalyse, digitaler Filterung und Strahlformung unter Verwendung der schnellen Fourier-Transformation (FFT) oder anderer Transformationen oder Verfahren,
      4. Steuerkurssensoren mit allen folgenden Eigenschaften:
        1. "Genauigkeit" besser als 0,5° und
        2. konstruiert für Betrieb in Tiefen größer als 35 m oder mit einer einstellbaren oder entfernbaren Tiefenmesseinrichtung, um in Tiefen größer als 35 m arbeiten zu können,
        Anmerkung: Für Trägheitsmesssysteme mit Bereitstellung des Kurses siehe Unternummer 7A003c.
      5. Flachwasser-Hydrofonanordnungen mit einer der folgenden Eigenschaften:
        1. mit eingebauten Hydrofonen, erfasst von Unternummer 6A001a2a,
        2. Einsatz von Multiplexermodulen zur Bündelung der Signale der Hydrofongruppen mit allen folgenden Eigenschaften:
          1. konstruiert für Betrieb in Tiefen größer als 35 m oder mit einer einstellbaren oder entfernbaren Tiefenmesseinrichtung, um in Tiefen größer als 35 m arbeiten zu können, und
          2. geeignet, um alternativ mit akustischen Schlepp-Hydrofonanordnungen betrieben werden zu können, oder
        3. mit beschleunigungsbasierten hydroakustischen Sensoren, erfasst von Unternummer 6A001a2g,
      6. Daten-Verarbeitungsausrüstung, besonders konstruiert für Flachwasser-Messkabelsysteme, mit "anwenderzugänglicher Programmierbarkeit" und Verarbeitung und Korrelation im Zeit- oder Frequenzbereich einschließlich Spektralanalyse, digitaler Filterung und Strahlformung unter Verwendung der schnellen Fourier-Transformation (FFT) oder anderer Transformationen oder Verfahren;
      7. beschleunigungsbasierte hydroakustische Sensoren mit allen folgenden Eigenschaften:
        1. bestehend aus drei Beschleunigungssensoren, die entlang drei verschiedenen Achsen angeordnet sind,
        2. mit einer Gesamt-'Beschleunigungsempfindlichkeit' besser als 48 dB (bezogen auf 1.000 mV rms je 1 g),
        3. konstruiert für den Betrieb in Wassertiefen größer als 35 m und
        4. Betriebsfrequenz unter 20 kHz.
        Anmerkung: Unternummer 6A001a2g erfasst nicht Partikelgeschwindigkeitssensoren oder Geofone.

        Technische Anmerkungen:

        1. Beschleunigungsbasierte hydroakustische Sensoren werden auch als Vektorsensoren bezeichnet.
        2. Die 'Beschleunigungsempfindlichkeit' wird definiert als 20 × log10 des Effektivwerts (rms) der Ausgangsspannung, bezogen auf 1 V, wenn sich der hydroakustische Sensor ohne einen Vorverstärker in einem ebenen Schallwellenfeld mit einer effektiven Beschleunigung von 1 g (d. h. 9,81 m/s2) befindet.
    Anmerkung: Unternummer 6A001a2 erfasst auch Empfangsausrüstung, unabhängig davon, ob in der normalen Anwendung mit einer separaten aktiven Ausrüstung in Zusammenhang stehend oder nicht, und speziell konstruierte Bestandteile hierfür.
  2. Sonarausrüstung zur Messung der Korrelations- oder Dopplergeschwindigkeit, konstruiert zur Messung der horizontalen Geschwindigkeit des Geräteträgers in Bezug zum Meeresboden, wie folgt:
    1. Sonarausrüstung zur Messung der Korrelationsgeschwindigkeit mit einer der folgenden Eigenschaften:
      1. konstruiert für den Betrieb bei Entfernungen zwischen Träger und Meeresboden größer als 500 m oder
      2. mit einer "Messgenauigkeit" der Geschwindigkeit besser als 1 %,
    2. Sonarausrüstung zur Messung der Dopplergeschwindigkeit, mit einer "Messgenauigkeit" der Geschwindigkeit besser als 1 %,
    Anmerkung 1: Von Unternummer 6A001b nicht erfasst werden akustische Tiefenmesser, beschränkt auf folgende Anwendungen:
    1. Messung der Wassertiefe,
    2. Messung der Entfernung von unter der Wasseroberfläche oder im Boden befindlichen Objekten oder
    3. Fischortung.

    Anmerkung 2: Unternummer 6A001b erfasst nicht Ausrüstung, besonders konstruiert für den Einbau in Überwasserschiffe.

  3. nicht belegt.

6A002 Optische Sensoren oder Ausrüstung und Bestandteile hierfür wie folgt:

Anmerkung: SIEHE AUCH Nummer 6A102.
  1. optische Detektoren wie folgt:
    1. "weltraumgeeignete" Halbleiterdetektoren wie folgt:
      Anmerkung: Für die Zwecke der Unternummer 6A002a1 umfassen Halbleiterdetektoren auch "Focal-plane-arrays".
      1. "weltraumgeeignete" Halbleiterdetektoren mit allen folgenden Eigenschaften:
        1. Spitzenempfindlichkeit innerhalb des Wellenlängenbereichs größer als 10 nm und kleiner/gleich 300 nm und
        2. Empfindlichkeit kleiner als 0,1 % bezogen auf die Spitzenempfindlichkeit bei einer Wellenlänge größer als 400 nm,
      2. "weltraumgeeignete" Halbleiterdetektoren mit allen folgenden Eigenschaften:
        1. Spitzenempfindlichkeit innerhalb des Wellenlängenbereichs größer als 900 nm und kleiner/gleich 1.200 nm und
        2. "Ansprechzeitkonstante" kleiner/gleich 95 ns,
      3. "weltraumgeeignete" Halbleiterdetektoren mit einer Spitzenempfindlichkeit innerhalb des Wellenlängenbereichs von größer als 1.200 nm und kleiner/gleich 30.000 nm,
      4. "weltraumgeeignete""Focal-plane-arrays" mit mehr als 2048 Elementen pro Array und einer Spitzenempfindlichkeit im Wellenlängenbereich größer als 300 nm und kleiner/gleich 900 nm,
    2. Bildverstärkerröhren und besonders konstruierte Bestandteile hierfür wie folgt:
      Anmerkung: Unternummer 6A002a2 erfasst keine nicht-bildgebenden Fotomultiplierröhren mit einem elektronensensitiven Element innerhalb des Vakuums und beschränkt auf eines der Folgenden:
      1. eine einzelne Metallanode oder
      2. Metallanoden mit einem Zentrum-Zentrum-Abstand kleiner als 500 µm.

      Technische Anmerkung: 'Ladungsverstärkung' (charge multiplication) ist eine Form der elektronischen Bildverstärkung und wird definiert als die Ladungsträgererzeugung aufgrund von Stoßionisationsprozessen (impact ionization gain process). Sensoren, die diesen Effekt verwenden, können in Form von Bildverstärkerröhren, Halbleiterdetektoren oder "Focal-Plane-Arrays" vorliegen.

      1. Bildverstärkerröhren mit allen folgenden Eigenschaften:
        1. Spitzenempfindlichkeit innerhalb des Wellenlängenbereichs größer als 400 nm und kleiner/gleich 1.050 nm,
        2. elektronische Bildverstärkung mit einer der folgenden Eigenschaften:
          1. Mikrokanalplatte mit einem Lochabstand (Lochmitte zu Lochmitte) kleiner/gleich 12 µm oder
          2. elektronensensitives Element mit einem Abstand der ungebinnten Bildpunkte (non-binned pixel pitch) kleiner/gleich 500 µm, besonders konstruiert oder geändert für die 'Ladungsverstärkung' (charge multiplication) auf andere Weise als mit Hilfe einer Mikrokanalplatte, und
        3. eine der folgenden Fotokathoden:
          1. multialkalische Fotokathode (z.B. S-20 und S-25) mit einer Lichtempfindlichkeit (luminous sensitivity) von mehr als 350 µA/lm,
          2. GaAs- oder GaInAs-Fotokathode oder
          3. andere "III/V-Verbindungshalbleiter\"-Fotokathoden mit einer maximalen "Strahlungsempfindlichkeit" (radiant sensitivity) größer als 10 mA/W;
      2. Bildverstärkerröhren mit allen folgenden Eigenschaften:
        1. Spitzenempfindlichkeit innerhalb des Wellenlängenbereichs größer als 1.050 nm und kleiner/gleich 1 800 nm,
        2. elektronische Bildverstärkung mit einer der folgenden Eigenschaften:
          1. Mikrokanalplatte mit einem Lochabstand (Lochmitte zu Lochmitte) kleiner/gleich 12 µm oder
          2. elektronensensitives Element mit einem Abstand der ungebinnten Bildpunkte (non-binned pixel pitch) kleiner/gleich 500 µm, besonders konstruiert oder geändert für die 'Ladungsverstärkung' (charge multiplication) auf andere Weise als mit Hilfe einer Mikrokanalplatte, und
        3. Fotokathoden aus einem "III/V Verbindungshalbleiter\" (z.B. GaAs oder GaInAs) und Fotokathoden mit Transferelektronen (transferred electron photocathodes) mit einer maximalen "Strahlungsempfindlichkeit" (radiant sensitivity) größer als 15 mA/W,
      3. besonders konstruierte Bestandteile wie folgt:
        1. Mikrokanalplatten mit einem Lochabstand (Lochmitte zu Lochmitte) kleiner/gleich 12 µm,
        2. elektronensensitives Element mit einem Abstand der ungebinnten Bildpunkte (non-binned pixel pitch) kleiner/gleich 500 µm, besonders konstruiert oder geändert für die 'Ladungsverstärkung' (charge multiplication) auf andere Weise als mit Hilfe einer Mikrokanalplatte,
        3. Fotokathoden aus einem "III/V Verbindungshalbleiter\" (z.B. GaAs oder GaInAs) und Fotokathoden mit Transferelektronen (transferred electron fotocathodes),
          Anmerkung: Unternummer 6A002a2c3 erfasst nicht Verbindungshalbleiter-Fotokathoden, entwickelt um einen der folgenden Werte der maximalen "Strahlungsempfindlichkeit" (radiant sensitivity) zu erreichen:
          1. kleiner/gleich 10 mA/W bei einer Spitzenempfindlichkeit innerhalb des Wellenlängenbereichs größer als 400 nm und kleiner/gleich 1.050 nm; oder
          2. kleiner/gleich 15 mA/W bei einer Spitzenempfindlichkeit innerhalb des Wellenlängenbereichs größer als 1.050 nm und kleiner/gleich 1 800 nm.
    3. nicht "weltraumgeeignete""Focal-plane-arrays" wie folgt:
      Anmerkung: Nicht "weltraumgeeignete""Focal-plane-arrays" in Mikrobolometer-Bauart sind ausschließlich in Unternummer 6A002a3f aufgeführt.

      Technische Anmerkung: Detektorarrays mit mehreren Elementen in Zeilenanordnung oder zweidimensionaler Anordnung gelten als "Focal-plane-arrays".

      Anmerkung 1: Anmerkung 1: Unternummer 6A002a3 schließt fotoleitende und fotovoltaische Anordnungen (arrays) ein.

      Anmerkung 2: Anmerkung 2: Unternummer 6A002a3 erfasst nicht:

      1. gekapselte fotoleitende Multielementzellen mit maximal 16 Elementen aus Bleisulfid oder Bleiselenid,
      2. pyroelektrische Detektoren aus einem der folgenden Materialien:
        1. Triglyzinsulfat (TGS) und Derivate,
        2. Blei-Lanthan-Zirkonium-Titanat (PLZT) und Derivate,
        3. Lithiumtantalat,
        4. Polyvinylidenfluorid (PVDF) und Derivate oder
        5. Strontium-Barium-Niobat (SBN) und Derivate,
      3. "Focal-Plane-Arrays", besonders konstruiert oder geändert für die 'Ladungsverstärkung' (charge multiplication) und mit einer durch die Konstruktion begrenzten maximalen "Strahlungsempfindlichkeit" (radiant sensitivity) von kleiner/gleich 10 mA/W bei Wellenlängen größer als 760 nm, mit allen folgenden Eigenschaften:
        1. mit einer die Empfindlichkeit (response) begrenzenden Vorrichtung, deren Ausbau oder Umbau nicht vorgesehen ist, und
        2. mit einer der folgenden Eigenschaften:
          1. die begrenzende Vorrichtung ist integriert in das Detektorelement oder verbunden mit dem Detektorelement oder
          2. das "Focal-Plane-Array" ist nur funktionsfähig, wenn die begrenzende Vorrichtung eingesetzt ist,
        Technische Anmerkung: Eine in das Detektorelement integrierte, begrenzende Vorrichtung ist so konstruiert, dass sie nicht entfernt oder umgebaut werden kann, ohne den Detektor funktionsunfähig zu machen.
      4. Anordnungen von Thermosäulen (thermopile arrays) mit weniger als 5.130 Elementen.

      Technische Anmerkung: 'Ladungsverstärkung' (charge multiplication) ist eine Form der elektronischen Bildverstärkung und wird definiert als die Ladungsträgererzeugung aufgrund von Stoßionisationsprozessen (impact ionization gain process). Sensoren, die diesen Effekt verwenden, können in Form von Bildverstärkerröhren, Halbleiterdetektoren oder "Focal-Plane-Arrays" vorliegen.

      1. nicht "weltraumgeeignete""Focal-Plane-Arrays" mit allen folgenden Eigenschaften:
        1. bestehend aus Einzelelementen mit einer Spitzenempfindlichkeit innerhalb des Wellenlängenbereichs größer als 900 nm und kleiner/gleich 1.050 nm und
        2. mit einer der folgenden Eigenschaften:
          1. "Ansprechzeitkonstante" kleiner als 0,5 ns oder
          2. besonders konstruiert oder geändert für die 'Ladungsverstärkung' (charge multiplication) und mit einer maximalen "Strahlungsempfindlichkeit" (radiant sensitivity) größer als 10 mA/W,
      2. nicht "weltraumgeeignete""Focal-Plane-Arrays" mit allen folgenden Eigenschaften:
        1. bestehend aus Einzelelementen mit einer Spitzenempfindlichkeit innerhalb des Wellenlängenbereichs größer als 1.050 nm und kleiner/gleich 1.200 nm und
        2. mit einer der folgenden Eigenschaften:
          1. "Ansprechzeitkonstante" kleiner/gleich 95 ns oder
          2. besonders konstruiert oder geändert für die 'Ladungsverstärkung' (charge multiplication) und mit einer maximalen "Strahlungsempfindlichkeit" (radiant sensitivity) größer als 10 mA/W,
      3. nicht "weltraumgeeignete" nichtlineare (zweidimensionale) "Focal-plane-arrays", bestehend aus Einzelelementen mit einer Spitzenempfindlichkeit innerhalb des Wellenlängenbereichs größer als 1.200 nm und kleiner/gleich 30.000 nm,
        Anmerkung: Nicht "weltraumgeeignete""Focal-plane-arrays" in 'Mikrobolometer'-Bauart aus Silizium oder anderen Materialien sind ausschließlich in Unternummer 6A002a3f aufgeführt.
      4. nicht "weltraumgeeignete" lineare (eindimensionale) "Focal-plane-arrays" mit allen folgenden Eigenschaften:
        1. bestehend aus Einzelelementen mit einer Spitzenempfindlichkeit innerhalb des Wellenlängenbereichs größer als 1.200 nm und kleiner/gleich 3.000 nm und
        2. mit einer der folgenden Eigenschaften:
          1. Verhältnis der Detektorelementabmessung in der 'Abtastrichtung' zur Detektorelementabmessung in der 'Querabtastrichtung' kleiner als 3,8 oder
          2. Signalverarbeitung in den Detektorelementen,
            Anmerkung: Unternummer 6A002a3d erfasst nicht "Focal-Plane-Arrays" mit maximal 32 Detektorelementen, die nur aus Germanium hergestellt sind.

            Technische Anmerkung: Im Sinne von Unternummer 6A002a3d wird die 'Querabtastrichtung' als die Achse parallel zur linearen Anordnung der Detektorelemente und die 'Abtastrichtung' als die Achse senkrecht zur linearen Anordnung der Detektorelemente definiert.

      5. nicht "weltraumgeeignete" lineare (eindimensionale) "Focal-plane-arrays", bestehend aus Einzelelementen mit einer Spitzenempfindlichkeit innerhalb des Wellenlängenbereichs größer als 3.000 nm und kleiner/gleich 30.000 nm,
      6. nicht "weltraumgeeignete" nichtlineare (zweidimensionale) Infrarot-"Focal-plane-arrays" aus 'Mikrobolometer'-Materialien, bestehend aus Einzelelementen, mit einer Empfindlichkeit ohne Filter (unfiltered response) innerhalb des Wellenlängenbereiches von größer/gleich 8.000 nm und kleiner/gleich 14.000 nm,
        Technische Anmerkung: Im Sinne von Unternummer 6A002a3f wird 'Mikrobolometer' als ein Wärmebilddetektor definiert, der dazu verwendet wird, bei einer Veränderung der Temperatur im Detektionsmaterial aufgrund von absorbierter Infrarotstrahlung ein beliebiges, verwertbares Ausgangssignal zu erzeugen.
      7. nicht "weltraumgeeignete""Focal-Plane-Arrays" mit allen folgenden Eigenschaften:
        1. bestehend aus Einzelelementen mit einer Spitzenempfindlichkeit innerhalb des Wellenlängenbereichs größer als 400 nm und kleiner/gleich 900 nm,
        2. besonders konstruiert oder geändert für die 'Ladungsverstärkung' (charge multiplication) und mit einer maximalen "Strahlungsempfindlichkeit" (radiant sensitivity) größer als 10 mA/W bei Wellenlängen größer als 760 nm und
        3. mehr als 32 Elemente,
  2. "monospektrale Bildsensoren" und "multispektrale Bildsensoren", entwickelt für die Fernerkennung, mit einer der folgenden Eigenschaften:
    1. momentaner Bildfeldwinkel (IFOV, Instantaneous Field Of View) kleiner als 200 µrad (Mikroradiant) oder
    2. spezifiziert für Betrieb im Wellenlängenbereich größer als 400 nm und kleiner/gleich 30.000 nm und mit allen folgenden Eigenschaften:
      1. Ausgabe von Bilddaten in Digitalformat und
      2. mit einer der folgenden Eigenschaften:
        1. "weltraumgeeignet" oder
        2. entwickelt für Luftfahrtbetrieb, unter Verwendung anderer als Silizium-Detektoren und mit einem momentanen Bildfeldwinkel (IFOV) kleiner als 2,5 mrad (Milliradiant),
        Anmerkung: Unternummer 6A002b1 erfasst nicht "monospektrale Bildsensoren" mit einer Spitzenempfindlichkeit innerhalb des Wellenlängenbereichs größer als 300 nm und kleiner/gleich 900 nm, die lediglich nicht "weltraumgeeignete" Detektoren oder nicht "weltraumgeeignete""Focal-plane-arrays" wie folgt enthalten:
        1. ladungsgekoppelte Geräte (Charge Coupled Devices (CCD)), nicht konstruiert oder geändert zur Erzielung einer 'Ladungsverstärkung' (charge multiplication), oder
        2. Geräte mit komplementären Metall-Oxid-Halbleitern (CMOS), nicht konstruiert oder geändert zur Erzielung einer 'Ladungsverstärkung' (charge multiplication).
  3. Ausrüstung zur 'direkten Bildwandlung' mit einer der folgenden Eigenschaften:
    1. Bildverstärkerröhren, erfasst von Unternummer 6A002a2a oder 6A002a2b,
    2. "Focal-plane-arrays", erfasst von Unternummer 6A002a3, oder
    3. Halbleiterdetektoren, erfasst von Unternummer 6A002a1,
      Technische Anmerkung: 'Direkte Bildwandlung' bezieht sich auf Bildausrüstung, die einem Beobachter ein sichtbares Bild ohne Umwandlung in ein elektronisches Signal für TV-Bildschirme liefert. Dabei kann das Bild nicht fotografisch, elektronisch oder durch andere Mittel aufgezeichnet oder gespeichert werden.

      Anmerkung: Unternummer 6A002c erfasst nicht folgende Ausrüstung, wenn sie andere als GaAs- oder GaInAs-Fotokathoden enthält:

      1. industrielle oder zivile Einbruch-Alarmanlagen, Bewegungsmelder und Zählsysteme für den Verkehr oder für industrielle Anwendungen,
      2. medizinische Geräte,
      3. industrielle Ausrüstung zum Prüfen, Sortieren oder Analysieren von Werkstoffeigenschaften,
      4. Flammenwächter für industrielle Öfen,
      5. Geräte, besonders entwickelt zum Einsatz in Laboratorien.
  4. Teile für optische Sensoren wie folgt:
    1. "weltraumgeeignete" kryogenische Kühler,
    2. nicht "weltraumgeeignete" kryogenische Kühler mit einer Kühlerausgangstemperatur unter 218 K (- 55 °C) wie folgt:
      1. geschlossener Kühlmittelkreislauf mit einer spezifizierten mittleren Zeit bis zum Ausfall (MTTF, Mean Time To Failure) oder mit einer mittleren Zeit zwischen zwei Ausfällen (MTBF, Mean Time Between Failures) größer als 2 500 Stunden,
      2. selbstregelnde Joule-Thomson-Miniaturkühler für Bohrungsdurchmesser kleiner als 8 mm,
    3. optische Fasern für Sensorzwecke, besonders gefertigt, entweder durch die Zusammensetzung oder die Struktur, oder durch Beschichtung so verändert, dass sie akustisch, thermisch, trägheitsmäßig, elektromagnetisch oder gegen ionisierende Strahlung empfindlich sind;
      Anmerkung: Unternummer 6A002d3 erfasst nicht gekapselte optische Fasern für Sensorzwecke, speziell konstruiert für Bohrlochmessungen.
  5. nicht belegt.

6A003 Kameras, Systeme oder Ausrüstung und Bestandteile hierfür wie folgt:

Anmerkung: SIEHE AUCH Nummer 6A203.
  1. Messkameras und besonders konstruierte Bestandteile hierfür wie folgt:
    Anmerkung: Die Erfassung von modular aufgebauter Kameraausrüstung durch die Unternummern 6A003a3 bis 6A003a5 richtet sich nach den maximal erreichbaren Parametern, die bei Verwendung von Einschüben (plug-ins) gemäß den Spezifikationen des Kameraherstellers möglich sind.
    1. Hochgeschwindigkeitsfilmkameras für die Filmformate von 8 mm bis 16 mm, bei denen der Film während der Aufzeichnungsdauer kontinuierlich transportiert wird und die mehr als 13.150 Einzelbilder pro Sekunde aufnehmen können,
      Anmerkung: Unternummer 6A003a1 erfasst nicht Filmkameras, konstruiert für zivile Zwecke.
    2. mechanische Hochgeschwindigkeitskameras mit stillstehendem Film, die mehr als 1 Mio. Einzelbilder pro Sekunde mit der vollen Bildhöhe im 35-mm-Bildformat aufnehmen können oder proportional höhere Aufnahmeraten für geringere Bildhöhen oder proportional niedrigere Aufnahmeraten für größere Bildhöhen ermöglichen,
    3. mechanische oder elektronische Streakkameras wie folgt:
      1. mechanische Streakkameras mit Aufzeichnungsgeschwindigkeiten größer als 10 mm/µs,
      2. elektronische Streakkameras mit einer zeitlichen Auflösung besser als 50 ns,
    4. elektronische Framing-Kameras mit einer Aufzeichnungsgeschwindigkeit größer als 1 Mio. Einzelbilder pro Sekunde,
    5. elektronische Kameras mit allen folgenden Eigenschaften:
      1. elektronische Verschlussgeschwindigkeit (Ausblendfähigkeit) kleiner als 1 µs pro Vollbild und
      2. Ausgabezeit, die eine Bildgeschwindigkeit größer als 125 Vollbilder pro Sekunde ermöglicht,
    6. Einschübe (plug-ins) mit allen folgenden Eigenschaften:
      1. besonders konstruiert für modular aufgebaute Kameraausrüstung, die in Unternummer 6A003a erfasst ist, und
      2. gemäß Herstellerangaben erreichbare Veränderung der Kameradaten, um die in Unternummer 6A003a3, 6A003a4 oder 6A003a5 genannten Grenzwerte zu erreichen;
  2. Bildkameras wie folgt:
    Anmerkung: Unternummer 6A003b erfasst nicht Fernseh- oder Videokameras, besonders konstruiert für Fernseh-Rundfunk-Einsatz.
    1. Videokameras, die Halbleitersensoren enthalten, mit einer Spitzenempfindlichkeit innerhalb des Wellenlängenbereichs größer als 10 nm und kleiner/gleich 30.000 nm und mit allen folgenden Eigenschaften:
      1. mit einer der folgenden Eigenschaften:
        1. mehr als 4 × 106"aktive Bildelemente" (active pixels) je Halbleiter-Sensor-Anordnung für Monochrom-Kameras (Schwarzweißkameras),
        2. mehr als 4 × 106"aktive Bildelemente" je Halbleiter-Sensor-Anordnung für Farbkameras mit drei Halbleiter-Sensor-Anordnungen oder
        3. mehr als 12 × 106"aktive Bildelemente" für Halbleiter-Farbkameras mit einer Halbleiter-Sensor-Anordnung, und
      2. mit einer der folgenden Eigenschaften:
        1. optische Spiegel, erfasst von Unternummer 6A004a,
        2. Steuereinrichtungen für optische Elemente, erfasst von Unternummer 6A004d, oder
        3. Fähigkeit zum Festhalten intern generierter 'Kamera-Positionsdaten'.
        Technische Anmerkungen:
        1. Die Erfassung digitaler Videokameras unter Unternummer 6A003b1 richtet sich nach der maximalen Anzahl "aktiver Bildelemente" (active pixels), die für die Aufnahme bewegter Bilder verwendet werden.
        2. Im Sinne dieser Unternummer sind 'Kamera-Positionsdaten' die Informationen, die erforderlich sind, um die Ausrichtung der Sichtlinie einer Kamera in Bezug auf die Erde zu bestimmen. Eingeschlossen sind: 1) der horizontale Winkel zwischen der Sichtlinie der Kamera und der Richtung des Erdmagnetfeldes und 2) der vertikale Winkel zwischen der Sichtlinie der Kamera und dem Horizont der Erde.
    2. Abtastkameras und Abtastkamerasysteme mit allen folgenden Eigenschaften:
      1. Spitzenempfindlichkeit innerhalb des Wellenlängenbereichs größer als 10 nm und kleiner/gleich 30.000 nm,
      2. mit linearen Sensor-Anordnungen (linear detector arrays) mit mehr als 8.192 Elementen je Anordnung und
      3. mit mechanischer Abtastung in einer Richtung,
        Anmerkung: Unternummer 6A003b2 erfasst nicht Abtastkameras und Abtastkamerasysteme, besonders konstruiert für eines der folgenden Geräte:
        1. industrielle oder zivile Fotokopierer
        2. Bildscanner, besonders konstruiert für zivile, ortsfeste Scanning-Anwendungen im Nahbereich (z.B. Reproduktion von Bildern oder Druck in Dokumenten, Kunstwerken oder Fotografien), oder
        3. medizinische Ausrüstung.
    3. Bildkameras mit eingebauten Bildverstärkerröhren, die von Unternummer 6A002a2a oder 6A002a2b erfasst werden,
    4. Bildkameras mit eingebauten "Focal-plane-arrays" mit einer der folgenden Eigenschaften:
      1. mit "Focal-plane-arrays", die von Unternummer 6A002a3a bis 6A002a3e erfasst werden,
      2. mit "Focal-plane-arrays", die von Unternummer 6A002a3f erfasst werden, oder
      3. mit "Focal-plane-arrays", die von Unternummer 6A002a3g erfasst werden,
        Anmerkung 1: Als Bildkamera im Sinne von Unternummer 6A003b4 gelten auch "Focal-plane-arrays", die mit einer über den integrierten Schaltkreis zum Auslesen des Bildsignals hinausgehenden "Signalverarbeitungselektronik" ausgestattet sind, die als Minimalfunktion die Ausgabe eines analogen oder digitalen Signals beim Einschalten der Spannungsversorgung aktiviert.

        Anmerkung 2: Unternummer 6A003b4a erfasst nicht Bildkameras mit linearen "Focal-plane-arrays" mit zwölf Elementen oder weniger, sofern keine zeitlich verschobene Signalintegration (time-delay-and-integration) im Element selbst vorgenommen wird, und konstruiert für eine der folgenden Anwendungen:

        1. industrielle oder zivile Einbruch-Alarmanlagen, Bewegungsmelder und Zählsysteme für den Verkehr oder für industrielle Anwendungen,
        2. industrielle Ausrüstung für Inspektion oder Überwachung des Wärmeflusses in Gebäuden, Ausrüstung oder industriellen Prozessen,
        3. industrielle Ausrüstung zum Prüfen, Sortieren oder Analysieren von Werkstoffeigenschaften,
        4. Geräte, besonders entwickelt zum Einsatz in Laboratorien, oder
        5. medizinische Ausrüstung.

        Anmerkung 3: Unternummer 6A003b4b erfasst nicht Bildkameras mit einer der folgenden Eigenschaften:

        1. maximale Bildrate (frame rate) kleiner/gleich 9 Hz,
        2. mit allen folgenden Eigenschaften:
          1. mit einem minimalen 'momentanen Bildfeldwinkel' (IFOV, Instantaneous-Field-of-View) in horizontaler oder vertikaler Richtung von mindestens 10 mrad (Milliradiant),
          2. mit einer Linse mit festgelegter Brennweite, deren Ausbau nicht vorgesehen ist,
          3. ohne Ausgabevorrichtung zur 'direkten Bildbeobachtung' (direct view display) und
          4. mit einer der folgenden Eigenschaften:
            1. ohne Einrichtung zur Erzeugung eines sichtbaren Bilds des erfassten Bildfeldes oder
            2. die Kamera ist für einen einzigen Verwendungszweck konstruiert und kann durch den Anwender nicht zu anderen Zwecken umgebaut werden, oder
        3. die Kamera ist besonders konstruiert für den Einbau in ein ziviles Personenkraftfahrzeug und hat alle folgenden Eigenschaften:
          1. die Anbringung und Anordnung der Kamera im Fahrzeug dient einzig dazu, den Fahrer bei der sicheren Bedienung des Fahrzeugs zu unterstützen,
          2. die Kamera ist nur funktionsfähig, wenn sie eingebaut ist in einem der folgenden Transportmittel bzw. Systeme:
            1. in dem zivilen Personenkraftfahrzeug mit einem Gewicht kleiner als 4 500 kg (zulässiges Gesamtgewicht), für das sie vorgesehen ist, oder
            2. in einem besonders konstruierten, autorisierten Diagnosesystem, und
          3. mit einer Vorrichtung, welche die Kamera funktionsunfähig macht, falls sie aus dem vorgesehenen Transportmittel entfernt wird.
            Technische Anmerkungen:
            1. 'Momentaner Bildfeldwinkel' (IFOV, Instantaneous-Field-of-View) in Unternummer 6A003b4 Anmerkung 3b ist der kleinere Wert aus'horizontalem momentanem Bildfeldwinkel' (Horizontal IFOV) und 'vertikalem momentanem Bildfeldwinkel' (Vertical IFOV).
              'Horizontaler IFOV' = horizontaler momentaner Bildfeldwinkel/Anzahl der horizontalen Detektorelemente;
              'Vertikaler IFOV'= vertikaler momentaner Bildfeldwinkel/Anzahl der vertikalen Detektorelemente.
            2. 'Direkte Bildbeobachtung' in Unternummer 6A003b4 Anmerkung 3b bezieht sich auf Bildkameras, die im Infrarotbereich des Spektrums arbeiten und die dem menschlichen Beobachter ein sichtbares Bild auf einem augennahen Mikrodisplay, das eine Vorrichtung zur Lichtabschirmung (light-security-mechanism) enthält, liefern.

        Anmerkung 4: Unternummer 6A003b4c erfasst nicht Bildkameras mit einer der folgenden Eigenschaften:

        1. mit allen folgenden Eigenschaften:
          1. die Kamera ist besonders konstruiert für den Einbau als integraler Bestandteil in netzbetriebene, für die Nutzung in Gebäuden vorgesehene Systeme oder Ausrüstungen, die durch die Konstruktion auf nur eine der folgenden Anwendungen beschränkt sind:
            1. Überwachung von industriellen Prozessen, Qualitätskontrolle oder Analysieren von Werkstoffeigenschaften,
            2. Laborausrüstung, besonders konstruiert für wissenschaftliche Forschung,
            3. medizinische Geräte,
            4. Ausrüstung zur Entdeckung von Finanzbetrug, und
          2. die Kamera ist nur funktionsfähig, wenn sie eingebaut ist in einem der folgenden Transportmittel bzw. Systeme:
            1. in dem (bzw. den) vorgesehenen System(en) oder der vorgesehenen Ausrüstung oder
            2. in einem besonders konstruierten, autorisierten Diagnosesystem, und
          3. mit einer Vorrichtung, welche die Kamera funktionsunfähig macht, wenn sie aus dem (bzw. den) vorgesehenen System(en) oder der vorgesehenen Ausrüstung entfernt wird,
        2. die Kamera ist besonders konstruiert für den Einbau in ein ziviles Personenkraftfahrzeug oder in Personen- und Fahrzeugfähren und hat alle folgenden Eigenschaften:
          1. die Anbringung und Anordnung der Kamera im Fahrzeug oder auf der Fähre dient einzig dazu, den Fahrer oder das Bedienpersonal bei der sicheren Bedienung des Fahrzeugs oder der Fähre zu unterstützen,
          2. die Kamera ist nur funktionsfähig, wenn sie eingebaut ist in einem der folgenden Transportmittel bzw. Systeme:
            1. in dem zivilen Personenkraftfahrzeug mit einem Gewicht kleiner als 4 500 kg (zulässiges Gesamtgewicht), für das sie vorgesehen ist,
            2. im vorgesehenen zivilen Personenkraftfahrzeug oder der vorgesehenen Personen- und Fahrzeugfähre mit einer Länge über alles (LOA) von 65 m oder größer oder
            3. in einem besonders konstruierten, autorisierten Diagnosesystem, und
          3. mit einer Vorrichtung, welche die Kamera funktionsunfähig macht, falls sie aus dem vorgesehenen Transportmittel entfernt wird,
        3. durch die Konstruktion begrenzte, maximale "Strahlungsempfindlichkeit" (radiant sensitivity) von kleiner/gleich 10 mA/W bei Wellenlängen größer als 760 nm, mit allen folgenden Eigenschaften:
          1. mit einer die Empfindlichkeit (response) begrenzenden Vorrichtung, deren Ausbau oder Umbau nicht vorgesehen ist,
          2. mit einer Vorrichtung, welche die Kamera funktionsunfähig macht, wenn diese begrenzende Vorrichtung entfernt wird, und
          3. nicht besonders konstruiert oder geändert für Unterwassereinsatz, oder
      4. mit allen folgenden Eigenschaften:
        1. ohne Display für 'direkte Bildbeobachtung' (direct view) oder elektronische Bilddarstellung,
        2. ohne Einrichtung für die Ausgabe eines sichtbaren Bildes,
        3. das "Focal-plane-array" ist nur funktionsfähig, wenn es in der vorgesehenen Kamera eingebaut ist, und
        4. das "Focal-plane-array" enthält eine Vorrichtung, die es dauerhaft funktionsunfähig macht, wenn es aus der vorgesehenen Kamera entfernt wird.
    5. Bildkameras mit von Unternummer 6A002a1 erfassten Halbleiterdetektoren.


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